极图

摘要： 摘要设G为简单图,E(G)为其边集,则G的指数型反遗忘指数e1/F(G)=∑uv∈E(G)e(1/d2G(u)+1/d2Gt(v)),其中dG(u)为G中顶点u的度.本文首先给出树的指数型反遗忘指数e1/F的极小值和对应的极图,然后研究当e1/F达到极大值时对应的极图的一些结构性质.

摘要： 图G=(V(G),E(G))的Sombor指标定义为SO(G)=∑_(v_(k)v_(l)∈E(G)√d(v_(k))^(2)+d(v_(l))^(2),其中d(v_(k))和d(v_(l))分别是点v_(k)和v_(l)的度.本文中,我们分别给出n阶单圈图第二大和第二小的Sombor指标,并刻画Sombor指标达到第二大和第二小时对应的极图.

摘要： 关于平面图的平衡二部划分的研究有一个猜想:任意具有n个顶点的平面图必含有一个平衡二部划分V_(1),V_(2),使得e(V_(1),V_(2))≤n.本文证明了n阶平面图G,若其边数m≤2n-2,则G含有一个平衡二部划分V_(1),V_(2),使得e(V_(1),V_(2))≤n.并给出了它的极图有且仅有K_(4).

摘要： 设G是n阶连通图,顶点集V(G)={v_(1),v_(2),…,v_(n)}.顶点v_(i)的度用d i表示.G的SDD邻接矩阵A SDD(G)是一个n阶方阵,其中当顶点v_(i)和v_(j)邻接时,它的第(i,j)元素为d_(i)/d_(j)+d_(j)/d_(i),否则为0.图G的SDD谱半径和能量是它的SDD邻接矩阵的谱半径和能量.本文利用基本不等式、Cauchy-Schwarz不等式等的放缩,得到图的SDD谱半径的一些上、下界,并给出达到这些界的极图,也获得了SDD能量的一些上、下界.

摘要： 快速无损伤的测量正交宏观对称的六方晶系多晶体材料织构特征,在材料学方面成了亟待解决的难题.通过建立晶粒取向分布函数、多晶材料等效弹性常数和超声波在材料近表面的传播特征三者的关系,来确定晶粒取向分布函数的五个织构系数W200,W220,W400,W420,W440,构建极图并分析材料的宏观织构特征.其中,采用的两种波型分别是:小角度临界值纵波和瑞利波,而超声波传播特征主要以研究相速度在材料主平面上随传播角度的变化为主.对圆饼状TA19钛合金锻件进行了测量分析,结果显示:单一方向的声速C扫图可以反映出TA19钛合金锻件各位置的织构差异;圆饼状TA19钛合金锻件在以圆心为中心的不同半径的圆周处有着不同的织构特征;五个织构系数分别反映出圆饼状TA19钛合金锻件不同位置处的织构差异,尤其W220,W420,W440三位织构系数差异更为明显.

摘要： 令G是一个连通图.当2≤k≤n-1时,图G的Steiner k-Wiener指标表示V(G)中所有k子集S的Steiner距离之和.如果一个连通图具有相同的顶点数和边数,则称为单圈图.通过对单圈图做变换,给出了单圈图Steiner(n-1)-Wiener指标的计算式,确定了单圈图Steiner(n-1)-Wiener指标的上、下界,并刻画了达到上、下界时的极图.

摘要： 分子拓扑指数是分子图的拓扑不变量,常常用来研究化合物的结构与性能之间的关系.基尔霍夫指数是最重要的分子拓扑指数之一.图G的基尔霍夫指数定义为图G中所有无序点对的电阻距离之和.本研究主要研究图的基尔霍夫指数,给出具有k个块的连通图的基尔霍夫指数的下界,并刻画对应的极图.

摘要： Sombor指数族(普通Sombor指数、约化Sombor指数和改良Sombor指数等)在模拟烷烃的熵和蒸发焓方面显示出良好的预测和判别能力,可应用于化合物热力学性质的模拟,具有重要的化学应用价值.针对4类常见的芳香族化合物——随机苯链、随机聚苯链、随机亚苯基链和随机斯皮罗链,通过递归计算的方式研究了改良Sombor指数的数学期望,进而分别给出了这4类芳香族化合物的改良Sombor指数的极值与极图刻画.

摘要： Augmented Zagreb指数是化学图论中一种新的拓扑指数,能有效地预测辛烷和庚烷的生成热.文章对色数为x≥2的n阶连通图G的augmented Zagreb指数进行了研究.采用分析结构法和反证法,得到了咒被x整除时图G的augmented Zagreb指数的最大值,并刻画了极图.

摘要： 采用金属有机物热分解法(MOD)制备了2种不同膜厚,具有(001)择优的四方相PbZrTiO(PZT)铁电薄膜.分别用极图和XRD图谱估算了PZT薄膜的有效弹性常数.在极图分析方法中,高斯分布函数能够较好地描述薄膜中晶粒的分布趋势,用(001)极图可以估算(001)择优PZT薄膜的有效弹性常数.用XRD图谱分析薄膜中(hkl)织构的相对轴密度,并以此近似地作取向的统计平均,可得到PZT薄膜的有效弹性常数.结果表明,用这2种方法估算PZT薄膜有效弹性常数得到的结果比较接近,在相同工艺下不同厚度的PZT落膜其弹性不同.

摘要： 本文采用XRD极图方法对海水大珠母贝、企鹅珍珠贝及淡水三角帆蚌贝壳珍珠层中文石晶体的结晶学定向进行了研究.根据文石的(002)和(012)极图可以推断,三种贝壳珍珠层文石的a轴平行珍珠层面,c轴垂直珍珠层面.在珍珠层面上,二种海水壳珍珠层中文石的a轴亦存在强烈的择优取向现象,大珠母珍珠层中文石a轴沿与壳生长纹方向呈200°左右的夹角分布,企鹅珍珠贝沿近平行壳生长纹的方向分布;淡水三角帆蚌珍珠层文石a轴亦平行珍珠层面分布,但其择优取向不如海水壳明显,在珍珠层面上沿各个角度上均有分布.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 本文分析了影响红外焦平面器件铟柱互连结构可靠性的一些因素,通过对铟柱结构的物理分析,发现铟织构是使得铟柱结构剪切力小的重要原因,并寻找破坏或减少铟织构,提高焦平面器件互连结构的强度的方法.

摘要： 一种二维非对称四极电法的拟断面图坐标计算方法。本方法基于传导电法中的非对称四极装置的特点，提出根据非对称四极的供电电极和测量电极的编号，采用拟断面图的横坐标和纵坐标公式，获得二维非对称四极电法测量结果的拟断面图的坐标，绘制相应测量结果的拟断面图，从而对非对称四极电法的测量结果进行定性分析和处理。该方法统一了非对称四极电法的拟断面图的坐标规则，能使非对称四极电法测量数据获得更真实的拟断面图，提高非对称四极电法的资料解译精度和效率。

摘要： 本发明提供了一种加载变容二极管的方向图扫描贴片天线，包括辐射贴片层(1)、半固化片层(2)以及微带线层(3)；所述半固化片层(2)设置在微带线层(3)和辐射贴片层(1)之间。所述辐射贴片层(1)包括贴片(4)、馈电探针(5)、短路探针(6)以及辐射贴片层地板(18)；所述微带线层(3)包括可重构电路、T型阻抗匹配网络以及微带线层地板(19)；本发明为对称结构，能够用于实现二维方向图扫描；由于辐射贴片的尺寸较小、剖面低，具有对于阵列天线的设计匹配度高的优点；本发明中辐射贴片、射频微带线都为直流接地，因此整个天线不需要隔直电容，能够有效提高天线的效率。

摘要： 本发明公开了一种基于剪切二维极线平面图的光场角度超分辨率方法及装置，其中，方法包括：根据低角度分辨率光场提取多个二维极线平面图；获取多个二维极线平面图的每个二维极线平面图的空间低频信息；得到多个剪切操作后的低频极线平面图；达到目标角度分辨率；通过卷积神经网络对上采样后的低频极线平面图重建出角度信息；得到角度超分辨率后的高空间角度分辨率的极线平面图；得到多个在不同视差下的高角度空间分辨率极线平面图；得到高空间角度分辨率极线平面图；输出高角度分辨率光场。该方法对一定稀疏角度分辨率的大视差光场均能达到优良的角度超分辨率效果，具有很强的鲁棒性，且对极线平面图所对应的视差图中的噪声也具有很强的鲁棒性。

摘要： 一种二维非对称四极电法的拟断面图坐标计算方法。本方法基于传导电法中的非对称四极装置的特点，提出根据非对称四极的供电电极和测量电极的编号，采用拟断面图的横坐标和纵坐标公式，获得二维非对称四极电法测量结果的拟断面图的坐标，绘制相应测量结果的拟断面图，从而对非对称四极电法的测量结果进行定性分析和处理。该方法统一了非对称四极电法的拟断面图的坐标规则，能使非对称四极电法测量数据获得更真实的拟断面图，提高非对称四极电法的资料解译精度和效率。

摘要： 本发明公开了一种基于PIN二极管开关的宽带方向图可重构天线，所述天线包括磁电偶极子辐射单元、介质基板、反射地板、绝缘支撑螺柱，金属螺丝、Γ型探针馈电结构、直流偏置电路、PIN二极管以及贴片电容。介质基板一侧蚀刻磁电偶极子辐射单元的平面电偶极子结构以及直流偏置电路。平面电偶极子蚀刻为长度不等的三段，其缝隙中置入PIN二极管。贴片电容置入直流偏置电路中以隔断交流电流。本发明组建的方向图可重构天线具有结构简单，重量轻，宽带宽等优点，通过控制四组PIN二极管开关的通断，能实现三种不同方向图的工作模式。

摘要： 本发明提供了一种基于Hopfield模型的三重四极杆质谱仪谱图分类方法，包括如下步骤：S1、基于各类目标峰特征信息，改进Hopfield模型；S2、提取目标峰最高点左右两侧一定距离范围内的点，经归一化处理后作为改进后的Hopfield模型的初始状态向量；S3、基于先验训练集合生成Hopfield模型的吸引子和吸引盆，当待识别峰的数据落入相应吸引子的吸引盆中时，随着递归计算将最终收敛到吸引子，而这个吸引子就是所谓的类型标识。将Hopfield模型应用于三重四极杆质谱仪的谱图分类应用中，这是一种非线性递归神经网络，同支持向量机等方法相比，计算复杂度低，无需特别关注目标峰的特征，易于实现。同时本专利中Hopfield模型神经元数目可以灵活调整，从而应对不同步长的扫描场景。

摘要： 本实用新型公开了一种带有极细冲针的自动亮片排图机的冲针导向机构，包括冲针座、导向杆、压簧、冲模基座、凹模和凹模座，还包括轴向设置于冲针座和冲模基座之间的极细冲针；所述冲针座下端的周向槽孔内圈的冲针座端面低于外圈的冲针座端面，形成一个凹平面；所述冲模基座上端的周向槽孔内圈的冲模基座端面高于外圈的冲模基座端面，形成一个凸台。所述极细冲针由针帽、针体和细针体，以及设置于针体和细针体之间的连接缓冲台构成；所述凹模的定位孔直径与细针体相适配，为间隙配合。上述带有极细冲针的自动亮片排图机的冲针导向机构，既克服了普通细冲针易崩断的问题，又能冲压出微小的亮片，冲裁粘贴后使服饰上的图片更为精美，和准确呈现设计。

摘要： 本发明涉及一种利用极图确定晶体织构的通用方法及装置，包括以下步骤：S1、获取埃尔瓦德球上任意圆的赤面投影的控制方程；S2、判断待确认样品是轧制材料还是挤压材料，如果是轧制材料则执行步骤S3，如果是挤压材料则直接执行步骤S4；S3、判断轧制面是否已知，如果是，则执行步骤S4；如果否，则执行步骤S5；S4、利用控制方程，获取轧制方向RD或者挤压方向ED和任意极点之间的夹角，从而确定待确认样品的轧制方向或挤压方向；S5、获取轧制面，并返回步骤S4。本发明通过赤面投影的控制方程，可以获取挤压材料或者轧制材料的任意极点与轧制方向RD之间的角度，获取方法简单，不需要使用昂贵的设备以及过多的操作步骤。

摘要： 本发明一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法属于极点标定领域。本发明包括以下步骤：步骤1)、测试样品不同倾角及转角的衍射强度通过实测样品的极密度分布函数得数据，其中，χ为测试倾角，ψ为测试转角；步骤2)、通过邦厄函数计算材料的取向分布函数步骤3)、列出测试晶面所有的晶面指数，通过欧拉矩阵转换关系得到各晶面的方位角坐标得到材料的理论极图；步骤4)：通过计算理论极图与实测极图的误差，得到实测极图各极点的晶面指数。本发明方法极大简化了单晶材料的极点标定过程中的计算难度，提高了计算效率。

摘要： 一种利用极图分析的滑移线快速精确标定方法，本发明涉及一种利用极图分析的滑移线快速精确标定方法。本发明是为了解决现有表面滑移线标定困难且速度慢的问题。方法:一、前期准备：对试样进行抛光，然后进行拉伸变形，出现滑移线；将待观察试样固定于样品台上，进行二次电子和电子背散射衍射的分析；二、实验数据处理：建立滑移线分析模型；三、滑移线分析：利用模型将滑移线上选定点处的金属各个滑移面对应在极图中的位置标定出来，与中心连线，垂线的方向即为待定滑移线方向，对比步骤二中在二次电子图像中标定的实际滑移线方向，方向完全吻合的滑移面即为此处实际运动的滑移系。本发明用于快速准确标定金属表面滑移线对应的滑移系。