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【24h】

GaN Rods Grown on Si by SAG-HVPE toward GaN HVPE/InGaN MOVPE Core/Shell Structures

机译：SAG-HVPE在Si上生长的GaN棒朝向GaN HVP​​E / InGaN MOVPE核/壳结构

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Selective area growth hydride vapor phase epitaxy (SAG-HVPE) and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) processes are coupled for the synthesis of high quality c-axis InGaN/GaN core/shell structures. The core consists of high aspect ratio GaN rods grown by SAG-HVPE on patterned N-polar AIN on Si(100) substrates. The shell is grown by MOVPE which provides abrupt InGaN/GaN multiquantum wells (MQWs). Microphotoluminescence (At-PL) analysis performed on the HVPE GaN core exhibit a narrow emission line of 3 meV in line width associated with the neutral-donor bound exciton revealing the excellent optical properties of the GaN material. For the core/shell wire geometry, the silane free HVPE process ensured the whole lateral cladding of the core. The hybrid HVPE core/MOVPE shell structures exhibit high optical quality without yellow luminescence.
机译：选择性区域生长氢化物气相外延（SAG-HVPE）和金属有机气相外延（MOVPE）工艺相结合，用于合成高质量的c轴InGaN / GaN核/壳结构。核心由高长宽比的GaN棒组成，该棒由SAG-HVPE在Si（100）衬底上的图案化N极AIN上生长。外壳由MOVPE生长，可提供突然的InGaN / GaN多量子阱（MQW）。在HVPE GaN核心上进行的微光致发光（At-PL）分析显示，与中性施主结合的激子相关的线宽为3 meV的窄发射线，揭示了GaN材料的出色光学性能。对于芯/壳线的几何形状，无硅烷的HVPE工艺确保了芯的整个横向包层。 HVPE核心/ MOVPE混合壳结构显示出高光学质量，没有发黄光。

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