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首页> 外文期刊>Philosophical Magazine Letters >Deep-level defects and turn-on capacitance recovery characteristics in AlGaN/GaN heterostructures
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Deep-level defects and turn-on capacitance recovery characteristics in AlGaN/GaN heterostructures

机译：AlGaN / GaN异质结构中的深层缺陷和导通电容恢复特性

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We report on turn-on capacitance recovery measurements as a simple short-time method of evaluating carrier-trapping phenomena in a two-dimensional electron gas (2DEG) in the bulk region of AlGaN/GaN heterostructures, employing their Schottky barrier diodes. Using this technique, we have investigated an in-depth relation between deep-level defects and 2DEG carrier trapping in an AlGaN/GaN heterostructure with a GaN buffer layer containing a high C concentration. Steady-state photo-capacitance spectroscopy measurements revealed three C-related deep-level defects located at ~2.07, ~2.80 and ~3.23eV below the conduction band in the GaN buffer layer. Additionally, turn-on capacitance recovery measurements showed a large decrease in recovery time under white-light optical illuminations with long-pass filters between 370 and 390nm. It is concluded that the ~3.23eV level is mainly responsible for the 2DEG carrier-trapping phenomena in the GaN buffer layer of the AlGaN/GaN heterostructure.
机译：我们报告了开启电容恢复测量作为一种简单的短时间方法，其在AlGaN / GaN异质结构的散装区域中的二维电子气体（2deg）中评估载体捕获现象，采用它们的肖特基势垒二极管。 使用这种技术，我们研究了用含有高C浓度的GaN缓冲层的AlGaN / GaN异质结构之间的深水位缺陷和2deg载体之间的深入关系。 稳态光电容光谱测量显示，在GaN缓冲层中导通带下方的3个C相关深度缺陷。 另外，开启电容恢复测量测量显示在白光光学照明下的恢复时间下降大，在370和390nm之间的长通滤波器。 得出结论，〜3.23EV水平主要负责AlGaN / GaN异质结构的GaN缓冲层中的2deg载体捕获现象。

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