晶型结构

摘要： 采用液相合成方法制备3 wt.%SiO_(2)掺杂ZrO_(2)粉体,探讨复合氧化物的形成机制及其在(300~1400)°C温度范围内的热行为。研究发现,在液相反应阶段,硅物种参与了锆源的水解-缩聚过程,通过形成Si-O-Zr键合实现了两组元间的复合。当热处理温度不高于750°C时,SiO_(2)引入稳定了ZrO_(2)的四方相,也提高了粉体颗粒尺寸的热稳定性。当热处理温度达到1000°C及以上时,Si-O-Zr键断裂,四方相不能以亚稳态存在。这使得在1250°C与1400°C烧结过程中,源自750°C焙烧粉体且具有纯四方相的生坯经历四方→单斜→四方→单斜的晶型转变;伴随相变过程,坯体发生膨胀、收缩、再膨胀,因而产生大量裂纹并遭到破坏,且晶粒在无约束状态下异常长大至微米量级。此外,Si-O-Zr键断裂形成游离态SiO_(2).经1250°C与1400°C烧结后,SiO_(2)以玻璃相分布于晶界处并与ZrO_(2)发生反应生成新相ZrSiO_(4).

摘要： 聚偏二氟乙烯(PVDF)因具有出色的介电、压电和铁电特性而被广泛应用于储能、传感器和能量收集等领域。PVDF具有多种结晶相,不同晶型对应于不同的分子构象和物理特性。目前,关于在特定条件下何种PVDF晶相占主导、各结晶相所对应的形态特征以及对PVDF物理性能的影响等关键问题尚有争议。本文评述了PVDF的3种主要晶型(α、β和γ)结构特征和目前主流的表征方法,分析了准确建立PVDF多晶型“构-效”关系的难点和潜在途径,并对影响PVDF多晶型形成的因素及转化规律进行了综述。

摘要： 为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光,提高碳化硅抛光的成品率,降低加工成本,对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点,简述了化学机械抛光技术对碳化硅材料去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理4个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技术,最后对碳化硅的化学机械抛光技术的未来发展方向进行了展望,并对今后研究的侧重点提出了相关思路。

摘要： 二氧化钒具有从金属相到绝缘体相发生可逆相变的特性,在68°C,分子结构从单斜结构转换成金红石结构,同时伴随着光学、电学和热学性质的快速突变,使得二氧化钒被广泛应用于热光调控、光学防护、红外伪装、离子电池和化学传感等领域。本文总结了二氧化钒薄膜新颖的制备技术、研究现状以及各种技术的优缺点,分析了应力、掺杂、缺陷等因素对二氧化钒相变特性的显著影响,归纳了二氧化钒的相变机理和支持相关相变机理的证据,列举了二氧化钒在不同热门领域中的应用,并对二氧化钒的发展方向和应用前景进行了总结和展望。

摘要： X射线衍射技术在研究材料晶体结构方面作用显著,是聚酯产品晶型结构研究的重要工具,能够直观反映晶体结构的变化。聚酯产品的结晶性能与其加工性能直接相关,利用X射线衍射仪测定PBAT聚酯切片的结晶度,同时考察不同加工条件下PBAT聚酯注塑片的结晶度变化,随着熔体温度的升高,PBAT聚酯注塑片的结晶度逐渐下降。

摘要： X射线衍射技术在研究材料晶体结构方面作用显著,是聚酯产品研究过程中晶型结构研究的重要工具,能够直观反映晶体结构的变化.聚酯产品的结晶性能与其加工性能直接相关,利用X射线衍射仪测定聚酯产品的结晶度具有明确意义且应用广泛.

摘要： 采用中红外(MIR)光谱开展聚偏二氟乙烯(PVDF)分子的晶型结构研究。开展了PVDF分子变温中红外(TD-MIR)光谱研究。采用二维中红外(2D-MIR)光谱,进一步开展了PVDF分子晶型互变机理研究。实验发现:PVDF分子晶型结构主要包括:α晶型、β晶型及γ晶型。随着测定温度的升高,PVDF分子α晶型、β晶型及γ晶型对应的红外吸收频率及强度均有明显的改变。在303~433 K、433~453 K和453~523 K这三个温度区间,PVDF分子晶型结构对热敏感程度及变化顺序都存在着较大的差异性,并进一步进行了晶型结构互变机理的研究。本项研究拓展了三级MIR光谱在重要的有机氟高分子材料(PVDF)晶型结构的研究范围。

摘要： 在900°C和1000°C 下煅烧NASICON前驱粉,得到主相为ZrO2和主相为NASICON的两种粉体,对两种粉体采用热压烧结,分别在1000°C和1150°C得到致密且纯度高的NASICON样品,运用XRD,FESEM对样品进行了测试表征,研究了合成温度对NASICON室温下的晶体结构的影响.通过分析样品电导率的变化与纯度、致密度、晶粒生长和晶体结构的关系表明,900°C煅烧粉体热压烧结制备的NASICON样品的晶体结构随烧结温度的升高而改变,电导率在烧结温度1000～1200°C 随着温度的升高先上升后下降,在1100°C取得极大值7.03×10-4 S/cm.

摘要： 热稳定性是不溶性硫黄的关键性能指标,对4种市售典型的不溶性硫黄充油产品进行仪器分析,探索不同产品之间的热稳定性差异原因.结果 表明,不溶性硫黄产品的热稳定性与生产方法、颗粒形状无关;晶型为S w2胶合板结构呈小颗粒形状的不溶性硫黄,其热稳定性高.采用DSC分析得到的不溶性硫黄样品热降解常数大小与国标法测定的热稳定性大小的趋势一致.为探索热稳定性差异指明了方向,为生产高端不溶性硫黄的工艺提供参考.

摘要： 选择高酯橘皮果胶与羧甲基纤维素进行复配制备脂肪替代物,并应用在人造奶油中,通过质构测定、流变测定、差示扫描量热测定等,确定最佳添加比例.结果 表明,随着脂肪替代物替代量的提高,样品的硬度、稠度与黏性都随之降低,滞后环面积随之增大,样品的晶型从β'型向β型转换的趋势越明显,结构逐渐变得松散,结果表明脂肪替代物的最佳替代比例为10％.

摘要： 本文按Ca2-(x+y)□(x+y)Bay(SiO4)1-x(SO4)x摩尔配比制备了C2S样品,通过IR、XRD并结合Rietveld方法研究了硫、钡元素单掺及复合掺杂对C2S晶型结构的影响规律.结果表明:硫掺杂可有效抑制γ-C2S的生成,最佳掺量在4.75％左右;钡掺杂对于高温晶型(α'H、α'L晶型)具有很好的稳定作用,但抑制γ-C2S生成的能力较弱;低掺量BaO、SO3对C2S晶型影响不明显,但当CaO∶SiO2∶SO3∶BaO=1.8∶0.96∶0.04∶0.16时(摩尔比),α'L含量高达80.5％,仅存在很少的γ、β相;硫、钡掺杂可有效提高[SiO4]四面体的对称性,阻止高温晶型向低温晶型转变.

摘要： 利用同步热拉伸X射线衍射仪研究了退火温度和拉伸倍率对熔体淬火尼龙(PA)1010结晶结构的影响.结果表明,熔体淬火PA1010结晶得到的是γ晶型,在100～140°C下进行退火处理,其晶型结构没有明显发生变化,γ晶型可以稳定存在.温度促进结晶生成了微量的α晶,随着退火温度的升高,结晶度增大.熔体淬火PA1010在25°C和100～140°C下同步热拉伸时,随拉伸倍率的增加,结晶度先增大后减小,拉伸倍率达到2.00时结晶度达到最大值.拉伸倍率小于2.00时,拉伸力诱导结晶,拉伸倍率达到2.00后,拉伸力破坏结晶.

摘要： 银纳米线是新一代非常有前景的导电材料.通过晶种和晶型结构及数量的控制,配合适当的反应条件,选择合适的还原剂和表面修饰剂,可以实现不同尺寸的银纳米线的制备，目前采用液相化学还原法制备各向异性的银纳米材料的工艺技术研究较多，具有操作简便、成本低廉、设备投资少等特点，但距离产业化推广应用尚待持续解决批量生产的技术问题，尤其是银纳米线的制备技术尚有诸多不确定性:其产品易于团聚，尽管采用一些有机介质分散剂增加其分散性，或将银纳米线储存于汽油或酒精中作短期存放等，其稳定性均需继续提高。液相化学还原法制备的银纳米材料，在制备过程中，主要影响因素是晶种的结构和数量，是内因;但通过控制反应条件，以及采用不同的还原剂和表面修饰剂，促使特定晶面的优先快速生长，从而实现银纳米颗粒形貌和尺寸的有效控制，这一点己为多数科研工作者的实践证明是切实可行的。无疑为产品产业化生产的工艺技术及装备的研究奠定了一定基础。

摘要： 本文首先采用离子交联的方法合成了壳聚糖纳米颗粒(NCS)，接着在有紫外光(UV)和光引发剂的引发体系中将聚丙烯酰胺(PAM)接枝到壳聚糖纳米颗粒上，得到共聚物NCS-g-PAM。同时考察了单体比例、引发剂用量、光照时间等因素对影响共聚物特性（特性粘度和产率）的影响，并通过傅里叶红外(FT-IR)XRD、核磁共振(1H NMR)、扫描电镜(SEM)差热-热重(TG-DTA)等对合成产物的结构特征、表观形貌、热热稳定进行了分析。红外图谱和核磁共振谱表明上述两种物质的特征官能团都出现在了共聚物上，XRD图谱说明了壳聚糖纳米颗粒的形成破坏了壳聚糖原有的晶型结构。扫描电镜分析表明共聚物结构更加松散和多孔，同时也间接证明了壳聚糖纳米颗粒的形成。通过差热-热重分析得到共聚物热稳定性更好。

摘要： 以微晶纤维素和纸浆为原料,分别用硫酸水解法、过硫酸铵氧化降解法和酶处理结合机械研磨法制备纳米纤维素,采用透射电子显微镜(TEM)、马尔文粒径仪和X-射线衍射仪(XRD)对所制备的纳米纤维素的微观形貌和晶型结构进行表征分析,结果表明:硫酸水解法、过硫酸铵氧化降解法和酶处理结合机械研磨法制备的纤维形貌尺寸均可达到纳米级别.其中硫酸水解微晶纤维素和过硫酸铵氧化降解微晶纤维素所得纤维形态多为短棒状,粒径较小,其悬浮液胶体呈淡蓝色,分散性和稳定性较好,胶体粘度随浓度的增加而增大;酶法结合机械研磨法在纤维素酶的协同作用和机械剪切力的共同作用下得到的纳米纤维素粒径分布为30-60nm,纤维互相缠绕,分散不均匀,团聚现象较为严重.三种方法制得的纤维结构和晶型均没有改变,仍然保持原有的纤维素I型。

摘要： 钛白是涂料中最重要的白色颜料之一,借助现代大型仪器可以快速的对样品的进行表征,同时结合已经非常成熟的钛白理论,就可以很快的完成对钛白及其包覆的评价.本文就X射线衍射(XRD)、扫描电镜能谱(SEM/EDS)、透射电镜(TEM)、激光粒度仪和X射线荧光(XRF)等仪器的特点和在钛白及其包覆研究中的应用,结合具体实例进行讨论.

摘要： 钛白是涂料中最重要的白色颜料之一,借助现代大型仪器可以快速的对样品的进行表征,同时结合已经非常成熟的钛白理论,就可以很快的完成对钛白及其包覆的评价.本文就X射线衍射(XRD)、扫描电镜能谱(SEM/EDS)、透射电镜(TEM)、激光粒度仪和X射线荧光(XRF)等仪器的特点和在钛白及其包覆研究中的应用,结合具体实例进行讨论.

摘要： 钛白是涂料中最重要的白色颜料之一,借助现代大型仪器可以快速的对样品的进行表征,同时结合已经非常成熟的钛白理论,就可以很快的完成对钛白及其包覆的评价.本文就X射线衍射(XRD)、扫描电镜能谱(SEM/EDS)、透射电镜(TEM)、激光粒度仪和X射线荧光(XRF)等仪器的特点和在钛白及其包覆研究中的应用,结合具体实例进行讨论.

摘要： 钛白是涂料中最重要的白色颜料之一,借助现代大型仪器可以快速的对样品的进行表征,同时结合已经非常成熟的钛白理论,就可以很快的完成对钛白及其包覆的评价.本文就X射线衍射(XRD)、扫描电镜能谱(SEM/EDS)、透射电镜(TEM)、激光粒度仪和X射线荧光(XRF)等仪器的特点和在钛白及其包覆研究中的应用,结合具体实例进行讨论.

摘要： 利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,通过直流恒电位沉积法在模板内组装了镍(Ni)纳米线阵列.采用SEM、TEM、SAED、EDS和VSM等检测技术对填孔过程、阵列形貌、结构和磁性能进行了分析和表征.结果表明,Ni纳米线在纳米孔中的生长过程经历四个阶段,填孔终止时间控制在第三阶段.适宜AAO模板中镍纳米线沉积的电位为-0.9V,pH值为3.5.镍纳米线是沿着方向生长的单晶结构.当外磁场平行或垂直镍纳米线阵列时,在磁场强度周期变化条件下,测量纳米线阵列磁滞现象的闭合磁化曲线,Ni纳米线阵列在平行和垂直两个方向的磁性不同,剩余磁化强度Mr与饱和磁化强度Ms之比分别为0.282和0.055,其矫顽力是293Oe、100Oe.

摘要： 本发明公开了一种对等规聚丁烯‑1结构熔体施加流动剪切加快晶型Ⅱ向晶型Ⅰ转变的方法。该方法通过熔融指数仪在一定温度下制备出等规聚丁烯‑1的结构熔体，然后在流动剪切的作用下挤出，得到的等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ能够在很短时间内转变为晶型Ⅰ。该方法在制备过程中无需任何助剂、填料等的加入即可加快等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ向晶型Ⅰ的转变，即在加快等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ向晶型Ⅰ转变的同时不会对等规聚丁烯‑1的透明度、纯度等造成任何影响，显著促进了性能优异的聚丁烯‑1在各个领域中的广泛应用，同时也降低了生产成本，具有很好的社会经济效益。

摘要： 本发明涉及式Ⅰ所示化合物的马来酸盐、该盐的制备方法、包含该盐的药物组合物和该盐的用途。本发明还涉及式Ⅰ所示化合物的马来酸盐的晶型C、晶型D和晶型E；它们的制备方法、包含它们的结晶组合物、药物组合物及用途。

摘要： 本发明公开了一种富勒烯的B晶型、C晶型、E晶型、F晶型和H晶型及其制备方法，结构式分别为和本发明所得富勒烯的各晶型均具有较好的固态性质和稳定性，极大地拓展了富勒烯的应用。

摘要： 本发明涉及化学医药领域，提供了克立硼罗五种晶型：晶型A、晶型B、晶型C、晶型D以及晶型E，本发明还提供了用于制备这五种晶型的制备方法。本发明所涉及的晶型溶解性好，并在高温、高湿、长期放置等过程中稳定性好，引湿性低，易于储存，对于开发药用克立硼罗具有重要意义。

摘要： 本发明提供了一种式(I)的环丙烷甲酰胺衍生物盐酸盐的A晶型、B晶型、D晶型、G晶型和M晶型，

摘要： 本发明公开了一种对等规聚丁烯‑1结构熔体施加流动剪切加快晶型Ⅱ向晶型Ⅰ转变的方法。该方法通过熔融指数仪在一定温度下制备出等规聚丁烯‑1的结构熔体，然后在流动剪切的作用下挤出，得到的等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ能够在很短时间内转变为晶型Ⅰ。该方法在制备过程中无需任何助剂、填料等的加入即可加快等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ向晶型Ⅰ的转变，即在加快等规聚丁烯‑1晶型Ⅱ向晶型Ⅰ转变的同时不会对等规聚丁烯‑1的透明度、纯度等造成任何影响，显著促进了性能优异的聚丁烯‑1在各个领域中的广泛应用，同时也降低了生产成本，具有很好的社会经济效益。

摘要： 一种伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一伪晶型高电子迁移率晶体管结构层、一蚀刻终止分隔层以及一异质接面双极晶体管结构层；其中该伪晶型高电子迁移率晶体管结构层的结构包括有一缓冲层、一能障层、一第一通道间格层、一通道层、一第二通道间格层、一萧基能障层、一蚀刻终止层以及至少一覆盖层；并包括一异质接面双极晶体管的加工步骤以及一伪晶型高电子迁移率晶体管的加工步骤。

摘要： 本发明提供了式(I)所示的化合物的晶型I、晶型II和晶型III，本发明的氧化苯砷晶型I、晶型II和晶型III具有良好的高温稳定性、高湿稳定性和光照稳定性，有利于其在药物加工和药物组合物中使用。

摘要： 一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构，其中硅晶磊晶层包括一晶硅基板以及一金属浆料，晶硅基板的厚度为120.0微米与220.0微米间，金属浆料印制覆盖晶硅基板的至少一个全表面，金属浆料印制覆盖的厚度范围为5.0微米与300.0微米间，金属浆料包括一第一金属微粒与一助剂，且在晶硅基板全表面形成一厚度为6.0微米以上的硅晶薄膜，晶硅基板的阻值规格为0.05Ω．㎝以上，硅晶薄膜的阻值规格为0.0001Ω．㎝与1.0Ω．㎝间，金属浆料的黏度范围是10与500PaS间，而第一金属微粒的纯度是99.9%与99.9999%间，第一金属微粒的粒径范围为0.01微米与20.0微米间，第一金属微粒的重量百分比为70%与90%间，助剂的重量百分比为10%与30%间，第一金属微粒，是与硅晶能共溶的金属微粒，或其合金的微粒，或其相互混合的微粒。

摘要： 本实用新型涉及一种改善大尺寸N型晶棒成晶的水冷热屏结构，包括水冷热屏本体，其特征在于：水冷热屏本体由水冷热屏内筒和水冷热屏外筒组成，水冷热屏内筒设置于水冷热屏外筒内，水冷热屏内筒和水冷热屏外筒分别为中空结构形成水道并通过冷却水，水冷热屏内筒与水冷热屏外筒之间间隔形成夹层用以通入氩气；该水冷热屏结构简单，外层循环水有效降低晶棒温度，内层流动氩气提高成晶液面的稳定性，便于成晶。