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一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法

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一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。

著录项

公开/公告号CN101726990B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-14

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院光电技术研究所;
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申请/专利号CN200910241920.1
发明设计人方亮;王长涛;罗先刚;潘丽;刘尧;刘玲;邢卉;刘凯鹏;
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申请日2009-12-15
分类号
代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人成金玉
地址 610209 四川省成都市双流350信箱
入库时间 2022-08-23 09:08:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-02

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/08 授权公告日:20111214 终止日期:20161215 申请日:20091215

专利权的终止
2011-12-14

授权

授权
2011-12-14

授权

授权
2010-08-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/08 申请日:20091215

实质审查的生效
2010-08-11

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/08 申请日:20091215

实质审查的生效
2010-06-09

公开

公开
2010-06-09

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