纳米薄膜

摘要： 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司(以下简称“菲沃泰”)的上市首发申请于2022年3月18日获科创板上市委员会审议通过,将择日正式上市。菲沃泰主要从事高性能、多功能纳米薄膜的研发和制备,公司基于复杂应用场景的需求为电子消费品整机及零部件提供具备防水、防油、防腐蚀、防硫、耐盐雾等功能的纳米薄膜产品及配套的镀膜服务,同时根据客户需求销售纳米镀膜设备。本次IPO拟募集资金16.64亿元,用于总部园区项目、深圳产业园区建设项目及补充流动资金。

摘要： 0引言纳米(10~9 m)是生活中最常听到却无法具体感知的长度单位,毕竟一根头发均匀等剖成50000根以后的厚度大约为1nm;但在构成世界的原子中,1纳米又是数个原子直径的倍数。纳米材料是指在三维空间内至少有一个维度处于纳米尺寸(1-100 nm)的粒子。具体按照维数划分,纳米材料可分为零维纳米结构(空间中的三维均在纳米尺度范围内,如量子点、纳米晶)、一维纳米结构(空间中的二维均在纳米尺度范围内,例如纳米线、纳米棒等)、二维纳米结构(空间中有一维在纳米尺度范围内,如纳米薄膜、纳米片等)。

摘要： 本文利用磁控溅射技术成功制备出了WTe2薄膜及Ag/WTe2复合薄膜。并表征了两种薄膜的形貌特点及元素组成。紫外可见吸收光谱表明,Ag/WTe2复合薄膜的吸收发生蓝移。拉曼光谱的特征峰证实了WTe2薄膜的成功制备。在532 nm波长处,激发功率为1 μj的开孔Z扫描测试中发现,两种薄膜的非线性吸收特性均表现出饱和吸收特性。计算结果表明相比于WTe2薄膜,Ag/WTe2复合薄膜的非线性吸收系数有了明显的增强,这是由于Ag纳米颗粒的等离激元效应,表明Ag纳米薄膜可以更好地提高复合薄膜非线性吸收特性。

摘要： 以钨酸钠、硫脲、草酸为原料,采用水热法制备出由纳米薄膜组装而成的WS2纳米花(WS2NF).反应过程中,硫脲的包覆作用和草酸的偶联作用,协同控制WS2的增长,最终形成花瓣状结构.所制备的WS2NF具有形变能力强、机械能捕获面积大、传质效率高和活性位点丰富的优点,有效提高了WS2材料的压电催化性能,在5 min内可将难降解有机染料完全降解,且该材料多次重复使用后依然保持高活性.

摘要： 本文主要是开展对管状件内壁(如碳钢、聚酯PET瓶、塑料针筒等)采用微波表面波等离子体沉积薄膜的均匀性的研究.论文从沉积薄膜的工艺参数到微波耦合天线的设计对所沉积的纳米DLC薄膜均匀性的影响因素方面进行了探索,通过测量沿天线方向不同位置薄膜的沉积速率得到:影响微波等离子体沉积薄膜均匀性的因素主要是表面波强度的大小,Penning放电只能改善区域性薄膜沉积,不能在整个天线范围增强放电、不能制备均匀的纳米薄膜.

摘要： 光催化燃料电池利用太阳能在高效去除水中污染物的同时将其中的化学能转化为电能,达到回收能源的目的且不会产生二次污染.目前,光催化燃料电池在水环境处理及绿色能源开发中的应用十分广泛,但光阳极材料的选择与制备仍是制约其大规模应用的关键难题.TiO2作为目前最热门的n型半导体材料,因其光催化活性高、成本低、热稳定性好等优点受到了广泛关注.TiO2纳米管阵列、TiO2薄膜材料比表面积大,活性位点多,容易与其他单质和化合物复合,在光催化燃料电池中有广阔的应用前景.国内外学者已经研究了许多有效的策略来提高TiO2的光催化性能,如贵金属沉积、金属与非金属元素掺杂等.本文介绍了TiO2纳米管阵列、TiO2薄膜光阳极材料的制备及改性,简述了其降解污染物的效率和产电性能,总结了结构、组成等因素对光催化燃料电池性能的影响,以期为制备性能良好的光催化燃料电池提供参考.

摘要： 7年前,为了打破镀膜行业背后的卡脖子技术,一位掌握真空镀膜尖端技术,怀揣科技报国情怀的新加坡华侨在合肥市高新技术开发区永和路99号,开启了他的创业征程。一家专注于纳米薄膜装备制造、膜层工艺研发和纳米镀膜生产的科技企业在此诞生。

摘要： 原子层沉积(ALD)是一种新兴的薄膜沉积技术,其最主要的优势在于可在高深宽比的结构上沉积均匀致密的纳米薄膜,因此在微电子、纳米科技等领域中具有广泛的应用.纳米厚度的ALD薄膜与传统微米厚度的薄膜材料相比,需要更精确的表征手段,因此对ALD薄膜的表征方法展开了针对性探讨.阐述了ALD薄膜的常用物性表征方法,主要从薄膜厚度、成分、结晶性及形貌等方面展开探讨,同时展望了其未来发展的方向.

摘要： 为了满足能源需求,电化学超级电容器开始持续投入应用.在本研究中,提出了铝掺杂的氧化锌(AZO)纳米薄膜在超级电容器中的潜在应用.纳米薄膜是通过原子层沉积技术制备的,其结构是不同循环次数的ZnO和Al2O3超薄膜的交替叠加.超薄AZO纳米薄膜具有良好的电化学性能,结果表明(10:1)10三明治结构具有最佳的充电和放电性能.在6M KOH电解质中,电流密度为1 A·g-1时,AZO纳米薄膜超级电容器的比电容量可达61 F·g-1.对于超级电容器的实际应用,演示了该器件可以为红色LED灯供电60 min以上.AZO纳米薄膜在超级电容器中具有潜在应用,在未来可推广到可穿戴柔性能源存储器件.

摘要： 使用CdCl2、SeO2和EDTA为原料,借助恒电流脉冲法在碱性环境下成功制备了硒化镉薄膜.通过改变占空比可以实现薄膜表面形貌由纳米颗粒向纳米棒的转变.相比于块体硒化镉,薄膜的吸收边存在着明显的蓝移,得到的硒化镉薄膜具有光致发光特性.

摘要： 纳米薄膜与基体之间的界面热输运是MEMS系统热管理和热设计的热点和难点.建立了频率扫描3ω法的热阻抗网络模型.利用频率-电流扫描3ω法和不同厚度薄膜试样得到单层纳米薄膜与基体之间的界面热阻,得到ZrO2、SiO2增透膜与基体之间的界面热阻分别为0.108m2·K·MW-1和0.066m2·K·MW-1,发现界面热阻与扫描频率无关,未发现界面热阻随膜厚变化的尺度效应.实验和理论分析表明,声子近界面效应在增透膜和基体界面的热输运过程中起主导作用.

摘要： 采用脉冲磁控溅射法制备硼掺杂氧化锌（ZnO:B）纳米薄膜，并研究了其结构和光学特性。经XRD 分析，ZnO:B 为多晶纳米薄膜，具有六方钎锌矿结构，且薄膜沿着c 轴取向择优生长。薄膜在可见光和近红外光谱区的透光性很好，其中在可见光区的平均透光率可达 84%以上，而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45%。运用逐点非约束性优化法分析计算薄膜的光学常数：折射率n、消光系数κ和介电常数的实部ε1和虚部ε2。在可见光区，ZnO:B 纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本趋于恒定，而在紫外区，光学常数随波长的变化很明显，并且在367 nm和397 nm 附近存在两个紫外发光峰。

摘要： 目的：观察不同温度热处理后TiO2-SiO2纳米薄膜对钛-瓷结合强度的影响,为修复临床制作工艺提供参考.方法：采用溶胶-凝胶技术,将TiO2-SiO2纳米溶胶液均匀涂附于纯钛试件表面,分别进行300、500、750°C的热处理(热处理组),以表面无纳米薄膜的试件为对照组.测试3个热处理组试件纳米薄膜与钛基底间的膜基结合力以及烤瓷后4组试件的钛-瓷结合强度;采用X射线衍射(XRD)分析纳米薄膜结构;扫描电镜观察钛-瓷结合界面及钛剥脱面.结果：TiO2-SiO2纳米薄膜经300、500和750°C热处理后,与钛基底的膜基结合力分别为(15.3±0.8)、(22.1±0.5)和(28.5±1.3) N;XRD显示钛表面无金红石相TiO2存在;750°C热处理组钛-瓷结合强度[(35.9±2.3)MPa]显著高于对照组[(29.5±4.2)MPa];扫描电镜显示750°C热处理组的纳米薄膜较致密,无明显裂缝存在,且钛-瓷断裂位置发生在纳米薄膜内部.结论：经750°C热处理的TiO2-SiO2纳米薄膜可明显改善钛-瓷结合强度.

摘要： 本文用快速凝固技术制备AlMn7、AlMn5Si5纳米薄膜，用示差扫描量热法(DSC)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能量分散谱仪(EDS)等检测技术对薄膜的相变温度、显微结构和元素分布进行表征。结果表明，AlMn7纳米薄膜的相组成为Al+A16Mn+准晶体，晶粒尺寸在120nm左右，AIMn5Si5纳米薄膜的相组成为Al+Al4.01MnSi0.74+Al9Mn3Si相，晶粒尺寸在60nm左右。AlMn7纳米薄膜的热稳定温度为270°C，AlMn5Si5纳米薄膜的热稳定温度为600°C以上。AlMn7纳米薄膜的化合物形态多样，有棒状、块状、花瓣状等。AlMn5Si5纳米薄膜的化合物形态单一，基本上都为球状。

摘要： 卫星高功率微波部件中,二次电子发射抑制有着重要的研究意义.为了简便有效地实现二次电子发射抑制,人们开展了大量的研究工作.然而,截至目前这仍然是一项需要解决的难题.本文中报道了一种可以实现二次电子发射抑制的新方法,采用这种方法二次电子发射系数SEY最大值从2.12可以将至1.1以下甚至更低.与传统的减小二次电子发射系数的方法相比,此方法采用远程等离子体增强化学气相沉积系统在微波部件表面直接沉积石墨烯薄膜,以此实现SEY抑制效果.实验中采用拉曼光谱仪表征石墨烯的质量,石墨烯纳米薄膜的存在减小了粗糙基金表面的二次电子发射系数,同时不会引起表面插损的增大.此方法在空间微波技术应用领域有着广阔的应用前景.

摘要： 太赫兹量子级联激光器的有源区由千余层纳米薄膜构成,其制备要求精确控制每一层薄膜的厚度、组分和掺杂浓度.本文采用分子束外延方法,通过反射式高能电子衍射对衬底表面状态进行在线分析和生长速率标定,通过动态温度补偿实现了长时间GaAs/AlGaAs的稳定沉积,获得了原子级平整的层间界面,实现了ppb级本底杂质浓度的材料生长,层厚控制精度达到1％,为太赫兹量子级联激光器的研制提供了高质量的有源区材料.

摘要： 为实现纳米薄膜厚度计量的量值溯源,研制了一套纳米薄膜厚度校准样片,其中纳米单层膜厚度标准片带有可供各类接触式测量仪器测量的膜厚图形,厚度值从5 nm至100 nm.该校准样板能够分别在X射线衍射仪、椭偏仪、原子力显微镜、台阶仪等多种测量原理不同的仪器上进行了溯源性测量。而纳米多层膜标准样片包括纳米超晶格和等周期厚度的多层膜,能够对反射高能电子衍射、电子显微镜、卢瑟福背散射、俄歇电子能谱和二次离子质量分析、X线电子能谱等仪器进行溯源性测试。通过研制的纳米薄膜厚度校准样片实现了多类纳米薄膜厚度测量仪器的校准和量值溯源。

摘要： 热整流现象是近年来在纳米系统中发现的一种特殊热传导现象，具有重要的应用前景，但是缺乏明确的物理解释和宏观物理图像。本文基于热质理论将导热过程与流体力学相类比，论证了热质运动的空间惯性力可以导致非对称导热介质中的热整流现象，并举例分析了硅纳米薄膜中的热整流效应。热质理论预测的热整流系数可达40%，足以满足构建热晶体管或者逻辑门的需求。

摘要： 为了研究取向纳米PZT薄膜的准同型相变行为，本文提出了一种利用侧倾法θ-2θ衍射研究不同取向晶粒相变的方法。利用溶胶-凝胶方法在(111)取向的Pt衬底上制备PZT薄膜，利用扫描电镜(SEM)和XRD方法研究薄膜的组织、织构和相组成。指出，薄膜中存在(100)和(111)两种择优取向。对于(111)取向的晶粒分别采用ψ=0°的(111)衍射、ψ= 35°的(110)衍射以及ψ= 55°的(200)衍射进行物相分析。对于(100)取向的晶粒可以采用类似的侧倾方法进行相变特性的分析。研究结果表明，不同取向的晶粒具有不同的相组成，其一是MA相，其二是MB相。随薄膜厚度(即残余应力)的变化，两相的极化矢量不同。研究结果有力地支持了M相极化旋转是压电效应的主要原因。

摘要： 为了研究取向纳米PZT薄膜的准同型相变行为，本文提出了一种利用侧倾法θ-2θ衍射研究不同取向晶粒相变的方法。利用溶胶-凝胶方法在(111)取向的Pt衬底上制备PZT薄膜，利用扫描电镜(SEM)和XRD方法研究薄膜的组织、织构和相组成。指出，薄膜中存在(100)和(111)两种择优取向。对于(111)取向的晶粒分别采用ψ=0°的(111)衍射、ψ= 35°的(110)衍射以及ψ= 55°的(200)衍射进行物相分析。对于(100)取向的晶粒可以采用类似的侧倾方法进行相变特性的分析。研究结果表明，不同取向的晶粒具有不同的相组成，其一是MA相，其二是MB相。随薄膜厚度(即残余应力)的变化，两相的极化矢量不同。研究结果有力地支持了M相极化旋转是压电效应的主要原因。

摘要： 本公开提供了一种纳米孔薄膜、基因测序装置及纳米孔薄膜的制备方法，该纳米孔薄膜包括：基板、设置在所述基板的一面上的薄膜本体以及贯穿所述薄膜本体的纳米孔道，其中，所述基板上具有与所述纳米孔道相对应的通孔，所述纳米孔道具有用于容纳单个核酸分子通过且能够改变核酸分子的移动方向以降低核酸分子移动速度的检测部。本公开的纳米孔薄膜，由于纳米孔道中具有仅能容纳单个核酸分子通过的检测部，且该检测部能够通过改变核酸分子的移动方向来降低核酸分子的移动速度，核酸分子通过检测部的速度较慢，能够提高获取到的检测信号的数据量，进而能够提高基因测序的准确度。

摘要： 本发明公开了一种纳米粒子‑高分子聚合物复合驻极体薄膜、其制备方法及含有该薄膜的摩擦纳米发电机。根据本发明的制备方法经过原料准备、均匀分散、成膜以及热处理步骤，得到纳米粒子‑高分子聚合物复合驻极体薄膜。根据本发明的摩擦纳米发电机含有根据本发明的纳米粒子‑高分子聚合物复合驻极体薄膜。

摘要： 本公开涉及一种用于制造纳米孔薄膜的方法，包括：材料准备工序，其中，准备或铺设用于制造薄膜的膜体，并将膜体传送至压印工位；纳米孔压印工序，其中，利用压印装置在膜体上受控地压印出呈预定阵列布置的纳米孔，纳米孔至少伸入到膜体的一部分厚度中，压印装置上设置有用于形成纳米孔的、呈预定阵列布置的压印元件，压印元件构造成压印模具上的突出结构阵列；和固化工序，其中，将已经压印出纳米孔的膜体通过发光装置或发热装置传递能量进行光化学反应或热化学反应而固化，以使其形成具有期望机械强度的膜体。制造的薄膜可用在口罩或防护服、空气净化装置、水或油的纯化过滤设备、血液透析仪器的过滤设备、锂电池、或海水淡化的反渗透薄膜中。

摘要： 本发明实施例提供了一种纳米片/纳米微球修饰的多孔氧化物薄膜的制备方法及多孔氧化物薄膜，本发明实施例的制备方法，设备简单，无需使用昂贵的纳米级别有机高分子微球，可以利用便宜的微米级有机微球和胶水制造模板，能够大幅度降低生产成本，同时利用水热法制备纳米片/纳米微球对多孔氧化物薄膜进行修饰，提升了多孔氧化物薄膜的性能。

摘要： 本发明涉及一种制备组合物的方法，该组合物是用来制备纳米模具和纳米薄膜的，包括：在导致物质(进一步)水解的条件下，让选自硅和主族及副族金属元素化合物的水溶胶和/或醇溶胶，与具有可水解的烷氧基物质(至少包括一种有机改性烷氧基硅烷或由它而得到的预缩合物)接触，然后将所产生的醇或原来就任意存在的醇全部除去。本发明的特征在于，醇被充分地除去，使其在组合物中剩余量不超过20%(重量)。

摘要： 本发明涉及一种无机盐纳米薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1，在基底的表面上制备无机盐纳米颗粒，其中，基底为疏水性基底；S2，将水滴加到基底的表面，通过水降低无机盐纳米颗粒中离子键的强度，去除水滴后，通过无机盐纳米颗粒中的阳离子和π键相互作用将无机盐离子吸附在基底表面，从而在基底的表面形成无机盐纳米薄膜。本发明还涉及由此得到的无机盐纳米薄膜，其具有纳米厚度。根据本发明的无机盐纳米薄膜的制备方法，步骤简单且成本低廉。

摘要： 本发明公开了一种SnS纳米棒/管薄膜的制备方法，沉积温度为10～18°C，湿度不高于50％。先将可溶性二价锡盐、硫代化合物依次加入去离子水或有机溶剂中，搅拌并加入柠檬酸或者柠檬酸盐，继续搅拌并加入酸调节溶液pH，使溶液澄清；再加入碱调节溶液pH至1.5，得到前驱体溶液；然后以FTO为工作电极，铂丝作为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，在前驱体溶液中沉积，沉积过程中溶液进行间歇性搅拌，沉积后的SnS纳米薄膜用去离子水冲洗并烘干，控制沉积电压制得SnS纳米棒/管薄膜。本发明制备方法绿色环保操作简单且可严格控制操作的每一步，所用前驱体材料成本低廉，制备薄膜有利于提高其光电特性。

摘要： 本发明公开了一种二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜，本发明属于二氧化钛纳米薄膜加工领域。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法包括如下步骤：S1、提供惰性气体；S2、对惰性气体进行耦合，同时对惰性气体点火，产生惰性气体的等离子体火炬；S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入反应气体，产生含有反应气体的等离子体火炬；S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法，其制备过程简单、易行，无二次污染。

摘要： 本发明涉及一种制备组合物的方法,该组合物是用来制备纳米模具和纳米薄膜的,包括:在导致物质(进一步)水解的条件下,让选自硅和主族及副族金属元素化合物的水溶胶和/或醇溶胶,与具有可水解的烷氧基物质(至少包括一种有机改性烷氧基硅烷或由它而得到的预缩合物)接触,然后将所产生的醇或原来就任意存在的醇全部除去。本发明的特征在于,醇被充分地除去,使其在组合物中剩余量不超过20%(重量)。

摘要： 本发明涉及一种无机盐纳米薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1，在基底的表面上制备无机盐纳米颗粒，其中，基底为疏水性基底；S2，将水滴加到基底的表面，通过水降低无机盐纳米颗粒中离子键的强度，去除水滴后，通过无机盐纳米颗粒中的阳离子和π键相互作用将无机盐离子吸附在基底表面，从而在基底的表面形成无机盐纳米薄膜。本发明还涉及由此得到的无机盐纳米薄膜，其具有纳米厚度。根据本发明的无机盐纳米薄膜的制备方法，步骤简单且成本低廉。