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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures >Exposure latitude of deep-ultraviolet conformable contact photolithography
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Exposure latitude of deep-ultraviolet conformable contact photolithography

机译：深紫外适形接触光刻的曝光范围

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The authors present for the first time a study of the exposure latitude of deep-ultraviolet conformable contact photolithography in a nonevanescent regime. Exposures of grating patterns with half-pitches ranging from several hundred nanometers to 100 nm are simulated and experimentally demonstrated using an optimized trilayer resist stack. They show that a mask geometry with the absorber embedded in the glass improves image contrast, and therefore exposure latitude over a conventional chrome-on-glass mask geometry. They show that conformable contact photolithography is suitable for printing 500-100 nm half-pitch features with an exposure latitude of ±22% for ±15% linewidth tolerance.
机译：作者首次提出了在非消逝状态下深紫外适形接触光刻的曝光范围的研究。使用优化的三层抗蚀剂叠层模拟并通过实验证明了半间距从几百纳米到100 nm的光栅图案的曝光。他们表明，在玻璃中嵌入吸收剂的光罩几何形状可改善图像对比度，因此，与传统的玻璃上铬光罩几何形状相比，曝光范围更大。他们表明，适形的接触光刻技术适合印刷500-100 nm半间距特征，其曝光范围为±22％，线宽公差为±15％。

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