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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法

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本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。

著录项

公开/公告号CN101624725B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200810116412.6
发明设计人王鹏飞;吴东海;吴兵朋;熊永华;詹峰;黄社松;倪海桥;牛智川;
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申请日2008-07-09
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:08:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-08-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/44 授权公告日:20120104 终止日期:20120709 申请日:20080709

专利权的终止
2012-01-04

授权

授权
2010-03-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-13

公开

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