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首页> 外文会议>Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials >1/f noise in magnetic tunnel functions with. MgO tunnel barriers
【24h】

1/f noise in magnetic tunnel functions with. MgO tunnel barriers

机译：磁隧道功能的1 / f噪声功能。 MgO隧道障碍

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Electrical noise measurements are reported for magnetic tunnel junctions having magnesium oxide tunnel barriers. These junctions have resistance-area products (RAPs) of order 10-100 M OMEGA mu m~2 and exhibit zero-bias tunneling magnetoresistance ratios (TMRs) as high as 120 percent at room temperature. The TMR is bias dependent and decreases to half its maximum value for biases near 300 mV. The dominant low-frequency electrical noise is due to resistance fluctuations having a 1/f-like power spectral dependence and a nonmagnetic origin. The normalized 1 /f noise parameter, alpha, is found to be of order 10~(-7) to 10~(-6) which compares favorably to magnetic tunnel junctions consisting of an aluminum oxide barrier with comparable RAPs but lower TMR. At high biases, alpha is found to decrease which we attribute to defect-assisted tunneling mechanisms.
机译：报告了具有氧化镁隧道屏障的磁隧道连接的电噪声测量。这些交界处具有10-100mωμm〜2的抵抗区产品（Raps），并且在室温下表现出高达120％的零偏置隧道磁阻比（TMR）。 TMR偏置依赖性，并降低到300mV附近偏差的最大值的一半。主导的低频电噪声是由于具有1 / f的功率谱依赖性和非磁性起源的电阻波动。发现归一化的1 / F噪声参数，α，alpha是订购的10〜（-7）至10〜（-6），其对由氧化铝屏障组成的磁性隧道交叉点，其具有可比的Raps但下部的TMR。在高偏见时，发现alpha减少了我们归因于缺陷辅助的隧道机制。

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