电性结构

摘要： 地震电信号的“选择性”现象是地电学中非常重要的特征.地电信号的“选择性”现象普遍存在:上海浦东张江台观测不到源自其西南方向三个接地极上千安培入地大电流的附加地电场,而能够观测到其正南方向接地极入地大电流的附加地电场;山东地区邹城台和乳山台无法接收到青州接地极上千安培入地大电流.通过大地电磁测深手段探明了张江台出现该现象的主要原因在于其西南方向信号源至观测台之间地下存在着巨大的高阻体;其正南方向观测台至信号源之间地下以中低阻体和低阻体为主.上述大地电磁测深资料和断层解释为张江地电场台站观测特征的机理进行了很好阐释,解释了地震电信号在大区域范围传播过程中由于大尺度地下电性结构复杂性带来的影响,为深入认识地震电信号“选择性”现象提供了直接的勘探依据.

摘要： 在华北克拉通南缘至华夏地块之间完成了两条大地电磁长剖面,通过二维非线性共轭梯度反演,获得了沿剖面100 km深的电性结构模型.结合研究区地质和地球物理资料,详细分析了研究区地壳及上地幔顶部电性结构特征与地质含义.研究发现:(1)江山—绍兴断裂带深部低阻异常成因可能是受南华纪裂解事件影响以及晚中生代岩石圈伸展作用、深部热物质上涌造成的;(2)华北克拉通南缘大部分地区中下地壳及上地幔顶部表现为低阻异常,可能存在大范围的软弱层或发生局部熔融.长江中下游成矿带壳内高导体可能是由含水流体引起;(3)华夏地块电阻性地壳与晚中生代构造-岩浆活动有着紧密的关系,其上地幔顶部的高阻异常可能与玄武岩浆活动有关.古太平洋板块的西向俯冲是华夏地块晚中生代构造活动的动力学背景.

摘要： 为研究灰家堡金矿田电性结构特征及金矿物探找矿标志,以水银洞金矿床为例,围绕灰家堡背斜及F_(101)断裂,在皂凡山段及纳秧段分别开展MT(Magnetotelluric Method,以下简称MT)、CSAMT(Controlled Source Audio-frequency Magnetotelluric Method,以下简称CSAMT)工作。MT方法主要从区域上对地层、构造等大尺度地质体进行探索,注重大区域、大格局,为基础地质、区域成矿地质背景提供支撑;CSAMT方法主要从矿区、矿床上对地层界线、含矿构造、蚀变体等小尺度地质体进行探索,注重层位、构造、蚀变体等细节,为矿区地质勘探、施工提供支撑,两者互补性比较强。通过物性、MT、CSAMT成果资料综合研究,得出研究区总体呈“高阻—低阻—高阻”三层电性结构特征。根据金矿成矿规律,将F_(1)断裂、F_(101)断裂、F_(105)断裂、SBT、灰家堡背斜及其核部的揉皱构造在剖面上表现的电性特征作为物探找矿标志。经与钻孔资料对比分析,物探找矿标志明显,其反映的褶皱、断裂构造、界面位置与钻孔信息基本吻合,为该区找矿预测提供了物探依据,同时物探标志可间接指导金矿深部找矿。

摘要： 为了对南陵盆地的西边界构造样式进行研究,在繁昌县东北侧布设了一条大地电磁测深剖面(MT2线)。通过连续介质反演法对MT模式的数据进行反演,获得了大地电磁测深剖面一维反演电阻率模型。结合重磁场特征,识别了南陵盆地的西边界地层展布以及深部构造性质,初步分析了南陵盆地边界的构造特征,为南陵地区油气钻探工作的开展提供了深部物探信息。

摘要： 藏南裂谷作为青藏高原最显著的伸展构造样式之一,是研究高原生长过程的重要窗口,但目前其深部成因机制仍存在较大争议。本文利用沿错那-沃卡裂谷中部的大地电磁数据,分析裂谷区域的大地电磁测深曲线特征和相位张量,并通过三维大地电磁反演获得邛多江地堑和沃卡地堑深部电性结构。三维大地电磁反演结果显示,沃卡地堑和邛多江地堑深部存在一条连续的显著高导异常,并呈现“俯冲”形态,且上覆高阻结构体,而在邛多江地堑两侧浅部则分布低阻异常。结合早期的研究结果,本文支持错那-沃卡裂谷深部的高导异常为地壳部分熔融,可能与南向地壳流相关,并研究认为在南北向持续挤压作用下,裂谷下方的弱地壳层,通过解耦上地壳和下部地壳,促进了藏南裂谷系的发育。

摘要： 黑龙江省三合屯金矿床位于嫩江—黑河构造混杂岩带西南端,地表第四系覆盖层较厚且深部地球物理工作程度不足,制约了该地区深部找矿的突破和对成矿模式的认识.本文采用非线性共轭梯度法对横跨该矿床的音频大地电磁长剖面(约8.5km)数据进行二维反演,获得了研究区二维精细电性结构.结果表明:三合屯金矿床地区100m以浅呈现低阻异常特征,反映了该地区浅层为白垩系砂泥岩和第四系风化物;剖面西北侧连续分布的低阻层与下伏高阻异常区分别指示了白垩纪火山岩和石炭纪侵入岩;剖面下方的高低阻转换带揭示了韧性剪切带和断裂等导矿和储矿构造的深部展布特征.结合区域地质资料,本文建立了三合屯金矿床成矿模式:在早—中侏罗世伸展构造背景下,成矿流体沿着断裂、韧性剪切带向上运移,并将晚石炭世侵入岩中的金元素淋滤浸出,促成了研究区第一期成矿;早白垩世研究区再次处于伸展拉分背景下,深部岩浆喷发所携带的金元素随岩浆热液沿着新形成以及重新活化的韧性剪切带和盆缘断裂向三合屯火山盆地边缘运移,后期随着温度的下降逐渐沉淀富集,并叠加在早期形成的矿化之上.

摘要： 在辽东-吉南成矿带布设一条长150 km,横穿龙岗地块和辽吉裂谷的大地电磁测深观测剖面,对龙岗地块和辽吉裂谷深部电性结构进行探测研究。针对研究区内强电磁干扰,对部份测点原始数据采用了Hilbert Huang变换来压制干扰;针对测深曲线具有明显走势特征的测点,应用层状介质电阻率与相位互算技术进行处理,获取了研究区内质量较为可靠的大地电磁数据。二维反演采用非线性共轭梯度法(NLCG),该方法是最光滑模型约束的反演,能实现对最小构造分辨。结合区域地质资料,最终得到剖面的二维电性结构。研究结果表明:龙岗地块太古代基底受逆冲推覆构造及走滑断裂影响,太古代基底顶面呈断块状起伏,基底埋深变化较大,基底埋深一般小于5 km;龙岗地块和辽吉裂谷之间存在一个明显的东南倾的构造界面(辽吉裂谷北缘斜坡),斜坡两侧存在明显的电性差异;辽吉裂谷褶皱构造发育,太古代结晶基底因后期改造而缺失,以辽吉花岗岩为结晶基底,埋深可达10 km以上。

摘要： 为揭示湘东北幕阜山−梅仙两大岩体之间的深部地质结构,深化岩浆构造的控矿作用认识,实现地球物理深地探测技术在伟晶岩型稀有金属矿床找矿中的应用,对经过湘东北幕阜山−梅仙矿集区的电磁测深剖面进行了处理和解释,结合地质信息推演了深部地质构造格局。频率域大地电磁探测数据阻抗张量和相位张量分解分析表明湘东北仁里矿集区在高频区(大于1 Hz)主要呈现二维构造特征;利用Swift分解和相位张量分解结果对剖面所有测点数据进行电性主轴分析,判断出剖面主要构造走向总体上呈北偏西48°~50°;针对TE、TM两个模式利用Occam反演方法分别进行了单独和联合反演,并对幕阜山−梅仙地区深部电性分布进行了地质解释。本文综合研究结果表明,幕阜山−梅仙两大岩体深部存在走向北西−南东、倾向东北的岩浆构造,此构造控制的岩脉穿插到冷家溪群中,形成一系列走向北西向、倾向南西的含稀有金属伟晶岩群。

摘要： 木里—盐源地区地处青藏高原东南缘,属于古特提斯洋构造域,是松潘—甘孜地块及扬子地块的交接地带,是研究青藏高原东南缘构造演化过程的重要区域.本文介绍的是横穿木里—盐源地区的大地电磁剖面,自北西向南东依次跨越锦屏山断裂、木里弧形构造区、丽江—小金河断裂、盐源盆地、金河—箐河断裂等构造.维性分析表明木里弧形构造区和金河—箐河断裂都表现为较强的三维性,因此本文采用大地电磁三维反演技术,获得了木里—盐源地区的精细电性结构.电性模型显示,沿剖面可以划分为4个主要的电性构造单元.锦屏山断裂以北的川西北次级地块下方10~20 km处,发育北西向低阻体,推断是古老的义敦岛弧区残留的物质;锦屏山断裂以南至丽江—小金河断裂为高阻体,可能是锦屏山山根;丽江—小金河断裂下方~10 km处发育北东向的低阻体,与龙门山—锦屏山构造带走向一致,结合剖面附近表现为张性的震源机制解特点,推测该低阻体很可能是北部的塑性物质受阻后一部分往西南沿着丽江—小金河断裂缝隙挤入的结果;盐源盆地下方在3~7 km发育厚度约5 km、长度达40 km的低阻层,电性主轴方向为北西向,与盐源断裂走向一致,解释为盐岩层,尤其是南段低阻体表现为延伸至地表的特征,与地表盐泉对应,为在盐源地区开展深部找钾盐矿提供了电磁方面的证据.

摘要： 宣城—郎溪地区为皖南找矿的重要潜力区之一。为了摸清宣郎盆地化工矿产资源及其空间分布情况,利用大地电磁测深法获取宣郎盆地的电性特征;同时结合区内已有的地质物探资料,从空间上确定宣郎盆地电性结构和地质结构特征,进一步圈定成矿有利部位。研究成果为后续工作提供有利依据。

摘要： 高黎贡山斜向碰撞造山带地处印度板块与欧亚板块碰撞缝合带附近的横断山脉南段,是腾冲地块和保山地块的接触带,同时是我国三江地区晚燕山期—喜山期最重要的斜向碰撞造山带之一.因此,不少学者对该区进行了地质、地球化学和地球物理研究,在深部地球物理特别是电性结构研究方面取得了不少研究成果.但是,对高黎贡山斜向碰撞造山带及邻区深部电性结构样式的认识还不够十分清楚,为此实施了盈江芒章—镇康流水(L3)和腾冲马站—昌宁更戛(L4)两条大地电磁测深剖面.本文对实测大地电磁数据进行了资料处理和反演解释,并结合地质构造和相关地球物理资料(孙洁等,1989;赵国泽等,2008;Bai et al,2010;金胜,2010;Deng et al,2014;Yu et al,2017),初步建立起高黎贡山斜向碰撞造山带及邻区深部电性结构模型.

摘要： 结合相位张量与阻抗张量分解两种方法对研究区域进行维性分析，表明该区域数据的局部三维性较强。因此，本研究进一步通过三维NLCG反演获取了研究区内岩石圈三维导电性结构模型。通过对岩石圈二维及三维电性结构模型进行综合对比，并结合研究区内其它的地质与地球物理资料，得出了以下几点主要结论:青藏高原东北缘各地块电性结构具有明显的差异，二维及三维反演模型都体现出一致的分块特征;二维与三维反演模型共同揭示出西秦岭造山带中下地壳存在着较大规模的高导层，厚度几到十几千米，电阻率值几到三十几欧米，可能指示了物质逃逸的通道;三维反演模型中，深部的高导体与二维反演模型相比规模普遍更小，电阻率值略高，其原因主要是由于三维反演可以通过将这些深部的高导体置于剖面旁侧来拟合数据;为了避免三维反演模型在区域构造走向方向上的变化过于剧烈，可以通过在不同方向上使用不同大小的光滑因子来调节。

摘要： 本文用ModEM电磁反演程序对霍山地区由84个MT测点组成的大地电磁阵列数据进行三维反演，计算中使用了负对角的视电阻率与相位，用了所有46个频点的数据。之后对结果进行了两次印模迭代重构反演，以此来降低初始模型对反演结果的影响，增加反演结果的可靠性。最终的均方根误差RMS为2.97。三维电性结构模型显示:该区域南北电性差异明显。

摘要： 化隆盆地为我国西北地区典型的中新生代盆地,位于青海省境内,普遍发育白垩系红层,是寻找砂岩型铀矿的有利层位(潘保田等,1996).研究区铀矿化产在下白垩统下部砂砾岩层中,主要受层位控制,矿化好的地段处于氧化-还原界面上,即红色层与浅色(灰绿)层的界面上.本次研究应用可控源音频大地电磁测量(CSAMT)方法,获得化隆盆地东缘电性结构特征,大致查明下白垩统发育状况,分析铀成矿有利沉积相带分布范围,为下一步砂岩型铀资源调查评价钻探部署提供依据.

摘要： 祁连山哈拉湖坳陷与已发现天然气水合物的祁连山木里地区有相似的成藏条件,是高原冻土区水合物勘查的重点区域.为了调查祁连山哈拉湖坳陷的天然气水合物资源前景,查明与天然气水合物成藏条件相关的冻土层、断裂及地球化学异常特征分布,利用音频大地电磁测深和地球化学在哈拉湖地区进行了调查.从电性结构特征测区内划分了3个凹陷区、2个凸起区和26条断裂.结合测区内构造条件、冻土条件及顶空气甲烷异常区,指出哈拉湖南部和北部靠近断裂附近对天然气水合物成藏较有利.

摘要： 二连盆地位于内蒙古中部,经过多年的研究及勘探说明了其在砂岩型铀矿勘查方面具有良好的前景.腾格尔坳陷位于乌兰察布和马尼特坳陷东南部,但迄今为止,其铀矿勘查并未取得新的突破,尤其是南缘次级凹陷—扎克斯台凹陷开展相关深部研究工作甚少.本文主要通过对2条电法测量剖面进行处理和解释，了解凹陷深部电性结构特征。

摘要： 马路沟断裂是龙首山成矿带的一条重要的控矿构造,对成矿起主导作用,沿该断裂的走向一带,分布有大量的碱交代型铀矿化点、带.高岭子井地区的目前研究工作主要集中于地表,而对于马路沟断裂产状、深部延伸情况,以及断裂上下盘的地电结构特征还存在认识上的明显不足,难以指导现阶段的深部铀矿找矿工作.应用音频大地电磁测量,获取了M03线的电性结构剖面,结合区内地质资料及岩石电阻率特征,基本厘清了该地区马路沟断裂上下盘的地电结构特征,推断了该断裂的位置、产状以及深部延伸情况等信息,为区内铀资源评价提供了基础资料.

摘要： 塔里木盆地位于我国的西北部,是我国最大的内陆盆地,富含石油、天然气和矿产等资源.为了研究塔里木盆地的深层电性结构,在覆盖全盆地的756个大地电磁数据的基础上,经过三维反演后得到了全盆地的三维电阻率模型.

摘要： 祁连山作为青藏高原的东北边界,是研究青藏高原隆升和扩展的重要区域,其岩石圈结构与深部构造关系记录了青藏高原东北缘板块碰撞的深部过程以及高原东北向发展演化的深部信息,其中祁连山东段部分构造作用尤为显著,现今地壳运动场表明该区目前正在经历着持续,剧烈的侧向逃逸和南北向地壳缩短(图1b),是潜在的强震危险区.在古浪地震大地电磁探测剖面(詹艳等,2008)的基础上将剖面向西南和北东方向分别延伸,获得了一条长约650km,横穿祁连山东段尾端的大地电磁剖面,通过将电性结果结合新生代构造变形的年代框架、变形模式和演化过程等,得知青藏高原正在逐渐向北东扩展，此断裂为高角度逆冲为主兼具左旋走滑特性的逆冲走滑断裂带，受控于青藏高原北东向拓展和阿拉善地块南西向阻挡作用，祁连山构造带东段形成了一个由南向北扩展发育的“花状”构造，拉脊山构造区即是一个受青藏高原北东向拓展挤压出来且现今仍在活动的构造窗，又是一个反映地震活动的敏感部位的地震窗。

摘要： 磁暴发生时产生的地磁感应电流(Geomagnetically induced currents,缩写为"GIC")导致输电线路的超载、油气管道的腐蚀、电报电话等通讯质量的下降或中断等现象(马晓冰等,2005),GIC的大小与电磁场源和地下电性结构有关.王泽忠等(2014)的研究表明,在同一磁暴条件下,介质电阻率越大,感应地电场越大而感应大地电流越小.在中国东北地区(N>42°,E>120°)，共有14个地电场以及10个地磁场台站，大多数为分钟采样且连续观测。2015年3月16日6:20UT-18日，全球范围内爆发了DST<-200nT的特大磁暴，在上述区域内的观测站收到非常强烈的扰动信号。本文基于对此次磁暴的电磁场观测数据，通过平面波模型计算感应大地电流矢量，再根据前人(赵国泽等，2001,等)大地电磁结果并结合大地构造给出深部电导率模型，分析不同深度电流矢量的方向性，该结果可能进一步反馈于己知场源讨论深部电性结构的应用。

摘要： 本发明公开一种电性连接垫结构及包含有多个电性连接垫结构的集成电路。其中设置于该集成电路上的电性连接垫结构包含有一连接垫、一绝缘层以及一金凸块，其中该连接垫设置于该集成电路上；该绝缘层设置于该连接垫上方，其中该绝缘层仅具有一开口部，且该开口部的形状包含有至少一条状弯折处；该金凸块设置于该绝缘层上方，其中该金凸块可以通过该绝缘层的该开口部与该连接垫电连接。

摘要： 本申请公开了一种电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法，该测试结构包括：测试线，测试线为集成电路中的互连线；第一通孔，第一通孔的第一端和测试线的第一端连接；第一引线，第一引线与第一通孔的第二端以及第一电流线连接，第一引线和第一通孔的第二端的连接位置和至少一对电压感测线连接；第二通孔，第二通孔的第一端和测试线的第二端连接；第二引线，第二引线与第二通孔的第二端以及第二电流线连接，第二引线和第二通孔的第二端的连接位置和至少一根电压感测线连接。本申请通过在通孔附近连接至少一对电压感测线，能够增加捕捉到测试线电阻变化的几率，提高了电迁移可靠性测试的精确度；同时，当通孔附近设置有一对以上的电压感测线时，能够进一步增加捕捉到测试线电阻变化的几率。

摘要： 本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统，涉及半导体技术领域。该分析方法包括：根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，导电结构由多个线形前序图形结构形成，各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；获取任一前序图形结构的图案化参数；根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值；根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。

摘要： 本发明提供一种助焊剂组成物，电性连接结构的形成方法，电性连接结构以及半导体装置。助焊剂组成物的特征在于：含有糖醇(A)、以及具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物(B)。

摘要： 本发明公开一种电性连接垫结构及包含有多个电性连接垫结构的集成电路。其中设置于该集成电路上的电性连接垫结构包含有一连接垫、一绝缘层以及一金凸块，其中该连接垫设置于该集成电路上；该绝缘层设置于该连接垫上方，其中该绝缘层仅具有一开口部，且该开口部的形状包含有至少一条状弯折处；该金凸块设置于该绝缘层上方，其中该金凸块可以通过该绝缘层的该开口部与该连接垫电连接。

摘要： 本发明涉及一种电性测试结构及电性测试方法。所述电性测试结构包括：多个待测组件，每个所述待测组件包括一待测结构、以及与所述待测结构电连接的保护结构；多个焊垫，每一所述待测组件连接两个所述焊垫，且每一所述焊垫能够同时连接两个所述待测组件，每一所述待测组件内的所述保护结构用于控制所述待测结构与所述焊垫之间是否导通。本发明能够有效节省焊垫的数量，同时提高了待测组件自身的抗干扰性，降低了待测结构之间的干扰。

摘要： 本公开提供一种导电结构电性参数分析方法、导电结构电性缺陷分析方法及导电结构电性参数分析系统，涉及半导体技术领域。该分析方法包括：根据预设的图形化工艺步骤形成间隔排布的线形导电结构，导电结构由多个线形前序图形结构形成，各前序图形结构分别对应不同的图形化工艺；获取任一前序图形结构的图案化参数；根据图案化参数计算导电结构的电阻变化值及电容变化值；根据电阻变化值和电容变化值计算前序图形结构的图案化参数对导电结构的导电速率变化值。本公开的分析方法可为后续进行工艺改进提供数据支持。

摘要： 本申请公开了一种电迁移可靠性测试结构及电迁移可靠性测试方法，该测试结构包括：测试线，测试线为集成电路中的互连线；第一通孔，第一通孔的第一端和测试线的第一端连接；第一引线，第一引线与第一通孔的第二端以及第一电流线连接，第一引线和第一通孔的第二端的连接位置和至少一对电压感测线连接；第二通孔，第二通孔的第一端和测试线的第二端连接；第二引线，第二引线与第二通孔的第二端以及第二电流线连接，第二引线和第二通孔的第二端的连接位置和至少一根电压感测线连接。本申请通过在通孔附近连接至少一对电压感测线，能够增加捕捉到测试线电阻变化的几率，提高了电迁移可靠性测试的精确度；同时，当通孔附近设置有一对以上的电压感测线时，能够进一步增加捕捉到测试线电阻变化的几率。

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性测试结构及其制备方法、电性测试工艺，可应用于在层间介质层及后段制程之前，对栅氧化层进行的电性测试工艺，即通过在形成有栅极的电性测试结构上，设置分别与栅氧化层及衬底连接的微型垫，在大大降低量测工艺难度的同时，还能在不用对晶圆衬底进行破坏的前提下，实现对NMOS器件及PMOS器件的栅氧化层的电性测试，以在有效的避免对测试样品造成的损伤同时，大大提高测试效率，有效降低工艺成本。

摘要： 精密半导体装置的管芯区域(210)内可设置测试结构或者暂时作为测试结构的电路元件，同时为了避免过度消耗昂贵的管芯面积，探针垫片(241A、241B)可位在框架(230)中。可通过包含经埋藏部分(245A、246A)的导电路径(245、246)建立该测试结构与该探针垫片(241A、241B)之间的电性连接，该电性连接在管芯密封(220)的下方自该管芯区域(210)延伸进入该框架，藉此维持该管芯密封(220)的电性与力学特性。