声表面波滤波器

摘要： 该文研究了基于层次级联模型的耦合模(COM)参数提取方法。通过仿真42°Y-X LiTaO_(3)衬底的有限长声表面波(SAW)单端谐振器,提取COM参数及建立COM参数数据库,研制了一款1200 MHz的三换能器混合结构的SAW滤波器。结果表明,实际制作器件响应和仿真幅频响应符合性好,验证了该文提取COM参数方法的可行性,可用于指导SAW滤波器设计。

摘要： 在传统的抽指加权技术基础上,该文提出了一种自适应抽指加权技术。通过计算确定抽指加权的起始位置和加权数值,能对切趾换能器进行部分指条的抽指加权。研究结果表明,根据该文提出方法研制的一款声表面波滤波器,其频率为61.60 MHz,-1 dB相对带宽为3.7%,带外抑制大于45 dB,矩形度为1.4,器件的综合性能得到改善。

摘要： 介绍了一种可满足第二代北斗客户端用B3波段载频滤波的声表面波(SAW)射频滤波器。该滤波器采用“5换能器纵向耦合结构+谐振器”的混合型设计方案,在充分考虑了SMD3030A封装及键合引线寄生影响后,成功研制出-1 dB带宽35 MHz、插入损耗2.2 dB、矩形系数1.9的滤波器产品。结果表明,仿真与实测吻合性较好,证明了该设计方案的可行性。

摘要： 使用结构为42°Y-X LiTaO_(3)(600 nm)/SiO_(2)(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4000;滤波器的中心频率为1370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55~+85°C时优于-9×10^(-6)/°C。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。

摘要： 射频前端模块是无线通信的核心,滤波器作为射频前端的关键器件,可将带外干扰和噪声滤除以保留特定频段内的信号,满足射频系统的通讯要求.本文总结了声表面波滤波器工作原理及其传统封装技术,提出了一种圆片级互连封装技术,采用曝光显影、电镀及印刷等工艺实现了芯片焊盘上铜金属层和焊球的形成,避免了芯片核心功能区IDT的损伤.对封装前后电性及上基板可靠性测试,结果表明该封装方案满足声表面波滤波器封装需要.本技术在声表面波滤波器封装方面有广阔的应用前景,适用于批量生产.

摘要： 滤波组件作为当代通信系统中不可或缺的重要部分,高性能、高集成、低损耗是未来的发展方向。该文针对在小体积多通道声表滤波组件设计中如何减少系统受到电磁干扰的核心问题,采用了抗干扰设计,并重点研究了射频(RF)电路中多层电路板的布局和布线。通过实验验证了其各通道性能指标均能有效地正常工作,且各通道间无相互串扰的现象,解决了电磁干扰的问题,从而提高电磁兼容性,实现了小体积多通道声表滤波组件正常工作。

摘要： 通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置。经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MPa较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表面波滤波器晶圆级封装的新技术。

摘要： 对声表面波(SAW)滤波器的SMT贴片过程进行了研究,并对吸嘴选择进行了分析比较.结果表明,通过合理选择SMT贴片吸嘴,优化SMT贴片工艺,可显著减少SAW器件在后道封装过程中的抛料和芯片开裂几率.

摘要： 根据深空探测对频谱分析仪抗辐射、高分辨率、低功耗的需求,研究一种基于Chirp变换的高分辨率频谱分析仪设计及其实现.利用中心频率为1GHz、带宽为400 MHz、色散时间为10μs的声表面波滤波器,提出了一种模拟和数字相结合的高分辨率频谱分析仪设计方案,并搭建原理实验系统完成了实测验证,其分析带宽为400 MHz,频率分辨率达到152 kHz,功耗约为3.6 W.分析了压缩线器件非理想特性对频率分辨率的影响,利用实测压缩线频率响应特性获得幅度和相位补偿曲线,对展宽线信号进行幅相失配补偿仿真结果表明,该补偿方法可将频率分辨率提高至108 kHz.

摘要： 为了模拟高频低损耗声表面波(SAW)滤波器的设计,该文采用二端口阻抗元2T结构建立了包含外壳及点焊线电磁响应的数学模型,并利用回路电流分析法,推导出该模型下的Y、S参数。且在该模型基础上用Matlab编写了程序,为某电台设计了一款频率为1561 MHz,-1 dB带宽大于30 MHz,插入损耗小于2 dB,带外抑制大于40 dB的SAW滤波器,理论模拟与实测吻合较好,表明了此模型在设计高频低损耗SAW滤波器的可行性。

摘要： 锁相环作为一种闭环负反馈相位跟踪系统,在频率合成技术中占有重要地位,广泛应用在导航分系统中,尤其是在时频保持领域中,例如星载原子钟,基准频率合成器,数字信号处理时钟单元,测控应答机等.而锁相环中在对多载波时会大量应用声表面波滤波器的“门特性”来进行频率选择.声表滤波器的频幅,相幅,热释电效应对锁相环指标有着很大的影响,作为数字信号处理的时钟源时,声表的这些特性会导致锁相环瞬间失锁,分系统失同步,这对于导航时频保持系统来说是非常严重的.从幅频特性,相频特性,热释电效应三个方面分析声表面波滤波器特性对锁相环性能的影响,并提出相应的解决办法.

摘要： 本文对声表面波滤波器的基础理论进行了分析,第一部分展示了压电材料压电效应(逆压电效应)的产生机理,并通过例子对比说明了压电材料的晶体结构属性,最后介绍了重要的物理量机电耦合系数;第二部分介绍了声表面波传播的物理机理,重点推导了声表面波在压电介质中的传播性质,并同非压电介质的传播特性进行了对比.

摘要： 以声表面滤波器的结构参数作为染色体的基因，采用基于遗传算法和进化策略的并列选择法，模拟生物在自然环境中的遗传和进化过程进行选择、交叉和变异等遗传操作，对声表面波滤波器的通带插入损耗、通带纹波和带外抑制等性能参数进行多目标同步优化，自动生成同时满足多个滤波器性能参数指标的滤波器结构参数，从而实现了声表面波滤波器的多目标性能参数同步优化，提高了滤波器的整体性能的同时提高了声表面波滤波器的设计效率。

摘要： 利用声表面波滤波器的频率响应特性对其瞬态响应特性进行了计算分析。表明脉冲信号经声表面波滤波器输出的瞬态特性呈现的波动主要来源于滤波器的冲激响应的旁瓣。

摘要： 设计横向SAW滤波器通常采用最小二乘法或Remez算法，得到滤波器的初始加权，本文从等效电路模型出发，首先计算滤波器的导纳参数，建立滤波器的传递函数，然后补偿通带，这样就完成了整个滤波器的分析。

摘要： 声表面波滤波器(SAWF)传统的封装，其体积较大，生产过程中的焊接工艺不稳定带来可靠性下降。本文提出新的封装形式，采用焊接与封装一体化解决的方法，并将LTCC技术融入，提高SAWF的阻带抑制。工艺上由锡焊替代了压焊金丝，其半成品已成为独立器件，适合于多种方法封装和高密度组装。这种封装的优点是，体积小，可靠性好，成品封装灵活。

摘要： 本文研究高性能SAW滤波器中体波干扰对阻带抑制的影响。通过选取适当基片背面粗糙度，及适当硬度的粘接剂获得了满意体波抑制效果。

摘要： 本文中，利用射频磁控溅射法，以高纯(99.999％)ZnO靶作为溅射靶材，在SiO2／Si(100)村底上生长了ZnO薄膜(溅射时间分别为2h，4h，8h)并在纯氧气氛下进行退火。采用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)对ZnO薄膜进行表征。基于ZnO薄膜采用剥离工艺制作了声表面波滤波器。当ZnO薄膜厚度为0.63μm，换能器周期为6μm时，薄膜声速达到5814m／s。

摘要： 在雷达和通信系统中,对声表面波滤波器(SAWF)的阻带抑制要求越来越高,而现今制作的高频SAWF的阻带抑制达不到理论设计值。本文分析了高频SAWF阻带抑制的测量值比理论设计值差的几种原因,用理论和实验对比方法说明了这些因素对高频SAWF的影响,提出了相应隔离直通信号和减小寄生电抗的解决方案。设计制作了620MHz等SAWF,在改进后的高性能测试盒上测试,阻带抑制共改善20dB以上,SAWF的阻带抑制已接近理论设计值。为制作高阻带抑制高频SAWF和正确使用高频SAWF,尽可能优化器件性能,提供了有效方法。

摘要： 采用窗口扫描随机优化方法对slanted-finger IDT滤波器进行极性加权和切趾加权设计，通过对实体的Slanted-finger IDT滤波器的研究及运算，得出结果为：采用本文方法可以有效地设计出阻带抑制高于5OdB的Slanced-forger IDT SAW滤波器。

摘要： 声表面波谐振器，具有压电基板(11)；由设置在压电基板(11)的表面上的多个叉指状电极(12)形成的IDT(13)；以及临近该IDT(13)的两端部设置的反射器(14)。上述IDT(13)具有使两端部的多个叉指状电极(12)的叉指间隔与该IDT(13)的中央附近的叉指间隔不相同的渐变区域，该渐变区域的叉指间隔从位于渐变区域一侧的最靠端部的叉指状电极起到渐变区域另一侧端部的叉指状电极为止的范围内依次变化，同时，将位于渐变区域的一侧的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设定为此所述IDT(13)的中央附近的叉指间隔小1～5%。

摘要： 本发明提供一种声表面波器件(10)，其具有：含有铌酸锂的基板(1)；设置在基板的上表面且由多个电极指(22a)构成的梳型电极(22)；以及覆盖梳型电极(22)并且上表面具有凹凸形状的保护膜(4)。而且，当梳型电极(22)的每个间距的间距宽度为p，每个电极指(22a)的宽度为p1，电极指(22a)间的宽度为p2，梳型电极(22)的厚度为h时，满足如下关系：p1+p2＝p和h/(2×p)≥4.5％。根据此结构，可以获得能够实现适当的反射特性且具有良好的温度特性和电特性的声表面波器件(10)。

摘要： 声表面波谐振器，具有压电基板(11)；由设置在压电基板(11)的表面上的多个叉指状电极(12)形成的IDT(13)；以及临近该IDT(13)的两端部设置的反射器(14)。上述IDT(13)具有使两端部的多个叉指状电极(12)的叉指间隔与该IDT(13)的中央附近的叉指间隔不相同的渐变区域，该渐变区域的叉指间隔从位于渐变区域一侧的最靠端部的叉指状电极起到渐变区域另一侧端部的叉指状电极为止的范围内依次变化，同时，将位于渐变区域的一侧的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设定为比所述IDT(13)的中央附近的叉指间隔小1～5％。

摘要： 本发明提供一种因改善声表面波的横向泄漏，而寄生小且特性优良的声表面波谐振器。本发明的声表面波滤波器在压电衬底上形成有梳状电极与反射器电极，且在梳状电极与反射器电极上形成有SiO2薄膜。梳状电极包含汇流条电极区域、虚设电极区域及交叉区域，而且梳状电极的汇流条电极区域上部成为SiO2薄膜被除去的状态。

摘要： 本发明提供一种在将反射器共通化的声表面波滤波器中，能够抑制纹波的产生的技术。声表面波滤波器(1)具备：纵向耦合谐振器型的第1滤波器部(4)、和相对于第1滤波器部(4)电并联或者串联连接，在声表面波的传播方向上与第1滤波器部(4)排列设置的纵向耦合谐振器型的第2滤波器部(5)。第1滤波器部(4)包含被排列设置在声表面波的传播方向上的第1IDT群(40)。第2滤波器部(5)包含被排列设置在声表面波的传播方向上的第2IDT群(50)。被配置在第1IDT群(40)与第2IDT群(50)之间的反射器(61)构成为被一体化了的共通反射器。反射器(61)的个数是9以上的奇数。

摘要： 本发明提供一种因改善声表面波的横向泄漏，而寄生小且特性优良的声表面波谐振器。本发明的声表面波滤波器在压电衬底上形成有梳状电极与反射器电极，且在梳状电极与反射器电极上形成有SiO2薄膜。梳状电极包含汇流条电极区域、虚设电极区域及交叉区域，而且梳状电极的汇流条电极区域上部成为SiO2薄膜被除去的状态。

摘要： 本发明提供一种在将反射器共通化的声表面波滤波器中，能够抑制纹波的产生的技术。声表面波滤波器(1)具备：纵向耦合谐振器型的第1滤波器部(4)、和相对于第1滤波器部(4)电并联或者串联连接，在声表面波的传播方向上与第1滤波器部(4)排列设置的纵向耦合谐振器型的第2滤波器部(5)。第1滤波器部(4)包含被排列设置在声表面波的传播方向上的第1IDT群(40)。第2滤波器部(5)包含被排列设置在声表面波的传播方向上的第2IDT群(50)。被配置在第1IDT群(40)与第2IDT群(50)之间的反射器(61)构成为被一体化了的共通反射器。反射器(61)的个数是9以上的奇数。

摘要： 本发明的声表面波滤波器的叉指电极的制备方法包括如下步骤：在基板上形成由至少包括铝(Al)和铜(Cu)的合金构成的合金电极层，其中，在利用第一蒸发系统以规定的第一蒸镀速率将所述铝蒸镀到所述基板上的同时，利用第二蒸发系统以规定的第二蒸镀速率将所述铜蒸镀到所述基板上；以及将规定厚度的所述合金电极层形成为所述叉指电极的图案形状。

摘要： 一种声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器，涉及声波表面波领域，能够降低piston的制作难度，降低声表面波滤波器的制作成本。该制作方法包括：在压电基板上形成具有第一镂空图案的第一光刻胶图案层；其中，第一镂空图案包括与叉指换能器的形状相同的部分(100)；在第一光刻胶图案层上形成第一金属薄膜；第一金属薄膜在位于第一镂空图案的区域形成叉指换能器(200)；在第一金属薄膜上形成具有第二镂空图案的第二光刻胶图案层(300)；在第二光刻胶图案层上形成第二金属薄膜；第二金属薄膜在输入反射栅和输出反射栅上位于第二镂空图案区域的表面分别形成谐波抑制结构(400)；去除第一光刻胶图案层以及位于第一光刻胶图案层上的膜层(500)。

摘要： 本发明公开了一种声表面波滤波器的晶圆级封装方法以及声表面波滤波器。该声表面波滤波器的晶圆级封装方法包括：制备单层膜，其中，单层膜设置有若干过孔和若干凹槽；提供衬底，其中，衬底包括若干连接区和若干芯片区，芯片区设置有声表面波芯片，连接区设置有功能线路，功能线路与声表面波芯片电连接；将单层膜设置在衬底之上，其中，凹槽和芯片区共同围成空腔结构，声表面波芯片位于空腔结构内，过孔露出至少部分功能线路。本发明实施例提供的技术方案，简化了声表面波滤波器的晶圆级封装方法的工艺流程、降低了声表面波器件的成本、提高了声表面波器件的良率。