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机译:共蒸发制备Sb_(2)Te_(3)薄膜及表征
机译:共蒸发制备Sb_(2)Te_(3)薄膜及表征
机译:Bi_(0.4)Te_(3.0)Sb_(1.6)纳米粒子及其薄膜的制备与表征
机译:三元(Bi_(x)Sb_(1-x))_(2)Te_(3)和Bi_(2)(Te_(1-y)Se_(y))_(3)薄膜的电化学沉积和表征
机译:反应共蒸发制备Nd-Ba-Cu-O薄膜
机译:五氧化二钽-二氧化钛的制备和表征:陶瓷和薄膜。
机译:均匀的基于压力的化学气相沉积以MoO3薄膜为前驱体生长MoS2用于共蒸发
机译:COEVAPIONS的β2THTHIN薄膜的制备与表征
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日