首页> 中国专利> 存储器单元，具有个别地包括电容器及晶体管的存储器单元且包括多行存取线及多列数字线的阵列，2T-1C存储器单元，及形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法

存储器单元，具有个别地包括电容器及晶体管的存储器单元且包括多行存取线及多列数字线的阵列，2T-1C存储器单元，及形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法包括：将存取晶体管沟槽部分地形成到绝缘材料中。所述沟槽个别地包括纵向间隔开的经掩蔽部分及在所述沟槽中纵向地介于所述经掩蔽部分之间的纵向间隔开的开口。所述沟槽开口在其中具有在所述个别沟槽开口中且沿着所述个别沟槽开口抵靠所述沟槽的横向相对侧而纵向延伸的壁。通过所述壁之间及所述经掩蔽部分之间的所述沟槽开口的基底而移除位于所述沟槽开口下方的所述绝缘材料中的至少一些材料，以在低于所述壁的所述绝缘材料中形成个别电容器开口。在所述个别电容器开口中形成个别电容器。在所述个别沟槽中形成一排存取晶体管。所述排存取晶体管电耦合到沿着所述排的所述个别电容器。还揭示其它方面，包含独立于方法的结构。

著录项

公开/公告号CN110235245A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-13

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
展开▼

申请/专利号CN201780083169.X
发明设计人 S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米;
展开▼

申请日2017-12-26
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2024-02-19 13:40:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/108 申请日:20171226

实质审查的生效
2019-09-13

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 存储器单元，具有个别地包括电容器及晶体管的存储器单元且包括多行存取线及多列数字线的阵列，2T-1C存储器单元，及形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法 [P] . 中国专利： CN110235245A . 2019-09-13
2. 形成电容器阵列的方法、形成个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列的方法、电容器阵列以及个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列 [P] . 中国专利： CN110192278A . 2019-08-30
3. Memory Cell, An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor With The Array Comprising Rows Of Access Lines And Columns Of Digit Lines, A 2T-1C Memory Cell, And Methods Of Forming An Array Of Capacitors And Access Transistors There-Above [P] . 美国专利： US2019139960A1 . 2019-05-09

机译：存储器单元，分别由一个电容器和一个晶体管组成的存储器单元阵列，该阵列包括存取线的行和数字线的列，一个2T-1C存储器单元以及上述形成电容器和存取晶体管的阵列的方法
4. Memory Cell, An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor With The Array Comprising Rows Of Access Lines And Columns Of Digit Lines, A 2T-1C Memory Cell, And Methods Of Forming An Array Of Capacitors And Access Transistors There-Above [P] . 美国专利： US2018197862A1 . 2018-07-12

机译：存储器单元，分别由一个电容器和一个晶体管组成的存储器单元阵列，该阵列包括存取线的行和数字线的列，一个2T-1C存储器单元以及上述形成电容器和存取晶体管的阵列的方法
5. Memory cell, an array of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor with the array comprising rows of access lines and columns of digit lines, a 2T-1C memory cell, and methods of forming an array of capacitors and access transistors there-above [P] . 美国专利： US10529720B2 . 2020-01-07

机译：存储器单元，分别包括电容器和晶体管的存储器单元的阵列，该阵列包括访问线的行和数字线的列，2T-1C存储器单元以及在其上形成电容器和访问晶体管的阵列的方法