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SONOS器件以及SONOS器件制造方法

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摘要

本发明提供了一种SONOS器件以及SONOS器件制造方法。根据本发明的SONOS器件包括：硅衬底层、布置在硅衬底层上的隧穿氧化层、布置在隧穿氧化层上的第一氮化硅富硅层、布置在第一氮化硅富硅层上的氮化硅富氮层、布置在氮化硅富氮层上的第二氮化硅富硅层、布置在第二氮化硅富硅层上的阻挡氧化层、以及布置在阻挡氧化层上的多晶硅层；其中，第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的硅含量高于氮化硅富氮层的硅含量；而且第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的氮含量低于氮化硅富氮层的氮含量。

著录项

  • 公开/公告号CN106449766A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201610985482.X

  • 发明设计人 丁航晨;张强;黄冠群;

    申请日2016-11-09

  • 分类号H01L29/792;H01L29/51;H01L21/336;

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2023-06-19 01:39:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/792 申请公布日:20170222 申请日:20161109

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/792 申请日:20161109

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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