SONOS

摘要： 目前flash扰动失效测试算法无法检测SONOS型flash存储器的全部扰动失效,特别是对读扰动失效检测的失效覆盖率低,且测试效率不高.针对这一问题,本文对March-FT测试算法进行扩展和优化,提出了一种用于检测SONOS型flash存储器的扰动失效测试算法——March-SONOS.结合算法评估系统验证,March-SONOS测试算法可检测SONOS型flash存储器的全部扰动失效,且失效覆盖率达到100%,同时算法测试效率提高55.97%.

摘要： 来自两千年前的音乐启发今天我们的话题是聆听,这几乎是每个人都拥有的本能,只是以往你没有留意、挖掘过自己的这项潜能而已。

摘要： 狗吠、硬币旋转．锅碗瓢盆、链条摩擦，鼓槌敲击……这些生活中琐碎的声音也可以被合成为一条音乐。纳斯达克敲钟是公司在证券市场上市时．最具有仪式感的事件。通常敲钟的关注点往往围绕在敲钟人身上．不过以音响解决方案起家的S0n0s却希望人们把关注点放在敲钟的音乐上．家用智能音响制造公司S0nose近就用这种方式推出了新创作。品牌搜集了10。多个声音素材．为纳斯达克重新设计了敲钟的钟声，这也是纳斯达克首次改变敲钟的声音。S0n0s还发布了一条纪录片．记录这个颇为特别的钟声是如何设计出来的．而其背后的音乐团队指导是曾获得格莱美作曲奖的ChriS Jenkins。

摘要： 谈到智能影响，苹果的Home Pod,Google的Home Max和Sonos Play：5都是佼佼者,但在家中它们都是扮演着雅致低调的角色.总部位于米兰的Habits Studio认为智能音箱应该在家中扮演更抢眼的角色-不只是在声学上表现出色,比如他们推出的OSOUNDXL.OSOUNDXL可以挂置于墙壁上,它配备有手势控制装置,通过蓝牙与手机等智能设备连接,用户可通过手势进行上下曲切换、播放暂停和增大减小音量等操作.

摘要： 自从AI这个概念提出来之后，各种“智能”、“智慧“型的产品就接二连三地出现在了广罗大众的视野之中。在这其中智能音箱，似乎是一个非常热门的关键词，更是此起彼伏地映入了广大消费者的眼睛之中。特别是亚马逊和苹果的推波助澜，更是让智能音箱成为了最近的关键词。这个在以往蓝牙音箱的基础上，加入了各式设备元素，软硬件的新鲜玩意儿，有了一种觊觎天下，想要成为家庭智能设备核心的野心。而各个厂商自然也清楚智能音箱的分量，于是也专心致志地打造着属于自己的家庭智能核心梦。今天我们将要评测地就是这样一款智能音箱，SonosOne音箱是Sonos品牌推出的自家第一款智能音箱，它携带蓍的，是Sonos想要霸占市场的野心和欲望，和普通智能音箱更强调控制不同，SonosOne音箱似乎更偏重关于声音的表达。

摘要： 互联网科技巨头扎堆进场、数据一再井喷、厂商和媒体一致看好……这样的情况让智能音箱成为互联网风口无疑,可这样的情景不仅仅出现在智能音箱领域上,曾经风光无限的上网本、平板电脑、SNS实名社交网、O2O上门、花式共享商业上,都有类似的情景出现过,当前看似红得发烫的智能音箱,会是另一场巨头自嗨的游戏吗?未来五年收入增长超三倍的市场在众多智能家居产品领域,得到巨头扎堆进场支持的智能音箱拥有极为漂亮的数据。据麦姆斯咨询报道,2018年全球智能音箱市场规模预计为26.8亿美元,到2023年预计可增长至117.9亿美元,2018~2023年期间的复合年增长率(CAGR)高达34.44%。类似的预期数据也出现在了朱尼普研究公司(uniper Research)的研究报告中,随着更多的音箱品牌将语音助手融入到他们的设备中,像亚马逊Echo和Sonos One这样的智能音频设备的收入将从2017年的约25亿美元增长到2022年的100多亿美元。

摘要： 不久前,智能音响品牌Sonos的一封邮件让多数人唏嘘不已,邮件内容是多米音乐计划终止相关业务运营,服务器将于2018年2月28日下架,无限期停止音乐服务。这封邮件也宣告着曾经的＂音乐第一股＂多米音乐将成为历史,新兴数字音乐付费市场正在上演一场激烈的淘汰赛。网易云音乐凭借着乐评,在近几年赢得广泛年轻用户的好评和青睐＂免费＂音乐时代即将终结,音乐版权大战愈演愈烈。多米音乐之所以倒下,究其根源在于免费听音乐的时代即将终结,行业竞争愈演愈烈。

摘要： 一种SONOS结构和SONOS存储器的形成方法，所述SONOS结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成图形化的掩膜层，定义出ONO结构的区域；以外延生长法在所述衬底上的ONO结构的区域生长与所述衬底材料相同的基底，所述基底的表面为凸面；去除所述图形化的掩膜层；在所述基底上依次形成隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层，隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和导电层的上表面为凸面；对所述衬底进行离子掺杂，在所述衬底内、基底两侧形成源极和漏极。利用所述方法形成的结构可以解决现有技术中SONOS存储器擦除饱和的问题。

摘要： 本发明提供了一种SONOS结构制造方法以及SONOS结构。根据本发明的SONOS结构制造方法包括：在衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；在富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及在硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；其中，硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化硅层结构，形成一层富硅的氮化硅层和渐变氮化硅层；由于富硅的氮化硅层中有更多的浅陷阱能级，有利于捕获电荷，增加编译和擦除的速度。并且，这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化硅层中富氮的氮化硅层中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间，使器件的可靠性增加。

摘要： 本发明提供一种SONOS器件的制造方法和SONOS器件，提供衬底，衬底上形成有依次彼此相邻的cell区、第一至第三器件区；在衬底上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层包括由下而上堆叠的底部氧化层、氮化层和顶部氧化层；刻蚀去除cell区的第二栅氧化层，在衬底上淀积覆盖cell区和第二栅氧化层的第四栅氧化层；刻蚀去除第一器件区的第二栅氧化层和第四栅氧化层，之后形成覆盖第一器件区的第一栅氧化层；刻蚀去除第二器件区和第三器件区的顶部氧化层和氮化层；刻蚀去除第三器件区上的底部氧化层，之后在第三器件区上形成第三栅氧化层。本发明的SONOS器件中，在每个器件区的表面分别形成有不同的栅氧化层，实现了不同器件栅氧化层的共存，提升了器件的速度和可靠性。

摘要： 本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件，属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件，由于两个相对设置的L型ONO层共用位线，且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端，因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入，相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压，从而提高了器件的可靠性。

摘要： 本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件，属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件，由于两个相对设置的L型ONO层共用位线，且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端，因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入，相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压，从而提高了器件的可靠性。

摘要： 本发明提供了一种SONOS存储器的形成方法及SONOS存储器，包括：提供半导体基底，所述半导体基底定义有选择管区和存储管区；分别在选择管区和存储管区进行第一离子注入和第二离子注入；在半导体基底上形成ONO叠层，并利用形成所述ONO叠层过程中的热处理来激活所述选择管区和所述存储管区的注入离子。所述SONOS存储器的制作对选择管区和存储管区分别进行离子注入以后，再对注入离子进行激活，可以有效地降低注入离子的跨区扩散，使得选择管区和存储管区的离子分布更加均匀可控，有利于提高最终形成的选择管器件和存储管器件的阈值电压的均一性和稳定性，并提升SONOS存储器的性能。

摘要： 本发明提供了一种SONOS器件以及SONOS器件制造方法。根据本发明的SONOS器件包括：硅衬底层、布置在硅衬底层上的隧穿氧化层、布置在隧穿氧化层上的第一氮化硅富硅层、布置在第一氮化硅富硅层上的氮化硅富氮层、布置在氮化硅富氮层上的第二氮化硅富硅层、布置在第二氮化硅富硅层上的阻挡氧化层、以及布置在阻挡氧化层上的多晶硅层；其中，第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的硅含量高于氮化硅富氮层的硅含量；而且第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的氮含量低于氮化硅富氮层的氮含量。

摘要： 本发明涉及SONOS结构EEPROM的存储器阵列、SONOS结构EEPROM、在SONOS结构EEPROM中进行操作的方法、以及SONOS器件。其中存储器阵列包括多个字节存储单元，其中每个字节存储单元包括8个比特存储单元；每一个所述比特存储单元包括用于分别存储两个相反信息之一的第一存储子单元和第二存储子单元；且所述第一存储子单元和第二存储子单元相邻布置、且结构和尺寸相同；所述第一存储子单元和第二存储子单元分别连接于各自的位线。实施本发明，可以使用很小尺寸的SONOS工艺存储单元(一般不到普通浮栅结构EEPROM存储单元的1/5)、有效节省芯片面积；可以缩短擦/写所需时间，在编程时间上接近浮栅结构EEPROM。从而，在性能基本接近浮栅型EEPROM的前提下，芯片面积和成本能得到大幅度的降低。

摘要： 本发明提供了一种提升SONOS器件数据保持力的方法以及SONOS器件结构。所述SONOS器件包括依次邻接的栅极硅、顶层氧化硅层、氮化硅层、隧穿氧化硅层、以及衬底硅层；所述提升SONOS器件数据保持力的方法包括：使得所述氮化硅层中靠近所述顶层氧化硅层及所述隧穿氧化硅层的氮化硅区域的Si/N比大于所述氮化硅层中间部分的Si/N比。由此，可以通过简单改进来提升SONOS器件数据保持力，而无需复杂工艺；并且，根据本发明第一方面所述的提升SONOS器件数据保持力的方法不会增大氮化硅层的介电常数，从而能够制造较厚的隧穿氧化硅层而不会引起太高的操作电压。

摘要： 本实用新型涉及SONOS结构EEPROM的存储器阵列、SONOS结构EEPROM、以及SONOS器件。其中存储器阵列包括多个字节存储单元，其中每个字节存储单元包括8个比特存储单元；每一个所述比特存储单元包括用于分别存储两个相反信息之一的第一存储子单元和第二存储子单元；且所述第一存储子单元和第二存储子单元相邻布置、且结构和尺寸相同；所述第一存储子单元和第二存储子单元分别连接于各自的位线。实施本实用新型，可以使用很小尺寸的SONOS工艺存储单元(一般不到普通浮栅结构EEPROM存储单元的1/5)、有效节省芯片面积；可以缩短擦/写所需时间，在编程时间上接近浮栅结构EEPROM。从而，在性能基本接近浮栅型EEPROM的前提下，芯片面积和成本能得到大幅度的降低。