限幅器

摘要： 高功率微波可通过雷达、电子战装备的天线进入装备内部,这种方式耦合能力强、峰值幅度大,容易造成装备电磁干扰或损伤.因此,有必要开展高功率微波对电子设备的作用效应和防护研究.针对设备级高功率微波效应研究较少的现状,以某X波段微波接收前端为对象,采用注入法开展高功率微波损伤效应实验,获取了效应现象和数据.结果显示,无限幅器保护时,注入微波的峰值功率达到48.8 dBm,单个脉冲就能损伤微波接收前端的低噪声放大器;采用限幅器防护后,注入微波的峰值功率需增加到60.7 dBm,脉冲数增加到100个才能实现微波接收前端的损伤.实验表明,能量沉积是进行损伤的必要条件,通过高峰值功率短脉冲或长脉宽脉冲串,高功率微波都可以对电子设备中的敏感器件造成损伤,综合运用峰值功率、脉宽和脉冲数等参数可增强高功率微波作用效应.在此基础上,还分析了典型参数高功率微波武器对电子设备的作用距离、作用规律,可为武器装备高功率微波效应评估和防护设计提供参考.

摘要： 文章介绍一种基于同轴结构的微波限幅器设计方法。限幅电路采用PIN二极管和半有源式电路结构,实现高功率限幅特性。利用混合集成电路工艺实现限幅电路气密封装,再将气密封装装配到不锈钢同轴封装内,实现具有气密性的同轴限幅器结构。产品体积为34 mm×Φ9 mm,测试结果表明,在300 MHz~2 000 MHz频带内,插入损耗小于1 dB,可承受峰值超过1 000 W的功率,泄漏功率小于16 dBm。该设计可显著缩小限幅器产品体积,便于整机系统安装和更换,具有广阔的应用前景。

摘要： 针对航空甚高频(Very High Frequency,VHF)通信设备,提出了一种具有低插入损耗、高限幅性能的电磁防护模块电路设计方法。在无源多级限幅器设计基础上外加直流偏置,构建了一款有源式防护模块以提高限幅能力。将定向耦合器与整流电路相结合,提出了以整流部分干扰信号代替外加直流偏置的方式,进一步优化设计了一款半有源式防护模块。对所设计的2款电磁防护模块进行实物加工与测试,结果表明,在118~136 MHz的航空VHF频段内,插入损耗均小于1.5 dB,起限电平小于6 dBm,限幅电平小于8 dBm,功率容量不小于25 dBm。相比于其他同类型防护模块,起限电平和限幅电平明显降低,能够有效提高防护能力。

摘要： 针对调频引信的高功率微波干扰效应问题,对引信天线进行了辐照实验以及场-路联合仿真实验,分析了HPM武器的干扰与毁伤距离,研究了不同角度、峰值、脉宽的HPM矩形脉冲对射频前端的干扰效应,并进行了防护设计。研究表明:HPM偏离主波束越大,攻击效果越差,但在副瓣处有所加强;随着注入功率的增加,HPM的干扰能力会逐渐达到饱和;干扰强度总体上随脉宽增加而增加,理想情况下矩形脉冲产生的最大干扰信号几乎完全覆盖差频信号,严重影响目标识别的准确率;仅增加限幅电路可在一定程度上减小HPM照射造成的损伤,但不能防护HPM与回波信号同时到达时产生的干扰。

摘要： 基于PIN二极管限幅器的器件原理,设计了满足电磁兼容系统要求的限幅器.研究了单级、级联和三级PIN二极管限幅器的性能.在此基础上,利用PIN对管和肖特基势垒二极管(SBD)对限幅器电路进行改进.在13-15 GHz输入连续波功率200W时,限幅输出功率0.04W,插入损耗小于0.1 dB.和参考文献对比表明,本文限幅器指标均满足设计要求.

摘要： 限幅放大器(简称限放)是雷达前端的重要部件,由限幅器和和放大器构成。当输入功率过高时,限幅器插损会迅速增大,使泄露到放大器的功率始终维持在较低的状态,从而保护放大器免于烧毁。限幅器的功率容量从数百毫瓦至数千瓦不等,漏功率一般在15dBm以下。

摘要： 针对限幅器在高功率微波(HPM)作用下的尖峰泄漏问题,基于搭建的HPM注入实验平台和电路仿真开展了研究.研究结果表明:当注入功率超过6 dBm时,限幅器会出现尖峰泄漏现象,限幅器泄漏尖峰的上升沿与脉宽随着注入功率的增加而减小,而绝对尖峰泄漏功率随注入功率的增加呈增长趋势,平顶泄漏功率呈近似"线性增加-缓慢下降-小幅增长"趋势.并且,实验结果显示:HPM脉宽与重频对限幅器尖峰泄漏特性基本无影响,其泄漏特性变化规律与单次脉冲的基本一致;尖峰泄漏能量随注入功率的增加而降低.

摘要： 随着高功率微波(HPM)武器的大量应用,在未来电子战或网络战中的力量对比将被彻底改变.为应对HPM武器日益严峻的现实威胁,防止遭受二次攻击,从HPM武器的特点及危害出发,探讨了针对HPM单脉冲的可行被动测向方法,并对单基地单脉冲被动测向雷达结构进行分析,着重考虑限幅器的作用,给出2种雷达信号限幅器的拓扑设计,为后续HPM武器定位的深入研究提供借鉴.

摘要： GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件.本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义.

摘要： 在高压试验中闭合开关的过程中经常会产生较高的瞬态过电压和浪涌电流,可能会给试验装置造成损害.为了避免试验过程中产生上述冲击现象,本文提出了一种新型限幅器拓扑电路,该电路每相均由一组电抗器、续流二极管和一个直流补偿电压源组成.在试验电路闭合开关开始试验后的瞬态过程中,电抗器起到抑制涌流的作用,而在电路处于稳态后,电抗器被自动短路,因而不影响原试验电路的结构,测量结果与未加涌流抑制装置前一致.通过仿真和试验验证了上述方法的有效性.

摘要： 本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。

摘要： 分析微波脉冲作用下PIN器件效应机理,基于半导体物理方程,热传导模型研究PIN器件物理模型。基于大功率微波脉冲作用下的器件高温强场特性的,选择Sentaurus-TCAD软件中的相关物理模型,建立器件多物理模型-电路的联合仿真模型；开展验证性实验结果与仿真结果在大于30dBm的功率注入时比较吻合,证明仿真中使用的物理模型适用于PIN限幅器大功率微波脉冲效应机理分析。

摘要： 本文采用在PIN二极管加直流偏置的方法设计阈值可调功率限幅器。对PIN二极管加直流偏压，可以改变限幅器的起限电平值，对信号幅度衰减量的实现控制，更有效地保护接收机。以电压跟随器驱动PIN 二极管的电路设计，结构简单且精确地调节PIN二极管的偏置电压，并进行了电路仿真分析。在实验测试中，给出了不同偏置下限幅器的反射系数和插入损耗的实测结果。

摘要： 本文首先简要介绍了PIN二极管限幅器的工作原理及用途.然后用ANSOFT公司的HFSS高频场仿真软件对大功率PIN二极管进行了设计、仿真,并对仿真结果进行了结构加工、测试。

摘要： 电子信息系统的电磁敏感性取决于屏蔽、耦合与关键组件敏感性综合效应,其中组件的电磁敏感性效应数据对于系统级电磁效应评估尤为重要.利用电路与器件多物理混合模(Mix-Mode)模拟法,考虑大功率微波作用下器件的高温强电场特性,建立了器件的强电磁脉冲效应数值模型,研究了器件损伤效应瞬态过程,并进行了相关的实验验证.在此基础上,本文进一步研究强电磁脉冲参数频率与重频等重要微波参数与器件损伤效应规律,并对频率共振与重频热积累效应机理进行了分析.

摘要： 随着电磁脉冲技术的发展，雷达系统射频前端防护成为现代雷达有效工作首先要解决的关键技术之一。射频前端是雷达系统最易受电磁脉冲影响的部位。在对国内外相关研究及防护用限幅器进行分析的基础上，着重对超导限幅器在雷达系统射频前端电磁脉冲防护中的应用进行了可行性分析。

摘要： 本文论述了L波段T/R组件接收噪声系数这一关键特性参数的构成,分析如何在设计生产和调试三个方面来控制和改善组件的噪声,提出了限幅器电路调试要点,从而,获得了良好的噪声特性,满足了L波段T/R组件噪声系数的设计要求.

摘要： 本文采用环行器、限幅器和射频开关相结合的方案研制了高速T/R转换器。通过减少传输损耗和提高低噪声放大器的增益，实现了超低噪声接收技术。实验证明，研制的T/R组件承受功率超过100W，造成盲距小于800米。

摘要： 本文利用HJ-FET实现了L波段的限幅低噪放.该LNA具有成本低,噪声小,体积紧凑、承受功率大的特性。用5级并联PIN二极管实现了前置限幅器,该限幅器驻波性能好,插损较小,同时补偿了后级低噪放的输入端电桥的不平衡性。前置限幅器能承受超过200w的脉冲功率,在相控阵雷达的收发单元中有着广泛的运用。

摘要： 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

摘要： 本发明公开了一种提高射频限幅器耐受功率的方法及射频限幅器，射频限幅器包括两个电容、一个PIN二极管、一个扼流线圈、一个电阻；其中两个电容串联在输入端和输出端之间；所述PIN二极管的阳极、扼流线圈的一端分别与两个电容的串联点连接；所述PIN二极管的阴极接地，所述扼流线圈的另一端与电阻的一端连接，所述电阻的另一端接地。方法是根据本发明的射频限幅器的结构，使用时通过热成像实验，选取合适的阻值，提高限幅器的耐受功率。本发明不仅使用的器件成本低，使用方便，而且可以有效的提高射频限幅器的耐受功率。

摘要： 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

摘要： 具有用于在被解调的信号中检测位的可变位限幅器的接收机，它包含：用于导出被解调的位速率信号的解调器(14)；用于存储多个阈值的装置(36)，各个阈值可被选择地调节；用于挑选阈值为与现行位信号(Sn)相比较以响应先于现行位(Bn)被接收的N位(其中N至少是2)(Bn-1，Bn-2)序列的装置(28，38)；以及用于使用现行位修正所挑选阈值的装置。同样被公开的是直流(dc)偏移校正的方法(图7-未被示出)。

摘要： 本发明涉及一种提高微波混合集成PIN限幅器承受功率的限幅单元电路、单级限幅电路及限幅器，通过在限幅单元电路中串联PIN限幅二极管，并将其应用到单级限幅电路和限幅器中，来提升限幅器承受功率的能力，同时串联电路降低了对地电容，因此可以改善微波限幅器电路的工作频率和工作带宽。

摘要： 本发明公开了一种提高射频限幅器耐受功率的方法及射频限幅器，射频限幅器包括两个电容、一个PIN二极管、一个扼流线圈、一个电阻；其中两个电容串联在输入端和输出端之间；所述PIN二极管的阳极、扼流线圈的一端分别与两个电容的串联点连接；所述PIN二极管的阴极接地，所述扼流线圈的另一端与电阻的一端连接，所述电阻的另一端接地。方法是根据本发明的射频限幅器的结构，使用时通过热成像实验，选取合适的阻值，提高限幅器的耐受功率。本发明不仅使用的器件成本低，使用方便，而且可以有效的提高射频限幅器的耐受功率。

摘要： 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

摘要： 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

摘要： 本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

摘要： 具有用于在被解调的信号中检测位的可变位限幅器的接收机，它包含：用于导出被解调的位速率信号的解调器(14)；用于存储多个阈值的装置(36)，各个阈值可被选择地调节；用于挑选阈值为与现行位信号(Sn)相比较以响应先于现行位(Bn)被接收的N位(其中N至少是2)(Bn－1，Bn－2)序列的装置(28，38)；以及用于使用现行位修正所挑选阈值的装置。同样被公开的是直流(dc)偏移校正的方法(图7－未被示出)。