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用于三维集成电路(3DIC)的穿透硅通孔(TSV)的测试结构

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摘要

将基板上的或者3维集成电路(3DIC)中的多个穿透硅通孔(TSV)链接在一起。将TSV链接在一起，从而增大了电信号。多个测试焊盘能够用于测试TSV。一个测试焊盘接地。剩下的测试焊盘电连接到链中的TSV，或者接地。

1. 用于三维集成电路(3DIC)的穿透硅通孔(TSV)的测试结构 [P] . 中国专利： CN102456668B . 2014.03.12
2. 采用分布式穿硅通孔(TSV)场的三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的存储器控制器放置 [P] . 中国专利： CN107111573A . 2017-08-29
3. METHOD OF TESTING THROUGH SILICON VIAS (TSVS) OF THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3DIC) [P] . 美国专利： US2013196458A1 . 2013-08-01

机译：通过三维集成电路（3DIC）的硅通孔（TSVS）进行测试的方法
4. Test structures for through silicon vias (TSVs) of three dimensional integrated circuit (3DIC) [P] . 美国专利： US8421073B2 . 2013-04-16

机译：三维集成电路（3DIC）的硅通孔（TSV）的测试结构
5. TEST STRUCTURES FOR THROUGH SILICON VIAS (TSVs) OF THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3DIC) [P] . 美国专利： US2012097944A1 . 2012-04-26

机译：通过三维集成电路（3DIC）的硅通孔（TSV）的测试结构