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首页> 外文会议>Conference on photomask and next-generation lithography mask technology >ArF Half-Tone PSM Cleaning Process Optimization for Next-generation Lithography.
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ArF Half-Tone PSM Cleaning Process Optimization for Next-generation Lithography.

机译：ARF半色调PSM清洁过程优化下一代光刻。

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ArF lithogrpahy which is expected for the next generation optical lithography is adapted for 0.13um design-rule and beyond. ArF Half-Tone Phase Shift Mask(HTPSM) will be applied as1~(st) generation of ArF Lithograph. Also ArF PSM cleaning demands by means of tighter controls related to phase angle, transmittance & contamination on the masks. Phase angle on ArF HT PSM should be controlled within at leat +- 3dg and transmittance controlled within at least +-0.3percent after cleaning process & pelliclization. In the cleaning process of HT PSM, requires not only the remove the particle on mask, but also control to half-tone material for metamorphosis.
机译：预期为下一代光学光刻的ARF Lithogrpahy适用于0.13um的设计规则和超越。 ARF半色调相移掩模（HTPSM）将应用AS1〜（ST）产生ARF石英仪。还通过与掩模上的相角，透射率和污染有关的更严格的控制来清洁需求。 ARF HT PSM上的相位角应在LEAT + - 3DG的内部控制，在清洁过程和搅拌后在至少+ -0.3平方内控制。在HT PSM的清洁过程中，不仅需要在掩模上取出颗粒，还需要对变态的半色调材料进行控制。

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