正电子

摘要： 激光尾波场电子束作用于固体金属靶产生正电子,是一种新兴的获取正电子的实验方法。文章对其实验方案进行详细地模拟分析。利用FLUKA蒙特卡罗程序开展数值模拟,研究激光尾波场正电子实验中靶材料的选择标准,提出引入平均角分布熵产额(mean angular entropy yield, MAEY)函数指标进行正电子的实验可用性评价;计算结果表明,原子序数高的固体金靶正电子产额和平均角分布熵产额均较高,正电子的可用性相对较好。对选用固体金靶的实验方案,构建蒙特卡罗物理模型开展模拟计算,研究正电子在输运过程中的空间分布特征;计算数据显示,金靶产生正电子的角分布范围在0°~70°之间,通过准直器后正电子数目减少到原来的1.05%,存在电子、光子和中子等干扰粒子,其中光子干扰最大,在通过偏转磁场后的正电子分布空间,光子密度仍比正电子密度高2个数量级。该文的研究对于激光驱动正电子实验固体靶材料的合理选用以及相关正电子测量与应用实验方案的优化设计具有一定的参考价值。

摘要： 赵忠尧(1902.6.27—1998.5.28),浙江诸暨人,著名物理学家,中国核物理研究和加速器建造事业的开拓者。120年前,1902年6月27日,赵忠尧出生于浙江诸暨。在那个风雨飘摇的年代,身为私塾老师的父亲倾尽一切培养这个孩子,希望他日后能用知识改变这个饱经沧桑的国家。天下兴亡,匹夫有责,这般豪烈之情,伴随了赵忠尧一辈子。

摘要： 正电子与原子碰撞问题是原子分子物理的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多方面都有着密切关系.正负电子偶素形成问题是正电子与原子散射中一种特殊的物理过程,为了研究正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题,利用光学势的理论方法分别计算了能量范围2～30 eV的正电子散射铷原子、铯原子基态下(n=1)的正负电子偶素形成截面,并与已有的其他理论结果进行对比分析.研究结果表明,正电子散射铷原子、铯原子基态下正负电子偶素形成截面在低能量区域产生较大的区别,光学势理论方法计算的截面数据与其他理论结果数据符合较好,验证了光学势方法对于处理正电子与碱金属原子碰撞问题的有效性.

摘要： 应用光学势方法研究了德拜等离子体环境下,能量在2～60 eV正电子与碱金属原子碰撞过程中的电子偶素(Ps)形成.通过碱金属原子的模型势对其进行德拜等离子体环境下的修正来描述靶原子体系的波函数,由Debye-Hückel势描述粒子间(电子与原子实之间)的相互作用.计算了不同屏蔽因子下的电子偶素形成截面,研究了屏蔽库仑势对电子偶素形成过程的影响.结果 表明,屏蔽库仑势对电子偶素形成过程存在复杂的影响.

摘要： 通过10～30 keV的正电子轰击纯厚Ti(Z=22)靶,采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线,通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511 keV的γ光子计数来计算正电子束流强度,对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量,并将所得实验数据与基于DWBA(Distorted-Wave Born Approximation)理论的Monte Carlo程序PENELOPE模拟值进行了比较,在所考察的能区范围内两者形状较为一致,但实验值均明显低于理论模拟值,在低能端(≦15 keV)更为显著,从而为今后开展这方面的工作提供了参考.

摘要： 64Cu是目前应用十分广泛的放射性核素,主要用于PET诊断.本文基于C30加速器对64Cu核素的制备工艺进行研究.制靶靶片为金属铜材质,在靶片表面镀金膜,以保护铜基底.镀金完成后用HCl和H2O2浸泡镀金层以去除金属杂质,用脉冲电镀法电镀富集64 Ni层.将靶片转移至C30加速器固体靶站进行辐照,束流能量为15.5 MeV.将辐照后的靶片转移至分离纯化热室.在溶靶槽中加入6 mol/L HCl和30％H2O2溶靶,使用AG1-X8阴离子交换树脂分离纯化,最终获得64Cu核素.分别测定64Cu的放射性核纯度、放射化学纯度、金属杂质含量等质量指标.待收集的64 Ni溶液衰变完全后,使用AG1-X8树脂回收.检验结果显示,富集64Ni厚度约8.5～16.3 mg/cm2,64Cu产能大于37 GBq,产额可达180～250 MBq/(μA·h),放射性核纯度大于99.9％,放射化学纯度大于97.0％,金属杂质含量均小于0.5μg/GBq.64Cu制备工艺稳定、质量可控,达到了规模化生产水平,为64Cu相关药物的研究与开发提供了稳定可靠的核素来源.

摘要： 2020年,中华医学会核医学分会(CSNM)对全国核医学情况进行了普查,涵盖了我国大陆31个省市自治区。截至2019年底,全国现有核医学科1148个,比2017年增长了23%。有医疗回旋加速器120台,分布在117个医疗单位。有正电子设备427台(包括PET/CT和PET/MRI),单光子设备903台(包括SPECT和SPECT/CT)。而在30年前,正电子设备和单光子设备数量分别是0和44台。

摘要： 回溯物理学家狄拉克预言正电子和安德森证实正电子存在的历程,展现狄拉克的创新思维、安德森的实验和逻辑推理相结合的魅力。

摘要： Nature:对反氢原子进行激光冷却Nature封面:镀金彭宁阱(Penning trap)端电极的特写,该彭宁阱被用来捕获和操纵反质子和正电子,从而形成反氢原子。Nature杂志第7852期封面文章报道了激光冷却反氢原子的新研究。研究人员使用欧洲核子研究组织(CERN)的反质子减速器,用磁场捕获了反氢原子,随后又用小心调谐的有特定用途的紫外激光脉冲对这些反氢原子进行辐射。这个过程能减慢一些原子的速度,使它们降温,减小了在反原子中测量到的一个原子跃迁的宽度。科学家相信该技术能降低对反物质基本特性的研究难度,包括对其引力行为的研究。

摘要： 银河系中可能藏着14颗完全由反物质构成的恒星。这些“反世界”的存在或将颠覆宇宙学标准模型的基石。反恒星远看和标准星没什么两样……但凑近了观察就会发现,::者截然不同!反恒星是一类假想天体,其电荷与寻常恒星的相反:带负电的电子被正电子替代,后者绕带负电的反质子运行,从而形成反原子:整座反恒星工厂遵循这样的逻辑运作:反恒星的核心产生核聚变反应将反氢转化为反氦,其星冕向太空吹出反质子风,掠过可能存在的反行星;而反行星上或许存在反生命,甚至反文明!

摘要： 建立了基于超强激光产生正电子的理论和数值模型;建立了基于超强激光产生正电子的实验方法;双激光脉冲产生正负电子对和伽马爆,超强激光与锥空腔靶产生高通量准直正电子束,激光尾波场电子产生正电子的实验方面，利用双级靶方案,在国内首次在实验中观测到了明显的正电子信号。

摘要： 超强激光与等离子体相互作用可以辐射出大量γ光子,γ光子再与激光场作用形成雪崩效应产生大量正电子,这个多光子过程称为BW过程(BreitWheeler).当激光足够强时,BW过程是激光等离子体相互作用产生正电子的主要过程.获得高密度、高能量的正电子束有助于研究核聚变快点火、宇宙γ射线爆发、黑洞理论和正负电子对的波色爱因斯坦凝聚.为了提高正电子束的密度和能量,本文使用FPOCH2D程序模拟了超强激光(1024W/cm2)与一种靶背为凹形的稀薄金等离子体靶作用产生正电子的过程,得到能量为20-180MeV,最大密度1.9×1022cm3的正电子束,最大密度比平板靶产生的正电子最大密度高1.5×1021cm-3.结果表明,超强激光将凹形靶背中电子排出,形成电荷分离场,电荷分离场对正电子汇聚,有利于提高正电子束密度.

摘要： 为获得可靠低能正电子致各低、中、高原子序数的原子内壳层电离截面数据,本文在目前仅有几个实验研究工作基础上提出了实验技术的具体改进措施.通过实验技术的改进(即提高X能谱收集效率及准确获取影响电离截面实验结果各关键量)，可获取可靠低能正电子致各种靶原子内壳层电离截面数据。

摘要： 正电子，主要是低能正电子束，在气体中，主要有两方面的研究：一是正电子和气体原子或者分子的散射问题，二是正电子在气体中的湮没问题。文章重点对气体中的正电子散射截面的测量以及气体中的正电子湮没寿命谱的相关研究进行了综述，以期探究正电子在气体中的行为。

摘要： 新型材料的发展是当代科技发展的基础,微观缺陷及其微观结构决定了材料宏观物理特性.这对反应堆结构材料在更加苛刻的环境下服役，尤其是与反应堆同寿命且不可更换的包壳结构材料提出了严峻的考验。正电子湮没技术是研究晶体中各种类型的缺陷构型以及缺陷形成和转化过程的有力工具，针对原子尺度微观缺陷方面，其检测灵敏度可达到(10-7-10-3at%,)。尤其以新型正电子湮没多参数测量技术的实现，正电子湮没方法不仅能够直接反映缺陷的种类及浓度，而且可以研究缺陷内部和缺陷周围元素分布以及电子结构的构型和变化，直观给出缺陷构型以及杂质原子或者添加元素与微观缺陷的相互作用过程。

摘要： 本实验选用FeCu合金作为载体，研究合金中缺陷结构分布及其相互作用机制，分析FeCu合金中缺陷的形成、迁移机制，以及与Cu原子析出过程的相互作用。采用正电子湮没谱学研究FeCu合金中缺陷形成及退火湮没过程，利用符合多普勒技术分析正电子湮没位置的化学环境演变，为进一步研究合金中Cu的析出现象与微观结构的相互作用提供必要的实验结果。

摘要： 随着反物质研究的进展,正电子能量转换受到高度重视,此研究将为未来能源需求提供革命化的解决方案.本文介绍了正电子能量转换的原理、优点和重要应用前景及主要研究领域.

摘要： 本文概述了密度泛函理论的基础内容,给出了在正电子材料研究中,用于材料中正电子体寿命计算的基于密度泛函的两组元湮灭理论,并且概述了其在缺陷研究中的应用.

摘要： 用正电子探测的方法检测Ag离子注入SiO玻璃样品,与基片进行比较.注入样品的缺陷导致了正电子湮灭参数的显著变化.用Nelt程序对湮没数据进行拟合,分析两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数.讨论不同剂量注入损伤缺陷的差别和它们在退火中的行为.结合光学透射率的变化,研究Ag离子注入SiO玻璃形成纳米颗粒的成核和生长过程.

摘要： 本文采用准玻色子传播的有效位势方法计算金属中非零温的总湮没率,所得结果与实验符合得较好这种方法可以类推到其他固体材料.

摘要： 本发明提供一种检测器和具有该检测器的发射成像设备。检测器包括闪烁晶体模块以及光电传感器阵列，闪烁晶体模块包括多个片状闪烁晶体单元，每一所述片状闪烁晶体单元具有通孔，多个片状闪烁晶体单元轴向堆积以形成所述闪烁晶体模块，堆积所形成的所述闪烁晶体模块具有内壁、外壁和贯穿孔，所述贯穿孔用于容纳待成像对象。光电传感器阵列耦合在所述闪烁晶体模块的内壁或/和所述闪烁晶体模块的外壁，用于检测伽玛光子与所述闪烁晶体模块发生反应所产生的可见光子，其中，所述伽玛光子通过在所述待成像对象体内发生的正电子湮灭效应产生。该检测器加工难度低，组装简单，且具备较高的DOI解码精度及位置解码能力。

摘要： 本发明提供一种用于正电子发射成像设备的检测器及正电子发射成像设备。检测器包括闪烁晶体模块以及光电传感器阵列，闪烁晶体模块包括多个筒状闪烁晶体片单元，每一筒状闪烁晶体片单元具有通孔，多个筒状闪烁晶体片单元具有不同的通孔尺寸，多个筒状闪烁晶体片单元沿厚度方向套设，套设所形成的闪烁晶体模块具有上端面、下端面和由上端面贯穿至下端面的贯穿孔，贯穿孔用于容纳待成像对象。光电传感器阵列耦合在闪烁晶体模块的上端面或/和闪烁晶体模块的下端面，用于检测伽玛光子与闪烁晶体模块发生反应所产生的可见光子，其中，伽玛光子通过在待成像对象体内发生的正电子湮灭效应产生。该检测器加工难度低，组装简单，且具备较高的DOI解码精度及位置解码能力。

摘要： 本发明提供一种检测器和具有该检测器的正电子发射成像设备。检测器包括闪烁晶体阵列和光电传感器阵列。闪烁晶体阵列包括第一晶体模块和第二晶体模块，第一晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第一排列方向排列而成，第二晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第二排列方向排列而成，第一排列方向对应立体空间上的x向，第二排列方向对应立体空间上的y向，第一晶体模块与第二晶体模块呈上下正交布置，闪烁晶体阵列的光读出面对应第一晶体模块的上表面或/和第二晶体模块的下表面。光电传感器阵列耦合至闪烁晶体阵列的光读出面。本发明加工难度降低，系统成本下降，能很好地减少边缘效应带来的解码误差。

摘要： 本发明提出一种微型正电子发射成像探测器及微型正电子发射成像设备，包括自上而下交错设置的多个连接罩板以及闪烁晶体块，所述闪烁晶体块外壁自上而下依序套设有第一方形板以及第二方形板，所述连接罩板内壁设有用于卡接第一方形板的定位滑槽，所述定位滑槽内设有卡固锁紧部件，所述卡固锁紧部件底部设有多个光电传感器，所述卡固锁紧部件用于将光电传感器压紧在闪烁晶体块表面，所述连接罩板顶部设有用于固定第二方形板的限位罩板，所述限位罩板内对称设有压力限位部件。本发明是一种便于针对病灶进行快速定位，重点分析的探测器及成像设备。

摘要： 本发明公开了一种弹道修正电子舱、弹道修正电子舱的控制方法及装置。其中，该弹道修正电子舱，包括电子舱体和弹体，还包括：地磁传感器，设置在电子舱体内部，用于测量电子舱体在弹体坐标系上的地磁分量，得到地磁分量信息；惯导传感器，设置在电子舱体内部，用于测量弹体的惯导测量信息，其中，惯导测量信息包括：角运动信息和线运动信息；脉冲点火控制器，与地磁传感器和惯导传感器连接，设置在电子舱体内部，用于基于地磁分量信息和惯导测量信息，控制脉冲发动机对弹体产生作用力矩，其中，作用力矩用于发射电子舱体中的弹体。本发明解决了现有技术中的弹道修正方案难以高效准确的实现弹道修正的技术问题。

摘要： 本申请涉及一种微型正电子发射成像探测器及微型正电子发射成像设备，上述微型正电子发射成像探测器，包括后端电路以及至少一个探测单元。所述探测单元包括晶体阵列和光电转换器阵列板。所述光电转换器阵列板包括柔性板。所述柔性板具有贴合部和延伸部。所述贴合部上设置光电转换器阵列，并与光电转换器阵列电连接。所述延伸部与所述后端电路电连接。本申请中的所述后端电路通过所述延伸部与所述光电转换阵列板进行连接，一方面减少了插接件的使用，进而缩小了晶体间隙。另一方面，由于所述柔性板的使用避免了插接件的插损问题，进而尽可能地避免信号在传输过程中的干扰。

摘要： 本发明涉及一种用于对弱吸收正电子的对象的正电子发射体分布二维成像的方法和设备。根据本发明，所述方法的特征在于，将包含所述正电子发射体的待检查对象定位在磁场中，其中，离开待检查对象的正电子遵循所述磁场的走向并且撞击到正电子吸收器上，所述正电子吸收器同样定位在所述磁场中并且所述正电子吸收器在与所述正电子相互作用的情况下能够实现正电子在所述正电子吸收器上的撞击点的定位。为此，将包含正电子发射体的待检查对象以及正电子吸收器置于磁场中，从而正电子遵循所述磁场的走向并且在一个点上撞击在所述正电子吸收器上。如此获得的关于正电子的撞击点的位置信息被用于成像所述待检查对象中的正电子发射体分布。

摘要： 对正电子发射断层摄影(PET)成像设备(2)的计时校准使用放射源(20)，所述放射源包括发射正电子的放射性同位素，所述发射正电子的放射性同位素具有衰减路径，所述衰减路径包括两条相反指向的511keV伽马射线和处于级联伽马射线能量处的级联伽马射线的发射。使用能量窗口滤波(32)和时间窗口滤波(36)来处理由所述PET成像设备从所述放射源采集的带有时间戳的辐射探测事件数据集以生成符合数据集(40、42、44)，所述符合数据集包括事件对(40)和级联事件对(42)或级联事件三元组(44)，每个事件对包括两个符合的511keV事件，每个级联事件对或级联事件三元组包括至少一个符合的511keV事件和处于所述级联伽马射线能量处的符合的级联事件。

摘要： 本发明提供一种检测器和具有该检测器的正电子发射成像设备。检测器包括闪烁晶体阵列和光电传感器阵列。闪烁晶体阵列包括第一晶体模块和第二晶体模块，第一晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第一排列方向排列而成，第二晶体模块由多个片状晶体沿对应片状晶体的厚度方向的第二排列方向排列而成，第一排列方向对应立体空间上的X向，第二排列方向对应立体空间上的Y向，第一晶体模块与第二晶体模块呈上下正交布置，闪烁晶体阵列的光读出面对应第一晶体模块的上表面或/和第二晶体模块的下表面。光电传感器阵列耦合至闪烁晶体阵列的光读出面。本发明加工难度降低，系统成本下降，能很好地减少边缘效应带来的解码误差。

摘要： 本发明提供一种用于正电子发射成像设备的探测器及正电子发射成像设备。探测器具有上端面和下端面，包括在高度方向上呈上下排列的多层探测器模块，每层探测器模块包括一层闪烁晶体模块和一层由多个光电传感器沿着长度和宽度方向耦合成的光电传感器阵列，闪烁晶体模块为由多个闪烁晶体沿着长度和宽度方向耦合成的闪烁晶体阵列，光电传感器阵列耦合在闪烁晶体模块的下端面，用于检测伽玛光子与所述闪烁晶体模块发生反应所产生的可见光子。上下排列而成的多层探测器模块中每两层闪烁晶体阵列之间设置一层光电传感器阵列，每两层光电传感器阵列之间设置一层闪烁晶体阵列，伽玛光子从上端面入射，且上端面为位于最上层的闪烁晶体模块的上表面。该探测器对γ光子的定位能力强、时间分辨率高、灵敏度高、空间分辨率好。