首页> 中国专利> 电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件

电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明涉及电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件，涉及半导体集成电路制造工艺，在电镀铜工艺过程中，在介电层上形成沟槽，并在沟槽内依次沉积阻挡层和铜种子层，用电镀的方法沉积一层铜，但控制本次电镀工艺，使沉积的铜不将沟槽的开口封闭，然后通过电镀液的酸性腐蚀性对沟槽顶部的铜进行蚀刻，由于沟槽本身开口较小，且开口处更容易接触电镀液，因此沟槽的开口进一步变大，最后，用电镀铜将沟槽填满，多余的铜由平坦化工艺去除，如此可避免形成的铜互连层内有空洞。

著录项

公开/公告号CN111005043B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201911256181.3
发明设计人刘博;王春伟;严钧华;
展开▼

申请日2019-12-10
分类号C25D3/38(20060101);C25D7/12(20060101);C23F1/02(20060101);C23C14/16(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/532(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人张彦敏
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2022-08-23 12:37:10

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件 [P] . 中国专利： CN111005043B . 2021.10.15
2. 电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件 [P] . 中国专利： CN111005043A . 2020-04-14
3. Copper interconnect oxidation preventing method in semiconductor device, involves etching nitride layer to expose portion of lower copper interconnect and supplying preset gas to exposed portion of lower copper interconnect [P] . 德国专利： DE102004062859A1 . 2005-09-08

机译：半导体器件中防止铜互连氧化的方法，包括蚀刻氮化物层以暴露下铜互连的一部分，并向下铜互连的暴露的部分供应预设气体。
4. Fabrication of copper interconnect of semiconductor device, by depositing barrier layer along bottom and sidewalls of trench and via hole, and depositing tantalum/tantalum nitride layer over substrate including copper interconnect [P] . 德国专利： DE102004062860A1 . 2005-09-22

机译：通过沿着沟槽和通孔的底部和侧壁沉积势垒层，并在包括铜互连的基板上沉积钽/氮化钽层，来制造半导体器件的铜互连
5. Method for manufacturing semiconductor device for forming metal element-containing layer on insulating layer in which concave portion is formed, semiconductor device including insulating layer in which concave portion is formed, and semiconductor layer on insulating layer in which concave portion is formed [P] . 美国专利： US9245847B2 . 2016-01-26

机译：制造用于在其中形成有凹入部分的绝缘层上形成含金属元素的层的半导体器件的制造方法，包括其中形成有凹入部分的绝缘层和在其中形成有凹入部分的绝缘层上的半导体层的半导体器件