High-resistance W-plug Monitoring with an Advance e-beam Inspection System

机译：借助先进的电子束检查系统进行高电阻W插头监控

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Dark voltage contrast (DVC) defects are detected on normally bright tungsten plugs (W-plugs) during the in-line e-beam inspection step. Cross-sectional scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM) in a failure analysis (FA) lab verified that DVC defects with different gray level values (GLV) are caused by different resistances of the W-plugs. We found that DVC defects with lower GLV (GLV1) are W-plugs that are open or almost open. DVC defects with higher GLV GLV2 are caused by partially open W-plugs and in-plug voids. Wafer acceptance test (WAT) results correlated well with e-beam inspection results.

机译：在在线电子束检查步骤中，在正常亮度的钨丝插头（W形插头）上检测到暗电压对比（DVC）缺陷。失效分析（FA）实验室中的截面扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）验证了具有不同灰度值（GLV）的DVC缺陷是由W插头的不同电阻引起的。我们发现具有较低GLV（GLV1）的DVC缺陷是W插头处于打开或几乎打开状态。 GLV GLV2较高的DVC缺陷是由部分打开的W型插头和插头内空隙引起的。晶圆验收测试（WAT）结果与电子束检查结果密切相关。

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来源
《Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XX pt.2》|2006年|P.61524A.1-61524A.9|共9页
会议地点 San JoseCA(US)
作者
Hermes Liu; J H Yeh; Chan Lon Yang; S C Lei; J Y Kao; Y D Yang; Mingsheng Tsai; S F Tzou; Wei-Yih Wu; Hong-Chi Wu;
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作者单位

Central RD Division, United Microelectronics Corp., No. 18, Nanke 2nd Rd., Tainan Science Park, Tainan County 741, Taiwan, ROC;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光刻、掩膜;
关键词

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