正向压降

摘要： 针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构.通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N+缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N+缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗.在器件关断过程中,N+缓冲层中处于反向偏置状态的PN结对N-漂移区中电场分布起到优化作用,加速了N-漂移区中电子抽取,在缩短器件关断时间和降低关断能量损耗的同时提升了击穿电压.Silvaco TCAD仿真结果显示,新型沟槽栅4H-SiC IGBT击穿电压为16 kV,在15 kV的耐压设计指标下,关断能量损耗低至4.63 mJ,相比传统结构降低了40.41％.

摘要： 本文阐述了基于正向压降测试仪的继电器测试系统,通过开发上位机软件测试程序控制正向压降测试仪对继电器触点进行VI测试,利用最小二乘法对测试数据进行分析,计算测试数据的平均电阻值和线性度,并在此基础上开发循环测试程序,得出多次测试数据的拟合曲线和线性度曲线,通过分析结果判定继电器触点的健康状态.

摘要： Vishay Intertechnology,Inc.近日宣布,推出十款新型650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响-从而使二极管能够在更高的温度下工作。日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

摘要： 一台HC-2402型LED液晶彩电,雷击后三无。拆机检查,该机采用三合一主板(型号为TP.VST59.P4671)。通电,测得电容CB1(47μF/400V)两端电压约为320V,但开关电源次级12V输出端电压为0V。断电,320V电压长时间保持。放去储电后在路测量,发现光耦817B③、④脚之间的阻值为0Ω(短路);将③、④脚与电路板分开再测,不再短路;用晶体管特性测试仪测得光耦③、④脚正向压降为1.2V,反向压降大于50V,性能正常。

摘要： 电位差计是以电压补偿法为原理所制作出来可以用来测试电动势的仪器。将被测的量值与已知的标准量值进行相互比较,根据电压补偿原理,使得在实际测量所要测量的电路时通过其的电流为零,从而使所得数据的准确度大大提高。在大学物理实验之中,电位差计的地位十分的重要,许多实验之中,都可以将其当做测量仪器代入其中。本课题将电位差计作为测量工具,在研究温度对结型半导体的正向压降的影响实验之中,将其与TH-J型PN结正向温度特性实验组合仪相连,由于电位差计比组合实验仪中的测试仪器部分要高上两个点的精密度,得到更为精密的实验数据。

摘要： 本文是针对0～20A整流二极管正向压降平均值测试的工作原理,设计相应设备对其测试进行简析.

摘要： 对于笔记本电脑和移动设备,整流器采用TO-220AB封装而提供了30 A至40A的电流额定值日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出四款全新100 V和120 V TMBS?Trench MOS势垒肖特基整流器——V30100CI、V30120CI、V40100CI和V40120CI。

摘要： Vishay公司推出10颗采用e SMP系列Micro SMP（DO-219AD）封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压为45~150V,其中业内首颗采用Micro SMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。

摘要： 本文主要分析了太阳能光伏接线盒测试仪的工作原理,详细阐述了在校准领域中的技术要求,校准用设备及相应的校准方法,最后对采用的校准方法进行了相关的验证分析.这对于制定光伏接线盒测试仪的校准规范或检定规程以及开展这方面的研究具有重要的意义.

摘要： Littelfuse公司迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员:专为超低正向压降(V_F)设计的硅肖特基器件。DST系列肖特基势垒整流器非常适合用于高频应用(如开关式电源)以及直流应用(如太阳能电池板旁路二极管和极性保护二极管),其设计目的是为了满足商业和工业应用的要求。这种器件具有高结温能力、低泄漏和超低正向压降,性能优于传统的开关二极管。它们较高的结温能力和低泄漏能够在恶劣的高温环境下提供更高的可靠性。

摘要： 本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿真分析,表明:在相同耐压下, 本文所提出的二极管的正向压降比常规PN结二板管低,反向恢复比常规PN结二极管快,反向峰值电流比常规PN结二极管小.

摘要： 本文提出了一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管(BCMD).理论分析了BCMD的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对BCMD进行了模拟仿真分析,结果表明:在相同耐压110V下,BCMD的正向压降(0.3 V)比常规PN结二极管(0.7 V)小58％,反向恢复时间(8ns)比常规PN结二极管(28 ns)小72％,反向峰值电流(0.8A)比常规PN结二极管(1.1 A)小28％,反向泄漏电流只比pn结二极管大两个量级.通过实际流片和测试,验证了BCMD的优良特性.

摘要： 文中分析了一种新型的超势垒整流器SBR(SBR：Super、BarrierRectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时给出了该器件的工艺制造流程，并对其进行了模拟仿真及优化设计。最后，根据模拟得到的参数进行了100V的SBR器件制造，结果表明，所设计的SBR器件击穿电压为116V，在3A时的正向压降为0.7V，反向恢复时间达到了18ns，满足设计指标。

摘要： 结合实际仪器,分析了PN结正向电压降与温度关系的实验,研究了在不同升温速率和降温情况下PN结正向电压的温度系数,发现降温测量的实验结果好于升温测量结果。

摘要： 研究了不同外延工艺的外延片上Ni/Au透明电极在氮气中合金对其欧姆接触性能的影响,发现其正向压降(Vf)有的上升,有的仍然保持不变,同时对这种现象进行了讨论.

摘要： 热阻是LED及其封装导热性能的一个重要参数,对于LED的使用有着重要的意义。影响热阻值大小的有多种因素,如环境温度,工作电流,封装结构等。该实验平台结合PN结的电学和热学特性来测量LED的热阻值,采用自控技术进行数据采集和分析,使热阻值测量便捷、高效、准确。

摘要： 热阻是LED及其封装导热性能的一个重要参数,对于LED的使用有着重要的意义。影响热阻值大小的有多种因素,如环境温度,工作电流,封装结构等。该实验平台结合PN结的电学和热学特性来测量LED的热阻值,采用自控技术进行数据采集和分析,使热阻值测量便捷、高效、准确。

摘要： 热阻是LED及其封装导热性能的一个重要参数,对于LED的使用有着重要的意义。影响热阻值大小的有多种因素,如环境温度,工作电流,封装结构等。该实验平台结合PN结的电学和热学特性来测量LED的热阻值,采用自控技术进行数据采集和分析,使热阻值测量便捷、高效、准确。

摘要： 热阻是LED及其封装导热性能的一个重要参数,对于LED的使用有着重要的意义。影响热阻值大小的有多种因素,如环境温度,工作电流,封装结构等。该实验平台结合PN结的电学和热学特性来测量LED的热阻值,采用自控技术进行数据采集和分析,使热阻值测量便捷、高效、准确。

摘要： 热阻是LED及其封装导热性能的一个重要参数,对于LED的使用有着重要的意义。影响热阻值大小的有多种因素,如环境温度,工作电流,封装结构等。该实验平台结合PN结的电学和热学特性来测量LED的热阻值,采用自控技术进行数据采集和分析,使热阻值测量便捷、高效、准确。

摘要： 本发明涉及一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，其每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及第一导电类型载流子存贮区；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。本发明提高载流子存贮层的掺杂浓度，能有效降低正向导通压降以及开关损耗。

摘要： 本发明提供了一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，分别形成第一掩蔽层、第二掩蔽层、多晶硅源区、第一夹断区以及第二夹断区；重新形成阻挡层，并对阻挡层和第一掩蔽层蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；淀积形成栅极多晶硅层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区金属通孔；通过源区金属通孔对多晶硅源区淀积，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀通孔，淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，降低源极到漏极的体二极管压降。

摘要： 本发明公开了一种降低正向压降的SiC JBS二极管及其制作方法，所述的降低双极正向压降的SiC MPS二极管，包括n+‑SiC衬底，衬底上依次为n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上表面具有若干沟槽，在沟槽里填充若干p+‑NiO区，正面覆盖有阳极，衬底背面覆盖阴极。本发明在保证高击穿电压的同时，显著改善了SiC JBS的双极正向压降，增强了双极导通模式下的载流子注入效率，从而降低双极正向压降，提升器件的抗浪涌能力；并通过减薄二极管的衬底，降低器件的衬底体电阻，因此降低器件的总通态电阻，减小通态损耗。

摘要： 本发明涉及一种二极管正向压降的测试方法，通过三步测量不同设计安培下的正向压降，并经过公式计算，显著地减轻了探针台上电阻对测量结果的影响，并且不同的设计安培下正向压降的计算，辅以修正参数，能够得到有效的准确的数值作为二极管通过和失效的依据。

摘要： 本实用新型公开了汽车发电机整流桥二极管正向压降与正向压降变化测试仪，包括测试仪本体，所述测试仪本体的正面设置有读数显示屏，所述读数显示屏的一侧设置有电流调节按钮，所述电流调节按钮的下方设置有测试开关，所述测试仪本体的背面设置有盖板，所述盖板顶部的一侧固定连接有第一连接块，所述盖板的下表面固定连接有第二连接块。该汽车发电机整流桥二极管正向压降与正向压降变化测试仪，能够对流过二极管的电流大小进行设置，通过测试开关的设置，能够对测试的开始和结束时间进行控制，从而提高测试结果的精确度，使用者可以通过转动旋钮，实现对盖板的安装和拆卸，能够为工作人员维修测试仪提供便利。

摘要： 本实用新型针对现有技术中整流模块的二极管芯片抗浪涌电流的能力还可以进一步提高的问题，提出了一种低正向压降高热容量的整流模块，属于半导体整流技术领域，包括铝基覆铜板，铝基覆铜板的覆铜层包括三个引入交流正极的第一覆铜层、一个引出直流正极的第二覆铜层和一个引出直流负极的第三覆铜层，所述第一覆铜层上设有一个二极管芯片，所述第三覆铜层上设有三个二级管芯片，第一覆铜层和二极管芯片之间、第三覆铜层和二极管芯片之间均设有焊接台。该实用新型提高了二极管芯片抗浪涌电流的能力，进一步提高了二极管芯片在大电流应用领域的使用寿命。

摘要： 本实用新型涉及光伏模块组件加工技术领域，尤其涉及一种降低光伏模块正向压降的跳线，所述跳线包括第一水平段、第二水平段和第三水平段，所述第一水平段和第二水平段之间设置有第一倾斜端，所述第二水平段和第三水平段之间设置有第二倾斜端，所述第二倾斜段下侧底部设置有横向凹槽，所述第二水平段高于第一水平段和第三水平段，所述第三水平段高于第一水平段，所述第三水平段用导电涂膏与芯片焊接，所述第一水平段用导电涂膏与铜片焊接，所述第三水平段与芯片焊接处中心向下凸出设有焊接凸台，所述第一水平段焊接面焊接处设置有跳线锯齿，提高接触面积，显著降低了正向压降，减小了功率消耗与发热，提升了使用寿命。

摘要： 本实用新型公开了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括由下至上依次设置的背面阴极接触层、衬底、下漂移层及上漂移层；上漂移层上方设有肖特基金属接触层及位于肖特基金属接触层外围的钝化环，上漂移层上端设有至少一个有源掺杂区以及位于有源掺杂区一侧的结终端扩展区；正面阳极金属层与钝化环的上方设有用于给芯片提供物理保护的聚酰亚胺环；聚酰亚胺环包括内环和外环，内环外环之间通过若干个连接点连接；内环包括位于正面阳极金属层上方的第一部分以及位于钝化环上方的与第一部分一体而成的第二部分；外环位于钝化环上方且其外沿与钝化层外沿一致。本实用新型肖特基势垒高度的连续变化变为可能。这样，可以通过优化漂移层的掺杂浓度找到一个合适的肖特基势垒高度，从而降低碳化硅肖特基二极管的开启电压，在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。

摘要： 本实用新型公开了一种降低正向压降的肖特基二极管，包括散热外壳和肖特基二极管本体，所述散热外壳和肖特基二极管本体之间固定连接有导热体，所述电场消除块底部固定连接有N‑外延层，所述N‑外延层底部固定连接N型基片，所述N型基片底部固定连接N+阴极层，所述N+阴极层底部固定连接N++阴极层，所述N++阴极层底部固定连接有阴极金属，所述散热外壳底部固定连接有正极引脚和负极引脚。本实用新型中，通过在散热外壳和肖特基二极管本体之间固定连接导热体，散热外壳外壁开设散热孔，当肖特基二极管本体由于电压过大产生热量时，通过导热体吸收肖特基二极管本1上的热量，导热体的热量通过散热孔排出，提高肖特基二极管的散热效果，降低其漏电现象。

摘要： 本实用新型属于二极管测试技术领域，尤其涉及一种用于肖特基二极管的正向压降测试电路。包括电源、恒流源模块、采样处理电路和显示电路，电源两端连接有待测管，恒流源模块串接在电源与待测管之间，用于给待测管提供指定电流，采样处理电路连接在待测管两端，用于在指定电流值下采集待测管的电压值并处理，显示电路连接采样处理电路，用于显示采样处理电路处理后的信号。本实用新型用于解决正向压降参数测试不便的问题。通过恒流源模块给待测管提供指定电流，在指定电流下通过采样处理电路采集待测管的电压并进行数据处理，然后通过显示电路显示具体数值，整体结构简单，方便易实行，体积小，便于携带。