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Optical properties of RF-MBE grown AlGaAsN

机译：RF-MBE生长的AlGaAsN的光学性质

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Raman scattering and infrared absorption properties of RF-MBE grown AlGaAsN layers have been reported in order to investigate the microscopic lattice structures related with the nitrogen incorporation. Several new Raman modes of the Al-N bonds have been observed at 449, 500, and 650 cm(-1) in the Raman spectra of AlGaAsN (Al: 18-100%, N: similar to2%) instead of the mode of Ga-N bonds. The results strongly indicated that most of the N atoms form the Al-N bonds in the AlGaAsN layers. The infrared absorption spectra of the AlGaAsN have shown clearly that the TOAlN mode appears at 500 cm(-1). instead of the TOGaN mode that appeared at 469 cm(-1) in GaAsN. The peak shift and the broadening of the absorption peak of the TOAlN mode will be discussed in terms of variation of the statistical distributions of the AlnGa4-nN (n = 0, 1, 2, 3. 4) tetrahedral unit structures with increasing the Al amount. [References: 4]
机译：为了研究与氮掺入有关的微观晶格结构，已经报道了RF-MBE生长的AlGaAsN层的拉曼散射和红外吸收特性。在AlGaAsN的拉曼光谱中（Al：18-100％，N：接近2％），在449、500和650 cm（-1）处观察到Al-N键的几种新拉曼模式，而不是镓氮键。结果强烈表明，大多数N原子在AlGaAsN层中形成Al-N键。 AlGaAsN的红外吸收光谱清楚地表明，TOAlN模式出现在500 cm（-1）处。而不是在GaAsN中以469 cm（-1）出现的TOGaN模式。将讨论随着Al的增加AlnGa4-nN（n = 0、1、2、3、4）四面体单元结构的统计分布的变化，讨论TOAlN模式的峰位移和吸收峰的展宽。量。 [参考：4]

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