薄膜制备

摘要： 激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景。围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发解离作用机制,同时介绍了各类LCVD的常用设备,着重总结了LCVD在金属材料、碳基材料、氧化物材料以及半导体材料等各类材料制备应用上的最新研究进展,特别介绍了LCVD制备过程中常用的检测与分析方法,最后讨论了激光化学气相沉积技术目前所面临的挑战与机遇,并展望了该技术的发展前景。

摘要： 基于观察瞄准镜系统中胶合目镜对滤光片的使用需求,设计了一种用于瞄准镜光学系统的截止滤光片,消除了滤光片的半波孔,压缩了通带波纹。采用电子束热蒸发技术制备了滤光片并测试其透过率,在400 nm~630 nm的平均透过率为95.76%,在655 nm~800 nm的平均透过率为0.06%,样片通过了盐雾测试和机械牢固度测试,制备结果满足设计需求。

摘要： 在真空环境中进行原子级别的薄膜生长,基板的表面温度监控是关键技术之一。针对不同尺寸的基板,通过热电偶测试基板近旁的温度和红外测温仪测试基板表面的温度,经过数据拟合获得两种测试方法所得温度的对应关系,基板表面的温度与近旁温度存在偏差,但两者之间存在较好的线性比例关系。

摘要： 光学薄膜技术广泛应用于几乎所有的光学系统、光电系统和光电仪器。新型探测器的发展对1~3μm近红外波段附近的能量响应提出了滤波的要求。从电磁场理论和麦克斯韦方程出发,介绍了光学薄膜的设计理论,论述了带通滤光膜的设计方法。基于Optilayer软件,以氧化铝为基底,设计了一种工作波段为1.3~2.7μm的近红外带通滤光膜。考虑到镀膜材料的匹配性问题,选择硫化锌和氟化镱作为高、低折射率材料。采用长波通与短波通相结合的设计方法,并用Optilayer软件完成了膜系的计算和优化。在氧化铝基底双面镀制膜,用电子束蒸发和离子束辅助沉积的制备工艺完成了膜系镀制。用分光光度计对制备样品进行了透过率测试。结果表明,在1.3~2.7μm设计波段,样品的平均透过率大于95%,符合带通滤光膜的设计要求。

摘要： 高光谱性能光学薄膜是国家重大光学工程、光电子产业的基石。为了提高光学薄膜的光学性能并开发精确制备技术,现有研究主要围绕设计理念、监控技术和薄膜材料等方面展开。目前,薄膜技术已经取得了长足进步,能实现高光谱性能光学薄膜的鲁棒性设计,多种基于高光谱性能光学薄膜的精确制备技术相继被提出。从薄膜设计、精确制备技术以及薄膜材料几方面出发,本文对现代高光谱性能光学薄膜研究进行了回顾和讨论,并对高性能光学薄膜潜在的挑战和进一步研究方向进行了展望。

摘要： 采用溶胶凝胶法和浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)光学薄膜,利用紫外分光光度计测量了薄膜的透射谱,通过光度法计算薄膜的透射光谱得到其折射率及其厚度,并研究不同提拉速度、热处理温度对薄膜厚度及折射率的影响。该实验流程完整,涉及到材料制备、测试及性能控制,涵盖应用材料、物理、化学、光学及有机高分子等专业的相关知识,能够帮助学生系统地进行专业技能实践,有助于培养学生综合能力和科研创新意识。

摘要： 热电材料可以实现热能和电能的相互转换,它是一种环境友好的功能性材料.当前,热电材料的热电转换效率低,这严重制约了热电器件的大规模应用,因此寻找更加优异热电性能的新材料或提高传统热电材料的热电性能成为热电研究的主题.与块状材料相比,薄膜具有二维的宏观性质和一维的纳米结构特性,方便研究材料的物理机制与性能的关系,还适用于制备可穿戴电子设备.本文总结了Cu2Se薄膜5种不同的制备方法,包括电化学沉积、热蒸发、旋涂、溅射以及脉冲激光沉积.另外,结合典型事例,总结了薄膜的表征手段,并从Cu2Se的电导率、塞贝克系数和热导率等参数出发,讨论了各个参数对热电性能的影响机制.最后介绍了Cu2Se薄膜热电的热门应用方向.

摘要： 高性能PVC制备关键技术是新疆中泰化学阜康能源有限公司(以下简称阜康能源)承担的国家"十三五"重点基础材料技术提升与产业化重点专项项目研发课题。主要是通过薄膜的应用形式充分发挥PVC性能优势,借助微纳层叠技术解决薄膜制备过程中增塑剂析出等问题,使PVC膜材在包装、农业等领域的应用范围更广、产品种类更丰富,推动国内PVC树脂产品向系列化、专业化水平提升。

摘要： ZnO薄膜具备吸收光谱的温变特性,可有效促进光纤布拉格光栅传感器的工作性能,因此设计了基于ZnO薄膜光学温变特性的光纤布拉格光栅传感器.选用高纯度的ZnO靶材在多功能多元镀膜系统中,通过Haruo Takashashi构建计算模型,设计具有光学温变特性的光纤布拉格光栅传感器.其中温度传感头通过将制备好的ZnO薄膜镀于蓝宝石三棱镜斜边面上,结合蓝宝石三棱镜、凸透镜以及光纤面,加强光源利用率,实现光纤布拉格光栅传感器的设计.实验结果表明,所设计的光纤布拉格光栅传感器的波长漂移量会随着ZnO薄膜热膨胀系数不断提高而增加,ZnO薄膜等效折射率大的波长漂移量要比等效折射率小的低;对比多种传感器性能后,发现所设计的传感器温测范围广、响应时间短、测量精准度高.

摘要： 氚能够通过几乎所有的金属以分子形式进行扩散渗透,有很高的渗透能力.为了减少乃至阻止氚的渗透而又不牺牲结构材料的整体性质,在结构材料表面涂覆陶瓷涂层是防氚渗透经济而实用的方法.Er2O3呈立方结构,晶格常数为1.05nm,热机械性能稳定,实验证明1μm厚的氧化铒涂层可以使渗透因子降低103,同时Er2O3与Li熔体有良好的相容性,其电绝缘性能和耐腐蚀性都值得称道.SiC是宽能带隙的半导体,有高熔点、电子迁移率高、热导性好、抗辐照等一系列优点,特别是氢同位素渗透率低的优点引起人们极大的兴趣.在核能技术领域,SiC也是聚变堆的候选材料.本文选用Er2O3和SiC薄膜制备多层薄膜，设计了效果良好的阻氚层。

摘要： 本工作通过熔融共混制备得到了PP/氧化石墨烯(GO)/辛基苯酚聚氧乙烯醚-10(OP-10)复合材料，再通过模压得到厚度约为0.1 mm 的薄膜，并对其在不同拉伸条件下的成孔行为进行了研究。结果发现，OP-10的加入使PP基体中产生了微米级的球状圆孔，可作为应力集中点引发更多微孔的产生。随着OP-10含量以及拉伸比的增加，复合材料薄膜的孔隙率不断增加。在以上研究的基础上，继续向PP/OP-10二元体系中加入GO，研究GO的引入对复合材料薄膜成孔行为的影响。

摘要： 采用光学显微镜研究了不同来源的木浆、竹浆和苎麻浆在7 wt％ NaOH/12 wt％尿素体系中的溶解情况。表明木浆、竹浆和麻浆是优良的溶解浆,均可作为NaOH/尿素体系的原料来源。所制得纤维素薄膜通过扫描电子显微镜(SEM),红外光谱(FT-IR)和X射线衍射(XRD)研究其结构。各浆粕纤维素膜均表现出优良力学性能和透光性。在粘均分子量相同条件下,竹浆纤维素膜拉伸强度最高,其他浆粕也表现出与棉短绒浆所制备纤维素膜相近的力学性能。

摘要： 本研究对连续沉积法进行改进，在Pbl2溶液旋涂之前采用高浓度CH3NH31溶液进行预处理。结果表明，经预处理样品表面Pbl2成膜更加致密，可获得更均匀CH3NH3Pbl3薄膜。光致发光结果也表明该样品具有较少表面缺陷，进一步J-V测试结果证明采用经预处理获得薄膜的钙钛矿太阳电池具有更佳光电性能，电池效率从10.2%提高到11.4%。

摘要： 本研究对连续沉积法进行改进，在Pbl2溶液旋涂之前采用高浓度CH3NH31溶液进行预处理。结果表明，经预处理样品表面Pbl2成膜更加致密，可获得更均匀CH3NH3Pbl3薄膜。光致发光结果也表明该样品具有较少表面缺陷，进一步J-V测试结果证明采用经预处理获得薄膜的钙钛矿太阳电池具有更佳光电性能，电池效率从10.2%提高到11.4%。

摘要： 本研究对连续沉积法进行改进，在Pbl2溶液旋涂之前采用高浓度CH3NH31溶液进行预处理。结果表明，经预处理样品表面Pbl2成膜更加致密，可获得更均匀CH3NH3Pbl3薄膜。光致发光结果也表明该样品具有较少表面缺陷，进一步J-V测试结果证明采用经预处理获得薄膜的钙钛矿太阳电池具有更佳光电性能，电池效率从10.2%提高到11.4%。

摘要： 本研究对连续沉积法进行改进，在Pbl2溶液旋涂之前采用高浓度CH3NH31溶液进行预处理。结果表明，经预处理样品表面Pbl2成膜更加致密，可获得更均匀CH3NH3Pbl3薄膜。光致发光结果也表明该样品具有较少表面缺陷，进一步J-V测试结果证明采用经预处理获得薄膜的钙钛矿太阳电池具有更佳光电性能，电池效率从10.2%提高到11.4%。

摘要： 本文阐述了低硒压无Sn辅助硒化方法是制备CZTSe薄膜的重要方法之一。500°C硒化热处理过程中Sn流失不明显，三步硒化法可实现高质量的CZTSe薄膜，采用三步后硒化方法制备的CZTSe薄膜太阳电池器件效率为8.2%。经工艺优化，效率达8.6%。

摘要： 本文阐述了低硒压无Sn辅助硒化方法是制备CZTSe薄膜的重要方法之一。500°C硒化热处理过程中Sn流失不明显，三步硒化法可实现高质量的CZTSe薄膜，采用三步后硒化方法制备的CZTSe薄膜太阳电池器件效率为8.2%。经工艺优化，效率达8.6%。

摘要： 本文阐述了低硒压无Sn辅助硒化方法是制备CZTSe薄膜的重要方法之一。500°C硒化热处理过程中Sn流失不明显，三步硒化法可实现高质量的CZTSe薄膜，采用三步后硒化方法制备的CZTSe薄膜太阳电池器件效率为8.2%。经工艺优化，效率达8.6%。

摘要： 本发明提供了一种薄膜剥离方法，该薄膜剥离方法是从在粘着剂层的一侧层压有轻剥离薄膜、在另一侧层压有重剥离薄膜的无基材两面粘着片上连续地剥离轻剥离薄膜的薄膜剥离方法，其中，该薄膜剥离方法包括：一边沿着贴着无基材两面粘着片的一个以上的输送转向辊，改变轻剥离薄膜的输送方向和/或剥离后的无基材两面粘着片的输送方向，一边从无基材两面粘着片的与输送转向辊接触的部位剥离轻剥离薄膜，并且，从轻剥离薄膜的剥离面到剥离后的无基材两面粘着片的剥离面的角度(θ1)为28度以上。通过上述薄膜剥离方法，能够在从无基材两面粘着片剥离轻剥离薄膜时实现稳定的剥离以及转移粘着的抑制。

摘要： 本发明提供一种用于制备包装薄膜的聚丙烯树脂组合物及其薄膜和薄膜制法。聚丙烯树脂组合物包含(A)丙烯聚合物组合物100重量份；(B)成核剂0.01～1份；(C)不含极性基团的石油树脂5～40份。其中组分(A)为丙烯均聚物组合物，由非对称加外给电子体聚合方法制得，总体立构等规度[mm]为94～95％，熔体流动速率为2～4g/10min，分子量分布Mw/Mn为6～8；组分(B)选自山梨醇类成核剂或芳基磷酸盐成核剂中的至少一种。所得聚丙烯树脂组合物的薄膜具有优异高温拉伸特性、良好刚性、较低雾度和较高光泽度，特别是在用于制备减薄的BOPP膜时，显示了很强的竞争力。

摘要： 本发明提供制备包装用薄膜的聚丙烯树脂组合物及其薄膜和制法。该组合物包含(A)丙烯聚合物100重量份；(B)成核剂0.01～1份；(C)不含极性基团的石油树脂5～40份。组分(A)为具有高立构等规和高熔体强度的丙烯均聚物，其(1)熔融指数为1.0-10g/min；(2)分子量分布Mw/Mn为6-20；(3)分子量大于500万级分的含量大于等于0.8wt％；(4)Mz+1/Mn大于等于70；组分(B)选自山梨醇类成核剂或芳基磷酸盐成核剂中的至少一种。所得薄膜具有优异高温拉伸特性、良好刚性、较低雾度和较高光泽度，可制备减薄BOPP膜。

摘要： 本发明提供了一种薄膜剥离方法，该薄膜剥离方法是从在粘着剂层的一侧层压有轻剥离薄膜、在另一侧层压有重剥离薄膜的无基材两面粘着片上连续地剥离轻剥离薄膜的薄膜剥离方法，其中，该薄膜剥离方法包括：一边沿着贴着无基材两面粘着片的一个以上的输送转向辊，改变轻剥离薄膜的输送方向和/或剥离后的无基材两面粘着片的输送方向，一边从无基材两面粘着片的与输送转向辊接触的部位剥离轻剥离薄膜，并且，从轻剥离薄膜的剥离面到剥离后的无基材两面粘着片的剥离面的角度(θ1)为28度以上。通过上述薄膜剥离方法，能够在从无基材两面粘着片剥离轻剥离薄膜时实现稳定的剥离以及转移粘着的抑制。

摘要： 本发明涉及锂电池技术领域，提供了一种薄膜锂电池的正极薄膜材料，主要包括铬氧化物。一种薄膜锂电池的正极薄膜，采用本发明提供的薄膜锂电池的正极薄膜材料制得。一种薄膜锂电池的正极组件的制备方法，包括：在正极集流体薄膜上设置正极薄膜，正极薄膜的材料主要包括铬氧化物。一种薄膜锂电池，其正极薄膜的制备材料主要包括铬氧化物。一种薄膜锂电池的制备方法，包括：依次设置正极集流体薄膜、正极薄膜、固态电解质薄膜、负极薄膜以及负极集流体。本发明的正极薄膜材料在制备正极薄膜时不需高温退火，成本低，操作方便。本发明的锂电池，其性能稳定、成本低、应用范围广。本发明还提供了一种包括上述薄膜锂电池的用电器。

摘要： 本发明公开了一种低温制备氧化物薄膜的前驱体溶液及通过该前驱体溶液所制备的氧化物薄膜和薄膜晶体管。前驱体溶液的溶质同时包含：至少一种高氯酸盐和至少一种硝酸盐。通过在前驱体中同时加入高氯酸盐和硝酸盐，两者发生互相促进的氧化还原反应，从而达到在较低温度下制备氧化物薄膜的效果。按此配方可配制出不同氧化物薄膜的前驱体溶剂，依照工序依次制备不同性质的薄膜，能够制备出完整的薄膜晶体管。本发明的前驱体配方具有制备方法灵活多样、制备温度低、成本低廉、适用面广的特点。

摘要： 本发明属于薄膜太阳电池技术领域，提供了一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、该方法制备的薄膜及包含该薄膜的太阳电池；该方法包括如下步骤：(1)在衬底温度450°C至550°C时，通过真空多源共蒸发法蒸发Cu、ZnS、Sn和Se；蒸发腔室的压强为3×10

摘要： 本发明提出了一种多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管。该多晶薄膜包括衬底，热导体，晶种侧墙和多晶薄膜层。本发明在多晶薄膜的制备过程中采用热导体，能够实现晶种侧墙附近热量的优先散失，保证熔融态的非晶薄膜层在晶种侧墙处起始固化，有利于非晶薄膜层的固化结晶，减少成核的随机性，有效降低传统激光结晶工艺中对临界激光能量密度的敏感性。本发明的多晶薄膜提高了晶粒尺寸和迁移率，实现了晶粒位置的可控。本发明的薄膜晶体管采用具有大晶粒尺寸和高迁移率的多晶薄膜制成，具有高的迁移率，提高了器件性能。

摘要： 本申请涉及薄膜制备领域，涉及一种薄膜制备装置以及降低薄膜制备中薄膜不良的方法。装置包括腔室、承载部、气体保护部。承载部具有开口部，待镀工件至少部分表面裸露于开口部；气体保护部具有气体通道，气体通道具有若干进气孔和气体出口；承载部的一侧用于放置镀料，以使气相的镀料扩散至待镀工件的裸露表面；气体出口位于所述承载部与所述镀料之间，使得气体从气体出口流出至待镀工件的裸露表面，且在裸露表面形成流动的气体保护层。在待镀工件的底面形成流动的气体保护层，能够防止打开真空阀提高腔室压力和打开腔室门时，外界气流的进入使得腔室内壁等处存在的颗粒物质被吹气并进入到待镀工件的表面。

摘要： 本发明属于薄膜太阳电池技术领域，提供了一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、该方法制备的薄膜及包含该薄膜的太阳电池；该方法包括如下步骤：(1)在衬底温度450°C至550°C时，通过真空多源共蒸发法蒸发Cu、ZnS、Sn和Se；(2)降低衬底温度，通过真空多源共蒸法蒸发Se和Sn；(3)在衬底温度500°C至550°C时，单独蒸发Se。采用后硒化的方法处理共蒸法制备的铜锌锡硫硒薄膜，使薄膜中的各种二元相相互化合再结晶，形成锌黄锡矿结构，可以改善薄膜的结晶质量，减少杂质二元相在薄膜中的含量。