掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究

杨保华; 王玉田; 李成基; 何宏家; 王占国; 林兰英

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本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.

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来源
《半导体学报》 |1989年第2期|81-85|共5页
作者
杨保华; 王玉田; 李成基; 何宏家; 王占国; 林兰英;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
GaAs; LPE; 晶格失配;

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