Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process

Ü. Sökmen; A. Stranz; S. Fündling; S. Merzsch; R. Neumann; H.-H. Wehmann; E. Peiner; A. Waag

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Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process

机译：使用ICP低温反应离子刻蚀工艺对硅进行浅而深的干法刻蚀

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We achieved to etch nanostructures as well as structures with high aspect ratios in silicon using an inductively coupled plasma cryogenic deep reactive ion etching process. We etched cantilevers, submicron diameter pillars, membranes and deep structures in silicon with etch rates between 13 nm/min and 4 μm/min. These structures find applications as templates for metal organic vapour phase epitaxial growth of GaN-based nanostructures for optoelectronic devices or they are the basic constituents of a nanoparticle balance in the subnanogram range and of a thermoelectric generator.

机译：我们实现了使用感应耦合等离子体低温深反应离子刻蚀工艺在硅中刻蚀纳米结构以及高纵横比的结构。我们在硅中蚀刻悬臂，亚微米直径的柱子，膜和深层结构，蚀刻速率在13 nm / min和4μm/ min之间。这些结构可用作光电器件中基于GaN的纳米结构的金属有机气相外延生长的模板，或者它们是亚纳米级范围内的纳米颗粒平衡和热电发生器的基本组成部分。

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来源
《Microsystem Technologies》 |2010年第5期|p.863-870|共8页
作者
Ü. Sökmen; A. Stranz; S. Fündling; S. Merzsch; R. Neumann; H.-H. Wehmann; E. Peiner; A. Waag;
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