GaAs/GaAlAs量子阱中磁极化子温度特性的研究

魏宝华; 顾世洧

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GaAs/GaAlAs量子阱中磁极化子温度特性的研究

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本文发展了Larsen的微扰理论,研究了任意磁场强度和有限温度下,GaAs/GaAlAs 量子阱中磁极化子的自陷能与磁场和温度的关系.同时考虑了电子与体内纵光学模(BO)和表面光学模(SO)声子的相互作用,结果表明:磁极化子的自陷与温度的关系与磁场强度的大小密切相关,对电于准二维系统,电子与SO 声子的相互作用起着很明显的作用.

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来源
《上海交通大学学报》 |1992年第6期|70-77|共8页
作者
魏宝华; 顾世洧;
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作者单位

上海交通大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
磁极化子; 量子阱; 自陷能; 半导体;

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