机译:HfO_2 / Al_2O_3纳米层合物原子层沉积时GaAs的S钝化和能带弯曲的减少
机译:NH_3退火氮化原子层沉积的HfO_2 / Al_2O_3堆
机译:使用原子层沉积法比较n型GaAs上的HfAlO,HfO_2 / Al_2O_3和HfO_2
机译:HfO_2 / GaAs体系中的原子层沉积(ALD)NH_3氮化对Al_2O_3钝化的影响
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性