等离子体隐身

摘要： 气体放电产生的等离子体是集成电路制备不可或缺的关键技术,利用等离子体中活性粒子赋予的独特的物理和化学特性,可为超大规模集成电路制备提供具有定向性、选择性和纳米级精细性的绿色先进加工技术,大规模应用于其沉积、刻蚀、封装、清洗等工艺制程.在材料表面改性、新材料制备、生物灭菌消毒、等离子体隐身、医疗器具及人造器官的清洗、臭氧生成、新型光源、废弃物处理等领域也具有极其重要的应用前景,其低温加工的特性使其成为柔性可穿戴智能材料和器件最合适的加工技术之一.

摘要： 电感耦合等离子体具有电子密度高、放电面积大、工作气压宽、结构简单等特点,在等离子体隐身领域具有突出的潜在优势.相对于开放式等离子体,闭式等离子体更适应于飞行器表面空气流速高、气压变化大的特殊环境.研究着眼于飞行器关键部件的局部隐身应用,设计了一种镶嵌于不锈钢壁中的圆柱形石英腔体结构,利用电感耦合放电的方式在腔体中产生均匀的平板状等离子体.由于增加了接地金属,降低了腔体内的钳制电位,同之前的纯石英腔体相比,该结构显著改善了等离子体的均匀性.研究了该闭式腔体内氩气电感耦合等离子体(IC P)的放电特性和发射光谱,实验中放电功率达到150 W时,可以明显观察到IC P的E-H模式转换,此时发射光谱和电子密度都呈现阶跃式增长.氩气发射光谱强度随放电功率升高显著增加,但是不同谱线强度增加幅度并不一致,分析认为是受不同的跃迁概率和激发能的影响.根据等离子体的发射光谱,利用玻尔兹曼斜率法对电子激发温度进行诊断,得到电子激发温度在2000 K以上,并且随功率升高而降低,因为功率增大使电子热运动增强,粒子间的碰撞加剧,碰撞导致的能量消耗也更大.电子激发温度沿腔体径向呈近似均匀分布,分布趋势受功率影响不大.针对利用发射光谱诊断电子密度误差较大、计算繁琐的问题,引入Voigt卷积函数,经过拟合滤除多余展宽项的影响,得到准确的Stark展宽半高宽.最终利用发射光谱Stark展宽法计算了电子密度,腔体中心处的峰值密度可以达到7.5×1017 m-3.随着放电功率增大,线圈中容性分量降低,耦合效率增大,电子密度随之增大,但空间分布趋势基本不受功率影响.

摘要： 目前国内外一些热点研究方向,如再入/临近空间高超声速飞行器电磁散射特性、通信中断、气动隐身一体化、等离子体隐身、等离子体流动控制和电磁推进研究,既涉及到空气动力学又涉及到电磁学,形成气动电磁学这一交叉领域.本文从概念定义、典型应用领域、主要机理问题、试验设备和测量仪器等方面对气动电磁学进行了探讨.建议在基础理论、数值模拟、试验设备与测试技术等方面加大气动电磁学研究力度,促进气动电磁学在航空航天领域的应用.

摘要： 随着现代先进探测技术的不断发展,对隐身技术的要求不断提高.传统的雷达吸波材料隐身技术在6 GHz以上微波频段内有较好的隐身效果,而等离子体隐身技术在低频(6 GHz以下)更易于实现.基于此,文中采用雷达吸波材料和等离子体技术复合,利用同轴网格辉光放电产生等离子体与雷达吸波材料相结合,并进行了隐身性能测试.测试结果表明,复合隐身效果优于单一隐身技术的隐身效果,且通过调节等离子体的放电功率等参数,易于实现隐身效果的控制.本文的研究工作可以为等离子体和雷达吸波材料复合隐身技术相关研究提供一定参考.

摘要： In order to research the effect and value of closed plasma tube on electromagnetic stealth,the relationship be-tween attenuation of electromagnetic wave and temperature,density and thickness of plasma in the glass tube was analyzed systematically by using the WKB method,a quasi classic numerical analysis method in electromagnetic field,and MATLAB tool.The results show that the parameters of tubular-plasma makes more obvious effects on stealth performance compared with the traditional opening plasma generator and has the better performance when the thickness and density of plasma are studded with tradeoffs.At the same time,great emphasis were put on the effects of incident angle and finding that the inci-dent electromagnetic wave with a large angle in a certain range of wavelengths has a steady attenuation and good stealth per-formance.Meanwhile,an optimal angle with the best stealth performance exists when changing the incident angle.%为深入探究封闭式等离子体管在电磁隐身方面的作用和价值，利用数学仿真工具 MATLAB 依据电磁学领域内的准经典方法-WKB（wenzel，kramers，brillouin）法进行数值分析和模拟，系统研究了电磁波垂直入射封闭式等离子体管时，电磁波衰减系数与管内等离子体温度、等离子体密度、等离子体层厚度的关系。结果表明，与传统的开放式等离子体发生器相比，封闭式等离子体发生器参数对等离子体隐身性能有更加显著的作用，存在等离子体层厚度与密度的最佳组合使得电磁衰减达到最优。同时，着重探讨了电磁波入射角度对等离子体隐身性能的影响，发现大角度入射的电磁波在一定的波段范围内，其衰减系数基本维持不变并且有较好的电磁吸收性能，同时存在最优入射角使得电磁衰减达到最大。

摘要： The ICP in closed quartz chamber is an effective solution to local stealth of aircraft .The attenuation of the electromag‐netic wave is strongly affected by distribution of electron density in incidence direction .In this paper ,an experiment that the pla‐nar ICP discharged in all‐quartz chamber (30.8 cm × 30.8 cm × 5.8 cm) was conducted .The E‐H mode transition of Ar/Air ICP was observed ,and the width and the proportion of ICP area versus the RF power were measured .Such physical phenomena were explained rationally by ICP‐source theoretical model .A new microwave diagnostics is presented based on the Hβspectrum broad‐ening and the characteristics of planar‐coil ICP .It is used to diagnose the spatial electron density distribution of Ar/Air in inci‐dence direction .The parameters of electron density distribution function in the incident direction are separately solved by the fit‐ting results of the Hβstack broadening and microwave interferometer .And the curves of electron density distribution versus RF power are obtained .We obtain a stable ring plasma source with electron density varying from 0.5 × 1011 ~3.2 × 1011 cm -3 .The experiment demonstrates that electron density is prominently affected by the RF power and gas species .The peak value of electron density is positioned near the center of ICP .It is shown that the electron density of Ar ICP is higher than the air ,but the area of air ICP is larger through comparing the curves of Ar/Air electron density .%闭式腔体IC P是解决飞行器等离子体局部隐身的可行方案，其电子密度N e在电磁波入射方向上的分布是影响其电磁波衰减效果的关键因素。对此，开展了在30.8 cm ×30.8 cm ×5.8 cm石英腔体内的IC P放电实验，通过实验研究了空气／氩气IC P的 E‐H模式跳变的物理现象，通过测量得到了空气／氩气环状IC P的宽度和覆盖面积比例随电源功率变化的规律，并给出了上述实验现象的理论解释。为了得到平面型IC P的电子密度在微波入射方向的分布，提出基于 Hβ光谱展宽的微波干涉分布诊断法，分别对平面真空腔室内空气／氩气ICP的电子密度在电磁波入射方向上的分布进行了诊断，通过 Hβ（486.13 nm） Stark展宽拟合和微波干涉过程分别获取电子密度分布函数的两项参数，得到了电子密度分布随放电功率变化的曲线。实验可得到电子密度范围为0.5×1011～3.2×1011 cm －3的环状ICP源，实验结果表明，ICP的电子密度受气体种类，射频功率影响较大，峰值电子密度接近IC P的中心位置，通过比较发现，氩气的电子密度较高，有效拟合区域较窄，空气的有效拟合区域较宽，覆盖面积较大。

摘要： 设计了一种闭式等离子体发生装置,采用射频电感耦合方式,以氩气为工作气体,在封闭式腔体低气压环境下进行放电实验.利用发射光谱法,测量了密闭腔体侧面方向的Ar谱线数据,研究了等离子体电子激发温度和电子密度随空间位置的分布规律以及不同射频功率对电子激发温度和电子密度的影响.等离子体中电子激发温度的变化通过玻尔兹曼斜率法进行分析,电子密度的变化则通过分析Ar原子750.4 nm谱线强度变化获得.实验结果表明,该发生装置能够产生均匀持续的等离子体层,等离子体中电子激发温度约为9 500 K.等离子体电子密度和电子激发温度随着输入射频功率的增加而增大,但变化幅度在减弱;当足够的输入功率时,等离子体层参数随位置的变化幅度较小.

摘要： In the present paper ,the spectrum analytic method was used to comparatively study the ICP electron density distribu-tion through two typical ICP sources (spiral-type and planar-type) in closed quartz chamber .The E-H mode transition of induc-tively coupled plasma and power coupling efficiency were researched through the change in the relative intensity of argon ion spectral line (476.45 nm) .Electron density distribution on the antennas-vertical plane of different ICP source was calculated through non-hydrogen-like Stark broadening of spectral line method .The test results show that the ICP electronic density distri-bution in H-mode discharge is significantly impacted by skin current of alternating magnetic field .The skin depth decreases with the increase in discharge power .Meanwhile ,the bulk of the main plasma narrows and electron density increases .On the vertical plane of the antenna ,electron density distribution presents center-symmetry by spiral-ICP source and bimodal by planar-ICP source .The power coupling efficiency is directly affected by source antenna shape and capacitive coupling effect .The relative in-tensity of the argon spectrum shows that the power coupling efficiency of spiral-type source is lower than that of planar-type source .The proposed experimental method provides a way to obtain a plasma source in closed quartz cube chamber with the highest electron density ranging from 1.4 × 1017 to 2.5 × 1017 m -3 (spiral-ICP source) and 1.8 × 1017 to 3.0 × 1017 m -3 (planar-ICP source) .%IC P反应室或IC P质谱仪不同，IC P在用于衰减微波时，其腔体采用全密封石英结构，同时缺少静电屏蔽、金属衬底和磁场约束等条件，研究其内部电子密度等参数的分布对于等离子体局部隐身技术具有重要意义。利用光谱分析法，对两种典型IC P源（螺旋型和盘香型）在密闭石英立方体腔内 H模式下稳定放电的电子密度分布展开了对比试验研究。使用A r离子谱中476.45 nm谱线相对光谱强度变化研究了不同型ICP源的E—H模式跳变和功率耦合效率，通过非H谱线（Ar）的Stark展宽法，诊断了两种源的天线垂直平面上的二维电子密度分布。实验发现IC P在 H模下的电子密度分布受交变磁场产生的趋肤电流影响较大，趋肤深度随着放电功率的增大而减小，同时主等离子体区域体积缩小、电子密度增加，在天线的垂直面上，螺旋型源IC P电子密度呈中心轴对称型分布，盘香型源IC P呈双峰型分布。功率耦合效率受源天线形状及其容性耦合效应影响较大，光谱相对强度显示螺旋型源的功率耦合效率低于盘香型源。通过该实验方法，可以在石英立方腔体内得到最高电子密度范围为1.4×1017～2.5×1017 m －3的螺旋型ICP源和范围1.8×1017～3.0×1017 m－3的盘香型IC P源。

摘要： Plasma stealth technology has many unique advantages, hence it has a promising application in the aviation and aerospace fields. The attenuation characteristics of vertical incidence of electromagnetic waves into unmagnetized plas-mas with metal underlay are studied theoretically and experimentally in this paper. Regulations for the change of electromagnetic wave attenuation with plasma parameters are analyzed in theory using WKB method. A-large-area plasma slab is generated stably by inductively coupled discharge, and the reflectivity arch test system of plasma slab is set up. While the attenuation effects of electromagnetic wave in unmagnetized plasmas are studied experimentally. The electron density of plasma generated at different discharge powers is obtained by using the microwave phase and plasma spectrum diagnostic technique, ranging from 8.17×109 to 7.61×1010 cm−3. The plasma generated by inductively coupled plasma (ICP) has an effect on the attenuation of electromagnetic waves, and the experimental results accord well with the theoretical ones. Results show that increasing the plasma electron density and covering homogeneity can contribute to improving the attenuation effect of plasma on electromagnetic waves.%针对等离子体隐身技术在航空航天领域的良好应用前景，开展垂直入射到具有金属衬底的非磁化等离子体中电磁波衰减特性的理论与实验研究.利用WKB方法对电磁波衰减随等离子体参数的变化规律进行了理论分析.利用射频电感耦合放电方式产生稳定的大面积等离子体层，搭建了等离子体反射率弓形测试系统，进行了电磁波在非磁化等离子体中衰减效应的实验研究.利用微波相位法和光谱诊断法，得到不同放电功率下的等离子体电子密度，其范围为8.17×109—7.61×1010 cm−3.本实验获得的等离子体可以使2.7 GHz和10.1 GHz电磁波分别得到一定的衰减，且电磁波衰减的理论与实验结果符合较好.结果表明，提高等离子体电子密度和覆盖均匀性有利于增强等离子体对电磁波的衰减效果.

摘要： With the warship stealth technology playing more and more important roles in information warfare ,designing and building warships with strong stealth capability is becoming the main developing direction for the navy .This paper main‐ly analyzes the technique properties of several warship stealth technologies such as electric field stealth and plasma stealth firstly ,then summarizes the latest research achievements and development trends of foreign warship stealth technology .Fi‐nally ,this paper investigates some approaches and methods of achieving “invisibility” of radar stealth ,infrared stealth ,a‐coustic stealth and electric field stealth and so on .%随着舰船隐身技术在信息化战争中发挥着越来越重要的作用，设计和建造隐身性能好的舰船已经成为当前海军追求的一个发展方向。文中主要分析了诸如电场隐身、等离子体隐身等舰船隐身技术的特点，总结了国外舰船隐身技术的最新研究成果和发展趋势，并分别从雷达、红外、声、电场隐身等几个方面，探讨了舰船总体设计时实现“隐身”的一些具体实现途径和方法。

摘要： 本文主要叙述了在航空领域中运用的等离子体,介绍了三种重要的机载等离子体发生器,讨论了等离子体在飞机减阻与隐身方面的应用,简要分析了将等离子体应用于改善飞机性能所急需解决的问题,说明等离子体技术在改善飞机性能应用上是可行的,应引起国内研究者的高度重视.

摘要： 本文主要叙述了在航空领域中运用的等离子体,介绍了三种重要的机载等离子体发生器,讨论了等离子体在飞机减阻与隐身方面的应用,简要分析了将等离子体应用于改善飞机性能所急需解决的问题,说明等离子体技术在改善飞机性能应用上是可行的,应引起国内研究者的高度重视.

摘要： 本文主要叙述了在航空领域中运用的等离子体,介绍了三种重要的机载等离子体发生器,讨论了等离子体在飞机减阻与隐身方面的应用,简要分析了将等离子体应用于改善飞机性能所急需解决的问题,说明等离子体技术在改善飞机性能应用上是可行的,应引起国内研究者的高度重视.

摘要： 随着高技术条件局部战争中隐形飞机的频频亮相,隐身技术已不再显得神秘,现在,隐身技术已成为世界各国竞相争夺的一张军事高科技"王牌".本文在概略介绍隐身技术的基础上,较为详尽的介绍了隐身技术在现代武装直升机上的应用以及隐身技术的发展方向.

摘要： 随着高技术条件局部战争中隐形飞机的频频亮相,隐身技术已不再显得神秘,现在,隐身技术已成为世界各国竞相争夺的一张军事高科技"王牌".本文在概略介绍隐身技术的基础上,较为详尽的介绍了隐身技术在现代武装直升机上的应用以及隐身技术的发展方向.

摘要： 随着高技术条件局部战争中隐形飞机的频频亮相,隐身技术已不再显得神秘,现在,隐身技术已成为世界各国竞相争夺的一张军事高科技"王牌".本文在概略介绍隐身技术的基础上,较为详尽的介绍了隐身技术在现代武装直升机上的应用以及隐身技术的发展方向.

摘要： 随着高技术条件局部战争中隐形飞机的频频亮相,隐身技术已不再显得神秘,现在,隐身技术已成为世界各国竞相争夺的一张军事高科技"王牌".本文在概略介绍隐身技术的基础上,较为详尽的介绍了隐身技术在现代武装直升机上的应用以及隐身技术的发展方向.

摘要： 该文简要阐述了隐身技术的涵义,详述其国外的发展概况以及隐身技术在历次局部战争中的应用,最后指出隐身技术的影响.

摘要： 该文简要阐述了隐身技术的涵义,详述其国外的发展概况以及隐身技术在历次局部战争中的应用,最后指出隐身技术的影响.

摘要： 该文简要阐述了隐身技术的涵义,详述其国外的发展概况以及隐身技术在历次局部战争中的应用,最后指出隐身技术的影响.

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。