一款6.4ppm/℃的低功耗带隙基准设计

著录项

• 来源
  《电子技术应用》 |2019年第9期|46-49|共4页
• 作者

  潘鸿泽; 王东兴; 宋明歆;

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• 作者单位

  哈尔滨理工大学理学学院;

  黑龙江哈尔滨150080;

  哈尔滨理工大学理学学院;

  黑龙江哈尔滨150080;

  海南大学;

  海南海口570228;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
• 关键词

  带隙基准; 低功耗; 低温漂; 渐变阻抗;