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Brief description of embodiments of a field effect transistors of the mos type, and transistors realized in such a process

机译:mos型场效应晶体管的实施例的简要描述,以及在这种过程中实现的晶体管

摘要

A method for producing field-effect transistors of the insulated-grid MOS-type, with a precise positioning of the gate in relation to the source and drain regions, providing for the preliminary formation of these regions (43) and (44) by diffusion from portions of doped silica, such as (70), these portions subsequently being used as masks for forming the gate (45) and establishing its external connection (72).
机译:一种制造栅栅相对于源极和漏极区域精确定位的绝缘栅MOS型场效应晶体管的方法,可通过扩散初步形成这些区域(43)和(44)从掺杂的二氧化硅的部分(例如(70))开始,这些部分随后用作形成栅极(45)并建立其外部连接(72)的掩模。

著录项

  • 公开/公告号FR2388410B1

    专利类型

  • 公开/公告日1981-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMSON CSF;

    申请/专利号FR19770011912

  • 发明设计人

    申请日1977-04-20

  • 分类号H01L21/316;H01L29/78;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 12:31:44

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