湿法腐蚀

摘要： 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。

摘要： 本文针对湿法腐蚀二氧化硅薄膜工艺,设计了一种无氧腐蚀清洗腔。同时介绍了湿法腐蚀二氧化硅原理,并重点阐述了无氧环境下的湿法腐蚀二氧化硅工艺过程控制。

摘要： 利用KOH湿法腐蚀法制备SiO2微悬臂梁时,发现腐蚀掩膜边缘与(100)硅片主参考面成45°角的微悬梁结构底部有未完全掏蚀和过完全掏蚀的情况.借助COMSOL Multiphysics仿真软件对微悬臂梁结构从未完全掏蚀到过完全掏蚀的三维模型进行模态分析和静态分析.通过不同的加载形式模拟梁静态工作模式和受残余应力影响下的应力集中情况.结果表明:微悬臂梁的模态频率随着掏蚀过程的进行而减小;梁静态工作模式下,位移随掏蚀过程的进行而增大,体最大Von Mises应力先增大后减小,到完全掏蚀时达到最小值;受残余应力影响下的应力集中情况用K1和K2两种指标体现,结果均与载荷大小无关,与微梁尺寸有关,且K2指标更具规律性.

摘要： 提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减小到0.2个/mm2.分别测试了金、铬和铜薄膜湿法腐蚀的侧蚀,实验表明铜最适合作牺牲层材料.测试了不同厚度铜薄膜的侧蚀速率,实验表明在腐蚀初期,厚度越薄侧蚀速率越快,但侧蚀的不均匀性越严重,当铜薄膜厚度为200 nm时,去除残胶效果最好.

摘要： 制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO2侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法.试验结果表明,光刻胶掩模与SiO2膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定.分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO2侧壁腐蚀形貌的方法.

摘要： 制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果表明,光刻胶掩模与SiO_(2)膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定。分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的方法。

摘要： 在高温薄膜式热流传感器结构中,热阻层台阶的高度是影响热流传感器输出的重要因素.在热阻层的制备工艺中,需要精准控制台阶的高度和整体薄膜的厚度.目前常用的制备方法为溅射-湿法腐蚀和溅射-湿法腐蚀-溅射两种方法.选用电绝缘性高、硬度高、热导率低的SiO2作为热阻层材料,分析了限制热阻层台阶高度的因素,确定了高台阶的高度低于6μm,低台阶的高度高于500 nm.研究了两种热阻层台阶的制备方法的适用条件,分析了两种方法的优缺点,发现溅射-湿法腐蚀仅适用于基底粗糙度较低的薄膜,溅射-湿法腐蚀-溅射的方法不受粗糙度的限制,但需加宽掩膜板以防止侧蚀损坏薄膜.

摘要： 针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征.实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔.

摘要： 针对蓝宝石微结构加工技术中湿法腐蚀后面粗糙度较大的问题,提出优化湿法腐蚀工艺参数,研究湿法腐蚀中腐蚀液浓度、腐蚀液温度及腐蚀时间对蓝宝石腐蚀面面粗糙度及腐蚀速率的影响,选取不同工艺参数进行实验并对腐蚀后蓝宝石片进行测试分析.针对测试结果,优化工艺参数并实验.实验结果显示:优化腐蚀液参数后,腐蚀后面粗糙度由原有的28nm降至24nm,有效降低了腐蚀面面粗糙度,提高了光的提取效率,满足高精度光学压力传感器的制作要求.

摘要： 利用湿法腐蚀的方法，制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形，并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示。柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐，且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表明，图形衬底可以提高晶体质量，柱状图形对晶体质量的提升更为明显。对PSS上外延的GaN-LED进行光致发光(PL)谱测试，柱状图形衬底的法向光强明显高于锥状图形和普通衬底。将LED外延片制备管芯。柱状图形衬底和锥状图形衬底比普通衬底的法向光强分别提高150％和25％o光输出功率测试，分别提高20％和16％。

摘要： 2.5THz是大气传输中损耗较小的一个频点,且处于太赫兹量子级联激光器(THz QCL）主要工作频段的低频区,对系统集成中辅助电路和其他元件的要求更容易满足,因此是开展QCL太赫兹源应用系统原理性研究重要频点,有必要对性能进行针对性研究.2.5THz量子级联激光器研制的难点在于其波长较长,辐射跃迁能差小,载流子对辐射跃迁上能级的选择性注入和对辐射跃迁下能级的选择性抽取困难,且自由载流子吸收和波导损耗较大.本文基于束缚-连续有源区结构，通过分子束外延方法制备了百余周期、千层纳米薄膜的有源区材料，采用湿法腐蚀和半绝缘等离子体波导结构，制备了频率为2.5THz的太赫兹量子级联激光器，单边实测连续波功率大于10mW，连续波最高工作温度达到84K。

摘要： 本论文研究的对象是山东天岳晶体材料有限公司(SICC)采用PVT法生产的高质量4H-SiC单晶，通过腐蚀法对晶片中的不同位错的密度及分布进行了研究。研究结果表明，以1:1的KOH和NaOH熔融液作为腐蚀剂，在460°C下对4H-SiC晶片进行腐蚀，得到了螺位错、刃位错和基平面位错对应的特征腐蚀坑形貌，其中螺位错与刃位错的尺寸比为1.7。计算得到晶片中的总位错密度为1.13×104/cm2，螺位错密度为4.2×102/cm2，刃位错为6.1×103/cmz，基平面位错则为4.8×103/cm2。实验结果表明，目前的晶体生长工艺对于螺位错的控制具有较好的效果，进一步提高单晶质量需要对刃位错和基平面位错密度进行控制。

摘要： 采用磷酸溶液对金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的AlGaN外延层进行腐蚀处理。分别经过10分钟和20分钟的腐蚀后，其腐蚀表面用原子力显微镜(AFM)进行观察。在扫描范围为2×2mm的区域内，未腐蚀外延层表面的RMS值低于1.5A°。腐蚀10分钟后的表面产生了腐蚀坑，其RMS粗糙度为6A°。腐蚀20分钟后可以观察到微米尺度的六角型坑。有时在六角型坑的中心位置能够观察到较深的六角型坑，可以认为这是由衬底的缺陷穿透位错引起的。

摘要： 介绍了采用迭代角谱算法设计衍射微透镜，并利用基于标准微纳工艺的单步光刻和湿法腐蚀制作出试验性衍射微透镜的方法。对其进行表面形貌测试显示，所制衍射微透镜由高度在微米量级的多台阶连续浮雕结构组成，表面粗糙度在纳米量级，达到光学镜面水平，通光孔径在毫米级别。远场激光性能测试显示，所制试验性衍射微透镜，能够将红光激光聚焦为极细小的光斑;激光光束分析仪所得焦平面光强分布数据显示了预期的光斑直径和焦距数值。实验分析结果表明，衍射微透镜的光学性能可以通过改进设计算法及制作工艺得到进一步的提高。

摘要： 介绍了石英振梁加速度计微细加工工艺.对其中的重点、难点进行研究分析。对石英晶片上Cr-Au掩蔽薄膜的沉积工艺,从理论上分析了影响薄膜抗蚀性因素,提出了解决办法。在湿法腐蚀过程中,强调了精确控制腐蚀深度和截面形貌的重要性.并对其带来的影响进行了分析。

摘要： 介绍了采用迭代角谱算法设计高性能红光高清光存储光学头衍射物镜，并利用基于标准微纳工艺的单步光刻和湿法腐蚀制作出原理性衍射物镜的方法。对其进行表面形貌测试显示，所制原理性物镜由预期的高度在亚微米量级的多台阶连续浮雕结构组成，表面粗糙度在纳米量级，达到光学镜面水平，通光孔径在毫米级别。远场光学性能测试显示，所制衍射原理性物镜，能够将红光在预期的焦斑处聚焦为极细小的光斑。实验结果表明，衍射物镜的光学性能可以通过改进算法及制作工艺得到进一步的提高。

摘要： 通过优化算法，并采取标准微纳工艺，制作出红光高清衍射微透镜。在设计过程中，采用了瑞利-索末菲积分变换对传统的G-S算法进行优化，使仿真算法更为精确，提高了物镜的衍射效率。制作过程中，采用单步光刻和两次湿法腐蚀的加工工艺，不仅操作简单，易于控制，而且节约了造价。通过测试所制器件的表面形态和光学性能表明，其台阶结构轮廓完整清晰，表面粗糙度在几十纳米范围内，符合光学镜面要求，并且也达到了所要求的光学性能指标。

摘要： 亚毫米波平面集成天线在亚毫米波频段具有其独特的优势，然而平面集成天线单元的增益较低，本文研究了一种工作于900GHz的新型的亚毫米波集成喇叭天线，用于增强平面集成天线单元的辐射性能。该喇叭天线的加工综合运用MEMS干法刻蚀和湿法腐蚀两种工艺，其结构包括棱锥形喇叭背腔和八角形喇叭前腔两部分组成，在可实现的MEMS工艺下，具有可调参数多的优点。经运用有限元法建模分析，该集成喇叭结构能够很好地改善平面集成天线的辐射性能，并可通过设计参数的综合选择，得到满足应用需求的高性能天线单元。

摘要： 本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺，以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部，晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺，省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程，避免了晶圆在运输过程中的二次污染，提高了工作效率。

摘要： 本发明涉及一种修饰组合物，用于涂覆预先涂覆有耐腐蚀涂层的金属零件，其至少包括烷基苯基硅氧烷类型的粘合剂、玻璃微珠和任选的具有高耐热性的填料颗粒和/或粒状铝，所述组合物具有大于或等于3的触变指数(ITh)。本发明还涉及一种金属零件的耐腐蚀涂层，其耐酸碱，有助于体系的良好耐热性且包含至少两个彼此不同的涂层，第一涂层是包含至少水、粒状金属和粘合剂的底涂层，且第二涂层是根据本发明的修饰组合物。本发明进一步涉及用于施涂根据本发明的耐腐蚀涂层的湿碰湿型方法，以及涂覆有根据本发明的耐腐蚀涂层的金属基底。

摘要： 本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺，以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间；第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部，晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺，省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程，避免了晶圆在运输过程中的二次污染，提高了工作效率。

摘要： 本发明涉及一种修饰组合物，用于涂覆预先涂覆有耐腐蚀涂层的金属零件，其至少包括烷基苯基硅氧烷类型的粘合剂、玻璃微珠和任选的具有高耐热性的填料颗粒和/或粒状铝，所述组合物具有大于或等于3的触变指数(ITh)。本发明还涉及一种金属零件的耐腐蚀涂层，其耐酸碱，有助于体系的良好耐热性且包含至少两个彼此不同的涂层，第一涂层是包含至少水、粒状金属和粘合剂的底涂层，且第二涂层是根据本发明的修饰组合物。本发明进一步涉及用于施涂根据本发明的耐腐蚀涂层的湿碰湿型方法，以及涂覆有根据本发明的耐腐蚀涂层的金属基底。

摘要： 本发明提供浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法。所述浸润液由DRIWEL润湿原液和去离子水组成。本发明的晶圆在湿法腐蚀前的浸润处理适合所有采用正性光刻胶和负性光刻胶的产品晶圆。

摘要： 本发明提供了一种湿法腐蚀装置、湿法腐蚀方法和晶圆芯片，其中，湿法腐蚀装置，包括：壳体支架；旋转组件，设于壳体支架上，旋转组件包括：可旋转的安装盘，安装盘的放置面与铅垂线平行，放置面用于放置待进行湿法腐蚀的晶圆片。通过本发明的技术方案，增加了腐蚀液体的流动性，有效提高了湿法腐蚀工艺的均一性和可靠性。

摘要： 本发明提供浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法。所述浸润液由DRIWEL润湿原液和去离子水组成。本发明的晶圆在湿法腐蚀前的浸润处理适合所有采用正性光刻胶和负性光刻胶的产品晶圆。

摘要： 本发明公开了一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置，其方法包括：A、将表面具有微纳结构的待蚀刻基片置于腐蚀液容器的基座上；B、将腐蚀液注入腐蚀液容器中，腐蚀液液面淹没基片表面；C、通过腐蚀液容器侧面设置对应的进出液口或通过在腐蚀液容器下设置摇床使腐蚀液水平流动，和/或使基座转动；D、在腐蚀液水平流动和/或基座转动的情况下湿法腐蚀基座上的待蚀刻基片表面微纳结构。腐蚀装置包括腐蚀液容器和基座，基座置于腐蚀液容器内，腐蚀液容器两侧设有进/出液口或腐蚀液容器下设有摇床；基座可转动。本发明通过腐蚀液水平流动或/和基座转动，保证腐蚀液的均匀搅拌，使腐蚀均匀性得到了有效的控制，保证了微纳结构的蚀刻效果。

摘要： 本发明涉及的是半导体技术，是一种湿法腐蚀两步法制备超薄硅的腐蚀工艺，可用于减薄具有氧化埋层的硅柔性衬底(SOI)，为大失配外延生长提供了一种可协调失配应变的衬底材料。该腐蚀工艺，(a)对柔性硅衬底片子进行去油处理，去离子水清洗，并经稀释氢氟酸漂洗后，再进行超薄腐蚀加工；(b)先进行酸性腐蚀；(c)再进行碱性腐蚀。本发明解决了对柔性硅衬底的表层硅(Si)腐蚀不均匀的情况，而采用先酸后碱的腐蚀工艺来达到均匀腐蚀的目的。

摘要： 本实用新型实施例涉及半导体制造有关的湿法腐蚀技术领域，具体而言，涉及一种应用于湿法腐蚀机的加液装置及湿法腐蚀机，包括加液槽体、卡设件、第一固定件和第二固定件。其中，卡设件将加液槽体分隔为放置槽和导液槽，并在加液槽体的外周壁分别设置不同长度的第一固定件和第二固定件。在使用上述加液装置时，将加液装置设置于化剂槽的边沿并使导液槽朝向化剂槽，然后将化剂瓶放置于放置槽并通过卡设件对化剂瓶的瓶颈进行固定，通过第一固定件和第二固定件形成的高度差使得化剂瓶内的化剂液通过导液槽平稳地流向化剂槽中。这样，可以避免迸溅的化剂液可能产生的潜在危害和风险。