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机译:等离子增强原子层沉积生长的RuTaN直接平板势垒上电镀铜的成核和生长特性
College of Nanoscale Science and Engineering, University at Albany, State University of New York, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203;
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机译:等离子体增强原子层沉积生长的混合相RuTaN无籽铜电沉积阻挡层的微观结构分析
机译:等离子增强原子层沉积生长Ru-WCN混合相膜的开发,用于纳米级扩散阻挡层和铜直接板应用
机译:在Pd等离子体增强原子层沉积涂层的TaN阻挡层上直接镀铜
机译:电化学沉积Cu对等离子体增强原子层沉积Cu种子层的整合
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:等离子体增强原子层沉积法在黑磷上直接生长Al2O3
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:用原子层沉积法制备具有超薄纳米层的纳米层:成核和生长问题