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一种MOS晶体管制作方法及MOS晶体管

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本发明提供一种MOS晶体管制作方法及MOS晶体管，通过提供衬底，在衬底上形成多个凸起的STI，STI间的沟槽区分别定义为低压器件区和中压器件区，在沟槽区生长形成栅氧化层，之后在栅氧化层上形成第一保护层；在第一保护层表面覆盖第一光刻胶，通过光刻将栅氧化层的第一保护层暴露，同时将栅氧化层两侧的部分STI暴露；同时将栅氧化层两侧的部分STI暴露，刻蚀被暴露的STI；去除第一光刻胶和第一保护层；生长第二保护层；刻蚀被暴露出的第二保护层，继续在衬底刻蚀形成多晶硅槽；在多晶硅槽处生长形成连接层；通过刻蚀对第二保护层和第二光刻胶进行去除得到MOS晶体管，避免形成缺陷，提升中压器件的可靠性与良率。

著录项

公开/公告号CN114038744A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN202111244747.8
发明设计人谢磊;何志斌;
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申请日2021-10-26
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人刘昌荣
地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 14:09:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 专利申请号:2021112447478 申请日:20211026

实质审查的生效

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