低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池

倪牮; 张建军; 王先宝; 李林娜; 侯国付; 孙建; 耿新华; 赵颖

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低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池

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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400～667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06～0.08 nm/s提高到0.17～0.19 nm/s。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第2期|217-221|共5页
作者
倪牮; 张建军; 王先宝; 李林娜; 侯国付; 孙建; 耿新华; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
非晶硅(a-Si)太阳电池; 低温沉积; 反应气压;

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