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单次可编程记忆体、电子系统、操作单次可编程记忆体方法及编程单次可编程记忆体方法

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摘要

以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。

著录项

公开/公告号CN106133841B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-20

原文格式PDF
申请/专利权人上峰科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201480051949.2
发明设计人庄建祥;
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申请日2014-09-19
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人梁挥
地址中国台湾新竹市科学工业园区力行一路1号1A2室之A1
入库时间 2022-08-23 10:46:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-20

授权

授权
2016-12-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C17/16 申请日:20140919

实质审查的生效
2016-12-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 17/16 申请日:20140919

实质审查的生效
2016-11-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C17/16 登记生效日:20161111 变更前: 变更后: 申请日:20140919

专利申请权、专利权的转移
2016-11-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 17/16 登记生效日:20161111 变更前: 变更后: 申请日:20140919

专利申请权、专利权的转移
2016-11-16

公开

公开
2016-11-16

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