批评界

摘要： 1935年,《雷雨》发表近一年,没有引起批评界的注意,直到在东京首演后,才真正走向公众的视野。1936年,中国旅行剧团在上海连演三个月《雷雨》,座无虚席,轰动性可想而知。茅盾称那一年是"当年海上惊雷雨"。自演出后,评论界对曹禺的剧作有盛赞,亦不乏批判声。面对质疑,曹禺一再重申他的写作意图:"我写的是一首诗,绝非一个社会问题剧。"

摘要： 在当下的小说创作中,蔡东一直备受读者和批评界关注。她的小说产量并不高,至今也就有《木兰辞》《月圆之夜》《我想要的一天》《星辰书》四部作品集,且每部规模并不巨大,但她的名篇却不少,这是蔡东的创作态度和自我节制所致。大约从《往生》开始,先后有《无岸》《净尘山》《木兰辞》《伶仃》《来访者》《天元》《照夜白》《朋霍费尔从五楼纵身一跃》《布衣之诗》等,是批评家经常提到的作品。这些小说具有精湛的构思、讲究的语言、含蓄的人物,以及不经意的优雅和对世界的善意和爱,这些构成了蔡东小说卓然不群的显著特征。

摘要： 金珠膜,作为具有代表性的韩国近现代“抵抗诗人”之一,于1921年出生于韩国首尔,在结束普通初高中学习生活之后,前往日本东京商科大学留学,后因躲避征兵回国。1945年,他在《艺术部落》发表了一篇名为《庙庭之歌》的文章,标志着正式步入韩国文坛。在此后20多年的文学创作生涯中,他留下了丰富的诗歌作品,并逐渐受到韩国学界和批评界的密切关注。

摘要： 当前文学批评在一定程度上陷入困境。读者市场和作家层面对文学批评都不很认可,更经常可以听到关于文学批评的一些负面新闻。首要原因当然是批评界缺乏足够的自律。在商业文化等因素的影响下,一些批评家放弃原则,败坏了文学批评的风气,影响了文学批评的声誉和形象;另一方面,与文学批评的方法、潮流也有一定关系。

摘要： “非虚构”无论在国内还是国外的文学界、批评界都不是新术语,不过由于种种原因,这个概念近来在国内得到了更为广泛的关注。值得注意的是,“非虚构”有时指纪实文学、回忆录等非虚构作品,有时候则特指一种叙事策略,而我在这里着重要探讨的是后一种。作为叙事策略的“非虚构”在西方可以追溯到杜鲁门·卡波特等人的创作;在中国,提出“非虚构”不过是晚近几十年的事。

摘要： 余华,毫无疑问是中国当代一位毁誉参半,曾经引发过巨大争议的杰出作家。依照批评界一种普遍的看法,自打他凭借一篇名叫《十八岁出门远行》的短篇小说在业界产生强烈影响以来,他的小说创作被明确地划分为所谓先锋小说和回归现实这样两个阶段。前一个阶段的余华,以《四月三日事件》《世事如烟》《难逃劫数》《一九八六年》《现实一种》等一系列因其夸张变形而充满荒诞意味的现代主义小说作品而引人注目。

摘要： 1960年代出生的作家被批评界称之为“晚生代”,他们大多于上世纪90年代进人文坛,尤其以小说创作影响明显。王彬彬先生在论及这些作家时,对他们的“个人化”“泛性化”的创作倾向提出了质疑,而在早前丁帆、王彬彬和费振钟在一次谈话中对这些作家的前途表示了担忧。时至今日,所谓“晚生代”创作成绩不俗,但是在百年中国文学的格局中还是显得有些贫弱。

摘要： ―、以问题和发展需求为导向明确建构思路最近,中央宣传部、文化和旅游部、国家广播电视总局、中国文联、中国作协等五部门联合印发了《关于加强新时代文艺评论工作的指导意见》(下文简称《意见》)。因其浓郁的时代特征、鲜明的文化态度和明确的价值导向,《意见》受到各方热议,理论界与批评界曰益形成在新时代文化强国建设中文艺评论工作具有极端重要性的广泛共识。

摘要： 大体来看,刘醒龙最好的长篇小说都是书写“历史”的,其中篇则偏重于叙述某一具体的“现实事件”——与其按照“现实主义冲击波”的文学史修辞策略将之命名为“现实主义”的,毋宁说是书写“现实题材”的。换言之,在刘醒龙的方法论中,“篇幅”涵容着作品的内在规模,而内在规模的最直接表征就是所叙故事的编年时间。九十年代刘醒龙引起批评界广泛注意的小说都是现实题材的,并且这些作品的体量基本都是中篇;新世纪之后他的创作重心则转向了长篇历史小说领域。这种创作现象在某种程度上显示出了当代文学是如何由“九十年代”过渡到“新世纪”的。

摘要： 自问世以来,《兄弟》就一直饱受争议。关于《兄弟》的争论,直到今天也没有终结。这一方面说明《兄弟》无可替代的重要性,另一方面,也反映出现今批评界的总体状态。在当下的批评界,已经没有任何一部作品能够完完全全让取向各异的批评家达成共识。所以对于我们今天的批评状况来说,最重要的不是争论出一个稳定的“共识”,而是发展出一种“关于批评的批评”,以此看出不同的批评家所依凭的阐释模式,以及这些各各不同的阐释模式究竟遮蔽了什么,显影了什么。

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 一种晶界改性方法，其包括在使特定合金存在于Nd‑Fe‑B系磁铁的表面的状态下对该Nd‑Fe‑B系磁铁进行加热处理，从而可在将Nd‑Fe‑B系烧结磁铁的剩余磁通密度的降低抑制在最小限的同时还使矫顽磁力增加。

摘要： 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。

摘要： 本发明公开了一种用于提供上传并披露关于批评对象的批评意见的服务的方法。所述方法允许网络服务器在线提供包括列表的网络屏幕，该列表是通过将多个批评对象分类成主组和子组而构成的，在主组中针对每一类别来划分批评对象，在子组中针对每一类别将主组中的批评对象细分成多个等级。可通过提供在网上搜集各种批评对象的网络站点来在一个网络站点上执行关于各种批评对象的批评意见的上传以及关于其他人所上传的批评意见的披露。

摘要： 本发明提供了一种协同获得低∑晶界和锯齿晶界的方法，采用形变控冷热处理，引入低∑晶界和锯齿晶界，即：高温固溶处理→冷轧变形→高温保温处理→控冷处理→低温保温处理→水冷。本发明在不改变合金成分的前提下，协同获得两类低∑晶界和锯齿晶界的特殊晶界，具有工艺简单、易于实现的优点；本发明处理的镍基高温合金，低∑晶界比例不低于60％，∑3晶界的比例不低于50％；可将部分平直随机晶界转变为锯齿晶界，保证锯齿晶界的平均振幅不低于0.5μm，本发明处理的镍基高温合金，可形成较强的特殊晶界网络、引入更多的特殊三叉晶界、打断平直随机晶界的连通性，有望抑制沿晶开裂，提高镍基高温合金的高温蠕变性能，具有广泛的应用前景。

摘要： 本发明属于电池领域，公开了通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法，包括以下步骤：对纯铜进行反复室温多向锻造，然后600°C再结晶退火10min，使其达到组织均匀化；将组织均匀化的纯铜进行小变形冷轧，轧制变形量为5%，然后在650°C下真空退火5~15 min。本发明通将纯铜经过小变形高温短时间退火得到初次再结晶组织，初次再结晶组织的晶界特征分布虽然已经具有一定比例的∑3特殊晶界，但是其中共格孪晶界的比例不高，存在相当数量的非共格孪晶界，本发明在初次再结晶的基础上延长退火时间，进一步让晶粒有所长大，结果表明，随着晶粒的长大，共格孪晶界的比例在单调增加，最终超过50%，极大的提高了纯铜的晶界腐蚀抗力。

摘要： 本发明公开了一种玻璃板界位计与界位测量方法。玻璃板界位计设有前玻璃板(1)、后玻璃板(2)、前压盖(7)、后压盖(10)、前夹紧架(6)、后夹紧架(3)、前斜面透镜(8)和后斜面透镜(9)。前斜面透镜与前玻璃板和导视孔(11)相对，后斜面透镜与后玻璃板和观测孔(12)相对，前斜面透镜的斜面与后斜面透镜的斜面相平行。前夹紧架、后夹紧架、前斜面透镜和后斜面透镜围出测量腔(5)，后斜面透镜至后夹紧架外侧面(31)的距离小于前斜面透镜至后夹紧架外侧面的距离。本发明公开了使用上述玻璃板界位计进行界位测量的方法。本发明可用于测量油相与水相之间的界位。

摘要： 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La2O3和Nb2O5；烧结助剂：SiO2和Li2CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一种或多种；烧结助剂用于降低瓷料烧结温度并促进晶粒发育；受主材料作为氧化烧结的晶界绝缘化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次烧结完成晶界层陶瓷基板制备，分别为还原半导体化烧结和氧化晶界层绝缘烧结。本发明在陶瓷材料中掺加助烧剂并采用二次烧结方式制备陶瓷基板，一方面节省能源，另一方面可以在较低烧结温度下得到较大尺寸粒径，有利于介电常数提高；同时，在晶界绝缘化过程中，添加ZnO，提升产品绝缘电阻和绝缘强度。