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晶格失配的多结太阳能电池结构

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本申请提供一种晶格失配的多结太阳能电池结构，包括：衬底，至少一结与衬底的晶格常数失配的晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；所述隧穿结包括：P型掺杂功能层和N型掺杂功能层；其中，所述P型掺杂功能层为掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层。本发明采用掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层，代替现有技术中掺杂C的p型(Al)InGaAs层，作为晶格失配太阳能电池的隧穿结结构的P型掺杂功能层。由于P型层中并不含有In组分，从而可以有效避免p型层因为C的掺杂反应源卤素气体抑制In组分并入，而导致的与太阳能电池中的体材料InGaAs晶格失配的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN110233187B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州乾照光电有限公司;

    申请/专利号CN201910532221.6

  • 发明设计人 吴真龙;李俊承;何胜;吴志明;

    申请日2019-06-19

  • 分类号H01L31/0725(20120101);H01L31/0216(20140101);H01L31/036(20060101);H01L31/032(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人温可睿

  • 地址 225101 江苏省扬州市下圩河路8号

  • 入库时间 2022-08-23 13:02:25

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