分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

任大翠

首页> 中文期刊>激光技术 >分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱（MQW）激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属于n=1的电子-轻空穴（1e-lh）约束粒子跃迁的受激辐射。在阈值以上,包含n=1的电子-重空穴跃迁（1e-hh）的受激辐射变为优势。对于这些大面积MQW激光器,还观察到单纵模运转。热沉温度在8到100℃之间,1e-hh跃迁的受激电流阈值Ith随温度以指数形式:Ith∝exp（T/T0）变化,其中T0=230°K。

著录项

来源
《激光技术》|1982年第5期|54-5631|共3页
作者
任大翠;
展开▼
作者单位

长春光机学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 全固源分子束外延InAsP/InGaAsP多量子阱1.55μm激光器 [J] . 郝智彪 ,任在元 ,何为 . 固体电子学研究与进展 . 2002,第2期
2. 分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文) [J] . 潘钟 ,李联合 ,徐应强 . 半导体学报：英文版 . 2001,第9期
3. 分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究 [J] . 刘斌 ,屠玉珍 . 半导体情报 . 1991,第6期
4. 分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质 [J] . 李炳生 ,SHEN Ai-dong . 发光学报 . 2013,第7期
5. Si1-xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究 [J] . 杨宇 ,黄醒良 ,刘晓晗 . 发光学报 . 1995,第4期
6. 基于新型全固源分子束外延技术的1.55μmInAsP/InGaAsP应变多量子阱激光器 [C] . 郝智彪 . 第六届全国分子束外延学术会议 . 2001
7. 中波量子阱红外探测器(QWIP)材料分子束外延生长及器件研究 [A] . 李青青 . 2020

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅