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【24h】

ADVANCED ELLIPSOMETER MEASUREMENTS OF SILICON NITRIDE (A-SiN_x:H) AR FILM ON ACIDIC AND ALKALINE TEXTURED MC-SI SOLAR CELLS

机译：酸性和碱性纹理化MC-SI太阳能电池上氮化硅（A-SiN_x：H）AR膜的高级椭偏仪测量

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For multicrystalline silicon (mc-Si) solar cell manufacturers, there is a need for a fast and precisemethod to determine the optical properties and thickness of the amorphous silicon nitride (a-SiN_x:H) anti-reflective(AR) film on the textured mc-Si wafer. Ellipsometry is a technique able to quickly measure on many (small) spotsover a large area, but faces new challenges when used on textured (and low-reflectivity) surfaces. In this work, thefirst ellipsometer results of an a-SiN_x:H film (1) on acidic textured mc-Si wafers, (2) on both acidic and alkalinetextured mc-Si wafers over a very broad wavelength region (245-1690 nm), and (3) with the advanced (non-standard)Mueller matrix and depolarization measurements on both acidic and alkaline textured mc-Si wafers will be presented.Together with advanced topography techniques (optical profilometer and SEM), it will be demonstrated why thestandard (simple) ellipsometry is not valid and why the non-standard (advanced) ellipsometry is instead necessary foran accurate determination of the optical properties of the a-SiNx:H film on many grains on the alkaline textured andall grains on the acidic textured mc-Si wafers. Furthermore, the necessity for further improvements of today’scommercially available ellipsometry and surface topography techniques (SEM and AFM) will be discussed.
机译：对于多晶硅（mc-Si）太阳能电池制造商，需要快速而精确的 确定非晶态氮化硅（a-SiN_x：H）的光学特性和厚度的方法 （AR）膜在有纹理的mc-Si晶圆上。椭偏法是一种能够快速测量许多（小）斑点的技术 在大面积上使用，但在带纹理（和低反射率）的表面上使用时面临新的挑战。在这项工作中， a-SiN_x：H膜的第一椭偏仪结果（1）在酸性纹理化mc-Si晶片上，（2）在酸性和碱性下 在非常宽的波长范围（245-1690 nm）上具有纹理的mc-Si晶片，以及（3）具有先进的（非标准）晶片 将介绍在酸性和碱性纹理化mc-Si晶圆上的Mueller矩阵和去极化测量。 结合先进的地形技术（光学轮廓仪和SEM），将证明为什么 标准（简单）椭圆仪无效，为什么非标准（高级）椭圆仪必须用于 准确测定a-SiNx：H膜在碱性纹理和表面上许多晶粒上的光学性能 酸性纹理化mc-Si晶圆上的所有晶粒。此外，有必要进一步改善当今的 将讨论市售的椭圆仪和表面形貌技术（SEM和AFM）。

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