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高扬; 许绍俊; 谌青青; 孟祥钦; 杨涛; 文忠; 张彩虹; 杨成韬;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院;
AlN/ZnO复合薄膜; 磁控溅射; 衬底温度; 结构; 形貌;
机译:衬底温度对直流磁控溅射Al和Ga共掺杂ZnO薄膜结构,形貌,电学和光学性质的影响
机译:衬底表面形貌和界面微观结构对不同衬底上形成的ZnO薄膜的影响
机译:衬底温度对喷涂ZnO薄膜光学和形貌特性的影响,根据Amlouk-Boubaker光热膨胀系数psi_(AB)
机译:Si和AlN / Al_2O_3衬底上SiC薄膜的结构,应变和缺陷的X射线双晶和X射线形貌表征
机译:退火温度对Sol-Gel ZnO薄膜力学性能的影响。
机译:ZnF2掺杂的ZnO靶在不同溅射衬底温度下沉积F掺杂的ZnO透明薄膜
机译:mo衬底上薄膜Gaas的形貌和微观结构
机译:P型半导体薄膜和ZnO基纳米棒的异质结结构,其制造方法和装置,该方法适用于在室温和高温下随温度变化而容易地使具有异质结结构的器件嵌入室温
机译:生产用于薄膜技术中的温度传感器包括在衬底的表面上形成结构化的电阻层,氧化该电阻层并施加保护层。
机译:晶体氧化物介电薄膜和单晶硅衬底的复合结构以及电子器件及其制备方法
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