6H-SiC γ辐照的正电子研究

王海云

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6H-SiC γ辐照的正电子研究

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用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究。实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc。对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用。这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值。

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来源
《南京邮电大学学报：自然科学版》 |2008年第6期|34-36|共3页
作者
王海云;
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作者单位

南京邮电大学数理学院;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
正电子; 缺陷; 半导体;

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