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一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法

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摘要

本发明公开了一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法，通过增加手臂U型槽深度，加大U型两侧距离，将取片位置设置在晶片的边缘位置，减少与晶片接触面积，以避免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片；通过中空皮碗减小晶片的接触面积，增加摩擦防止传送过程中滑片，能够防止吸力太强将晶片吸破。通过光纤传感器检测，检测位置为晶片下方，能保证检测到当前位置上的晶片，保证晶片探测的准确性，并将信号发送给机台，在取消真空后仍能抓取晶片，达到自动抓取晶片工艺的目的，不管是减薄晶片还是普通晶片均能适用。

著录项

  • 公开/公告号CN105575865A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司;

    申请/专利号CN201510974647.9

  • 发明设计人 冯建炜;沈家敏;

    申请日2015-12-23

  • 分类号H01L21/677;H01L21/67;

  • 代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李阳

  • 地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢

  • 入库时间 2023-12-18 15:16:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/677 申请公布日:20160511 申请日:20151223

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/677 申请日:20151223

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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