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IV族衬底上的III-N MEMS结构

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公开了用于在IV族衬底(例如，硅、硅锗或锗衬底)上形成III族材料‑氮化物(III‑N)微机电系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下，该技术包括在衬底上、以及任选地在浅沟槽隔离(STI)材料上形成III‑N层，然后通过蚀刻来释放III‑N层以形成悬置于衬底上方的III‑N层的自由部分。该技术可以包括例如使用湿法蚀刻工艺，其选择性地蚀刻衬底和/或STI材料，但不蚀刻III‑N材料(或者以显著地较慢的速率蚀刻III‑N材料)。可以在III‑N层上形成压阻元件，例如，以检测III‑N层的自由/悬置部分中的振动或挠曲。因此，可以使用该技术来形成MEMS传感器，例如，加速度计、陀螺仪和压力传感器。

著录项

公开/公告号CN107667069B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201580080280.4
发明设计人 H·W·田;S·达斯古普塔;S·K·加德纳;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;R·S·周;
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申请日2015-06-26
分类号B81C1/00(20060101);G01L1/18(20060101);G01L1/22(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;韩宏
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 13:04:23

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外文文献

1. IV族衬底上的III-N MEMS结构 [P] . 中国专利： CN107667069B . 2022.02.01
2. IV族衬底上的III‑N MEMS结构 [P] . 中国专利： CN107667069A . 2018-02-06
3. Methods of forming group III-V semiconductor materials on group IV substrates and the resulting substrate structures [P] . 美国专利： US9275861B2 . 2016-03-01

机译：在第IV族衬底上形成III-V族半导体材料的方法以及所得的衬底结构
4. Preparing template, comprises growing crystalline III-N-material on substrate, and depositing intermediate layer on substrate as mask material or in crystalline III-N material, where intermediate layer includes III-N-nucleation layer [P] . 德国专利： DE102012204553A1 . 2013-09-26

机译：制备模板，包括在衬底上生长晶体III-N材料，并在衬底上沉积中间层作为掩模材料或在晶体III-N材料中，其中中间层包括III-N成核层。
5. Semiconductor structure having a nucleation layer for preventing the surface charge on a III-V material of the Group IV-IV materials or on group IV [P] . 日本专利： JP2014517506A . 2014-07-17

机译：具有成核层的半导体结构，该成核层用于防止在IV-IV族材料中的III-V族材料上或IV族上的表面电荷