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首页> 外文会议>Electrochemical Society Meeting and International Symposium on ULSI Process Integration III; 20030428-20030502; Paris; FR >SINGLE-WAFER TECHNOLOGY IN A 300-mm WAFER FAB
【24h】

SINGLE-WAFER TECHNOLOGY IN A 300-mm WAFER FAB

机译：300毫米晶圆晶圆中的单晶圆技术

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In this paper, we describe a new technology implemented with all single-wafer processing in a 300-mm wafer fab. Newly developed wet clean solutions successfully reduce processing time one tenth compared with conventional batch clean. The process has been re-integrated to eliminate all of long-time processes. As the results, a very aggressive cycle time of 0.25 days/layer has been demonstrated with high yield and excellent reliability on double-Polysilicon, sextuple-Metal, 0.18um LOGIC. Chamber Sensitivity Analysis is applied to detect problematic chambers enlarging process variability, degrading yield/reliability. It is essential for quick yield ramp up on single-wafer fab.
机译：在本文中，我们描述了一种在300毫米晶圆厂中通过所有单晶圆处理实施的新技术。新开发的湿式清洁解决方案成功地将处理时间减少了传统批次清洁的十分之一。该过程已被重新集成以消除所有长时间的过程。结果，在双多晶硅，六元金属，0.18um LOGIC上，证明了非常积极的0.25天/层的循环时间，具有高产量和出色的可靠性。腔室灵敏度分析用于检测有问题的腔室，从而扩大工艺的可变性，从而降低良率/可靠性。这对于快速提高单晶圆厂的良率至关重要。

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