摘要：测量菊花在弱光条件下,出现庇荫症状过程中乙烯生成速率,赤霉素和生长素含量的变化和相关基因表达变化,从激素水平和基因水平探究庇荫机理.以'清露'为试验材料,设置55％光照(对照)和15％光照(弱光),利用气相色谱仪Agilent6890N GC系统在0,2,4,6,8d测量乙烯生成速率,利用高效液相色谱仪Agilent HPLC-110系统在0,2,4,6,8d测量赤霉素和生长素含量,以GAPDH为内参基因用荧光定量PCR方法测量0,2,4,6,8d时PHYA、COP1、PIF4、GAI和IAA1的相对表达量.结果显示:15％光照条件下,第2d,4d时乙烯生成速率显著增加,第4d最显著,比对照增加了2.04倍,第6d以后对照和处理的植株乙烯生成速率差异不显著;15％光照条件下,第2,4,6d时叶片赤霉素含量与对照相比显著增加,第6d时出现峰值;随着处理时间的延长,对照组生长素含量呈增加趋势,弱光处理组生长素含量呈下降趋势.15％光照引起PHYA、COP1、IAA1和PIF4等庇荫响应正调控因子表达上调,15％光照使庇荫负调控因子GAI表达量上调;外源赤霉素使COP1,PIF4基因的表达量上调,使GAI基因表达量下调,PAC处理抑制COP1、PIF4、GAI和IAA1基因表达.得到结论:PHYA、COP1、IAA1和PIF4基因都受光的诱导,弱光引起GAI转录水平上调,赤霉素和乙烯参与到菊花庇荫调节过程中.
