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首页> 外文期刊>Journal of Materials Science. Materials in Electronics >The properties of AlGaN films and AlGaN/GaN heterostructures grown on (1120) sapphire substrates
【24h】

The properties of AlGaN films and AlGaN/GaN heterostructures grown on (1120) sapphire substrates

机译：在（1120）蓝宝石衬底上生长的AlGaN膜和AlGaN / GaN异质结构的特性

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Al_(x)Ga_(1-x)N films and Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN heterostructures were prepared on the (1120) sapphire substrates at elevated temperatures by alternate supply of trimethylgallium (TMG)/trimethylaluminum (TMA) and ammonia (NH_(3)) in an inductively heated quartz reactor. X-ray studies reveal the monocrystalline nature of these Al-containing structures. The results of absorption measurements of the Al_(x)Ga_(1-x)N films exhibit clear cut-off energies of the films. Based on the investigations of transmission electron microscopy (TEM), Al_(x)Ga_(1-x)N films and Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN structures were found to deposit on the (1120) sapphire substrates with <0001>_(AlGaN) and <1100>_(AlGaN) being parallel to <1120>_(sapphire) and <1100>_(sapphire), respectively.
机译：通过交替供应三甲基镓（TMG）/三甲基铝（1120）来在高温下在（1120）蓝宝石衬底上制备Al_（x）Ga_（1-x）N膜和Al_（x）Ga_（1-x）N / GaN异质结构（ TMA）和氨水（NH_（3））在感应加热的石英反应器中。 X射线研究表明这些含Al结构的单晶性质。 Al_（x）Ga_（1-x）N薄膜的吸收测量结果显示出清晰的薄膜截止能量。基于透射电子显微镜（TEM）的研究，发现Al_（x）Ga_（1-x）N膜和Al_（x）Ga_（1-x）N / GaN结构沉积在（1120）蓝宝石衬底上其中<0001> _（AlGaN）和<1100> _（AlGaN）分别平行于<1120> _（蓝宝石）和<1100> _（蓝宝石）。

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