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晶片基座及使用该晶片基座的等离子体工艺

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本发明公开了一种晶片基座及使用该晶片基座的等离子体工艺。其中晶片基座用于一等离子体反应室中承载一晶片，包含一具有一第一宽度的绝缘体以及一具有不大于第一宽度的一第二宽度的导体层，且第二宽度不小于晶片的直径，而导体层埋设于绝缘体中。等离子体工艺包含一入料步骤，将上述半导体晶片置于晶片基座上，且半导体晶片在上述晶片基座上的位置包含于上述导体层正上方的区域。

著录项

公开/公告号CN1287438C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-29

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN200410034716.X
发明设计人宋享金;
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申请日2004-04-26
分类号H01L21/68(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人徐乐慧
地址台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 08:58:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2006-11-29

授权

授权
2005-04-13

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-02-09

公开

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