巨磁电阻

摘要： 巨磁电阻传感特性是物理实验教学关注点,而且认为其近似线性工作区适用于弱磁场测量.传感器测量定标是一项严谨的实验工作,针对惠斯通电桥结构的巨磁电阻传感特性,采用线性拟合属于半定量标定.使用周期磁场调制并结合锁相放大技术,由微分测量实验值直观地描述曲线斜率变化,从而理解分段线性插值是常用有效的传感定标方法.通过对数据拟合和微分测量技术比较,不仅体现不同分析方案的原理共性,也展示了基于实验事实的技术方法更符合物理实验教学需要.

摘要： 焊缝表面纹理引起的干扰信号限制了电涡流检测技术对焊接中缺陷的检出,将矩形激励线圈和GMR器件相结合,设计了电涡流检测探头,仿真分析了在0.5,1和4 kHz激励频率条件下该探头检测的磁感应强度的分布规律,并选择0.5,4 kHz构成混频激励,针对这两个频率下的检测数据,提出了对于这两个激励频率数据的融合方法,以FPGA为核心,结合X-Y数控平台,构建了试验平台,针对实际铝合金焊接缺陷进行了试验.结果表明,该方法在抑制焊接表面纹理造成的干扰信号的同时,也抑制了两个焊接铝合金板夹角引起的干扰,对于直径小于1 mm的亚表面缺陷,虽然两个激励频率下的数据很难清晰体现缺陷,但是采用该方法可被成功检测.

摘要： 根据多层膜巨磁电阻(GMR)传感器检测速度快、灵敏度高、仪器易于小型化的特点,比较了不同磁场激励方式与输出信号处理方法,采用电桥电压与激励磁场双调制的检测方法,提高了传感器的信噪比,实现了微米磁珠的定量检测和纳米磁珠的定性检测.%According to advantages of rapid detection,high sensitivity and easy to be miniaturized of giant magnetoresistance(GMR)sensor,and characteristics of multilayer GMR sensor,excitation mode of different magnetic field and method of output signal processing are compared.The signal to noise ratio(SNR)of sensor is enhanced by double-modulation detecting method of bridge and voltage and excitation magnetic field.This method achieves magnetic micron-particle quantitative detection and nanoparticle qualitative detection.

摘要： 利用结合密度泛函理论和非平衡格林函数方法的第一性原理模拟计算,系统地研究了边缘钒原子钝化的扶手椅型硅烯纳米带(ASiNR)的自旋输运性质。采用过渡金属钒和卤族氟原子对ASiNR边缘进行修饰,设计了三种新型的晶体结构。通过构造相应的两极器件系统并计算模拟出不同电极磁化构型下的电子透射谱,发现它们都具有自旋过滤和巨磁电阻效应。此外,在电极反铁磁构型(AFM)下,温度处于-223≤T≤-123°C时,其中一个系统表现出较好的自旋热电效应。

摘要： 利用结合密度泛函理论和非平衡格林函数方法的第一性原理模拟计算,系统地研究了边缘钒原子钝化的扶手椅型硅烯纳米带(ASiNR)的自旋输运性质.采用过渡金属钒和卤族氟原子对ASiNR边缘进行修饰,设计了三种新型的晶体结构.通过构造相应的两极器件系统并计算模拟出不同电极磁化构型下的电子透射谱,发现它们都具有自旋过滤和巨磁电阻效应.此外,在电极反铁磁构型(AFM)下,温度处于-223≤T≤-123°C时,其中一个系统表现出较好的自旋热电效应.%Employing the first-principles simulations combining the density functional theory and the non-equi-librium Green′s function method,we studied spin transport properties of edge passivated armchair silicene nanoribbon(ASiNR)by vanadium atoms. Using transition metal vanadium and halogen fluorine atoms to func-tionalize ASiNR on edge,we designed three kinds of novel crystal structures.Establishing the corresponding two-terminal device systems and simulating the electronic transmission spectrum in different configurations of elec-trode magnetization,we found that spin filtering and giant magnetoresistance effects appear in all of them. In ad-dition, significant spin Seebeck effects are realized in one of the systems with antiferromagnetic configuration in the temperature range between-223 and-123 °C.

摘要： 利用超高真空磁控溅射系统,通过改变生长气压、生长功率等制备了矫顽力小、方形度好的FeCo、FeGa磁性薄膜.以FeCo作为自由层,并在其引入大磁致伸缩系数材料FeGa,获得具有FeCo/FeGa复合自由层的自旋阀结构.通过优化薄膜厚度获得了磁电阻比5.9%、自由层矫顽力34 Oe的最佳综合磁性能.将具有复合自由层的自旋阀结构制备在柔性聚对苯二甲酸乙二酯衬底上,在接近2%的拉应变作用下,器件有良好的应变响应,其磁电阻比从5.9%几乎线性地降至4.9%,因此可以用于柔性应变传感器.%FeCo and FeGa thin films with small coercivity and large remanence ratio were prepared by changing the sputter pressure and power in an ultra-high vacuum magnetron sputter system. Using FeCo as free layer and introducing large magnetostrictive FeGa alloy into the free layer the spin-valve structure was prepared with FeGa/FeCo composite free layer. By optimizing the layer thickness, spin valve was obtained with GMR ratio of 5.9 %, the free layer coercivity of 34 Oe. Then, the spin-valve structure with a FeGa/FeCo composite free layer was prepared on flexible PET substrate. Under a tensile strain of 2 %, the device has a good strain response, and its GMR ratio is reduced from 5.9 % to 4.9%, thus it has a potential application in flexible strain sensor.

摘要： 通过高真空直流溅射法在硅基地上沉积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的具有人工反铁磁(SAF)被钉扎层结构的自旋阀薄膜,研究了SAF结构中的CoFe层厚度对自旋阀的巨磁电阻变化率和交换场的影响.结果表明:与无SAF结构的自旋阀相比较,SAF结构自旋阀的交换场可以达到350 Oe.进一步讨论了SAF结构中CoFe层厚对自旋阀薄膜交换场和磁阻率的调制机理.%Spin valve with artificial antiferromagnetic and pinning layer structure is deposited on silicon-based ground by fine vacuum and direct current sputtering method,and its structure is Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta.The effect of thickness of CoFe in SAF on changing rate of giant magnetoresist-ance and exchange field of spin valve is studied.The result shows that the exchange field of SAF structure valve may reach 350 Oe by comparing with that without SAF structure.In SAF,modulating mechanism from CoFe thickness to exchange field of spin valve and magnetic reluctivity is discussed here.

摘要： 近年来随着磁电子器件的快速发展,基于巨磁电阻(giant magneto resistive,GMR)效应的传感器则为智能电网的在线电流监测提供了一种新的选择.对于光伏发电系统,电流的精确检测是光伏发电系统得以可靠和高效运行的基础,高性能的电流传感器的研发,对提高光伏发电系统的实际应用有重要意义.但巨磁电阻的性能受外界环境的影响较大,因此会使测量产生一定的误差,本文主要针对非线性误差,磁滞,零漂和温漂对国内外所提出了各种温度补偿方案进行分析,这些方案当中包括使用硬件电路和通过算法的校正,以及采用闭环磁补偿结构改善了磁性材料的磁滞效应引入的误差,提高巨磁电阻传感器的线性度及灵敏度.

摘要： 电涡流检测是基于电磁感应原理的一种常规无损检测方法.从麦克斯韦方程出发,采用交流线圈为检测工件提供激励磁场,利用电磁感应原理,分析缺陷附近电磁场变化,使用巨磁电阻在缺陷附近输出电压的变化,设计电涡流无损检测方案.经过Comsol进行仿真验证,该方法能较好的检测金属缺陷.

摘要： 为了实现对不同负载类型照明暗线的探测,减少盲目施工的触电隐患,设计了一款照明线路探测仪.该探测仪基于电磁感应原理,以巨磁电阻为基本探测元件,设计合理地放大、滤波电路采集拾取信号,以STM32为运算处理单元,对采集的信号执行FFT变换,并通过频谱分析实现不同负载类型照明暗线区分.经多次整体实验测试,所得结果均证实所设计的照明线路探测仪能在3~4 cm的间距内准确地实现有无通电线路及线路负载为白炽灯还是节能灯的区分.

摘要： 钙钛石型锰复合氧化物材料(La0.7 Sr0.3 Mn O3)具有巨磁阻现象.本文主要介绍在拉压力学实验平台对巨磁阻氧化物随外界压力和电流的变化伏安特性响应不同进行研究.

摘要： 磁电子学与器件是二十世纪八十年代末新兴的一门综合性学科，经过短短十多年的迅猛发展，导致了人类前所未有的技术进步和巨大的商业市场，部分磁电子器件已经进入商业化阶段，并将在未来的继续发展中不断改变人类的科技进程。rn 本文首先介绍目前几种基于GMR、TMR的磁电子器件的基本结构和工作特点。目前，以AlO为势垒层的磁隧道结研究已经取得了比较深入和系统的研究成果，新一代MgO磁隧道结正在继续发展之中，基于自旋转移效应的应用研究是当前人们关注的焦点，它对GMR、TMR器件的未来发展将可能产生深刻的影响。同时，全新的磁电子器件方案已经奠定，将电子自旋自由度的操控与半导体器件相结合实现新的功能器件，已成为研究人员进一步追求的目标。rn 本文以几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理为重点，着重介绍包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、自旋转移磁化反转与微波振荡器和自旋晶体管。最后就目前在应用中存在的主要科学问题和技术问题给出进一步的思考。

摘要： 本文提出了一种基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器,不仅对各类应用具有更强的适应能力,而且能够与嵌入式系统配合而实现"智能化"传感与控制系统。该传感器中，封装集成了东方微磁科技有限公司生产的VA100F2自旋阀传感器芯片以及针对该传感器的信号特点专门设计的一款可编程仪表放大器芯片.测试表明，本文所提出的传感器可以有效的实现近似1～8倍原始灵敏度的可编程调节.

摘要： 本文提出了一种基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器,不仅对各类应用具有更强的适应能力,而且能够与嵌入式系统配合而实现"智能化"传感与控制系统。该传感器中，封装集成了东方微磁科技有限公司生产的VA100F2自旋阀传感器芯片以及针对该传感器的信号特点专门设计的一款可编程仪表放大器芯片.测试表明，本文所提出的传感器可以有效的实现近似1～8倍原始灵敏度的可编程调节.

摘要： 本文提出了一种基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器,不仅对各类应用具有更强的适应能力,而且能够与嵌入式系统配合而实现"智能化"传感与控制系统。该传感器中，封装集成了东方微磁科技有限公司生产的VA100F2自旋阀传感器芯片以及针对该传感器的信号特点专门设计的一款可编程仪表放大器芯片.测试表明，本文所提出的传感器可以有效的实现近似1～8倍原始灵敏度的可编程调节.

摘要： 本文提出了一种基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器,不仅对各类应用具有更强的适应能力,而且能够与嵌入式系统配合而实现"智能化"传感与控制系统。该传感器中，封装集成了东方微磁科技有限公司生产的VA100F2自旋阀传感器芯片以及针对该传感器的信号特点专门设计的一款可编程仪表放大器芯片.测试表明，本文所提出的传感器可以有效的实现近似1～8倍原始灵敏度的可编程调节.

摘要： 计算了NiFe/Cu薄膜的弹性应变能和表/界面能.结果表明{100}晶面和{111}晶面分别是弹性应变能和表/界面能最小的晶面,使薄膜在生长过程中出现择尤取向而产生{100}和{111}纤维织构.比较两种织构的形成机制,{100}织构具有最低的弹性应变能和表/界面能,因此NiFe/Cu薄膜在退火后的最终织构是{100}.同时提出弹性应变能是退火后薄膜发生{111}织构向{100}织构的转变的主要驱动力.

摘要： 计算了NiFe/Cu薄膜的弹性应变能和表/界面能.结果表明{100}晶面和{111}晶面分别是弹性应变能和表/界面能最小的晶面,使薄膜在生长过程中出现择尤取向而产生{100}和{111}纤维织构.比较两种织构的形成机制,{100}织构具有最低的弹性应变能和表/界面能,因此NiFe/Cu薄膜在退火后的最终织构是{100}.同时提出弹性应变能是退火后薄膜发生{111}织构向{100}织构的转变的主要驱动力.

摘要： 计算了NiFe/Cu薄膜的弹性应变能和表/界面能.结果表明{100}晶面和{111}晶面分别是弹性应变能和表/界面能最小的晶面,使薄膜在生长过程中出现择尤取向而产生{100}和{111}纤维织构.比较两种织构的形成机制,{100}织构具有最低的弹性应变能和表/界面能,因此NiFe/Cu薄膜在退火后的最终织构是{100}.同时提出弹性应变能是退火后薄膜发生{111}织构向{100}织构的转变的主要驱动力.

摘要： 计算了NiFe/Cu薄膜的弹性应变能和表/界面能.结果表明{100}晶面和{111}晶面分别是弹性应变能和表/界面能最小的晶面,使薄膜在生长过程中出现择尤取向而产生{100}和{111}纤维织构.比较两种织构的形成机制,{100}织构具有最低的弹性应变能和表/界面能,因此NiFe/Cu薄膜在退火后的最终织构是{100}.同时提出弹性应变能是退火后薄膜发生{111}织构向{100}织构的转变的主要驱动力.

摘要： 本发明公开一种自旋阀巨磁电阻，包括钉扎层、被钉扎层、非磁间隔层和自由层，所述的自由层含有镍铁钼锰合金(NiFeMoMn)材料。本发明还提出了一种验钞机磁头传感器，它包括电极和磁传感器，所述的磁传感器为自旋阀巨磁电阻。由于我们选用NiFeMoMn材料代替自由层中的NiFe，得到低矫顽力的自旋阀巨磁电阻材料，即满足了磁场传感器的特殊需要。这种材料可以用来制作验钞机磁头传感器及其他磁场传感器。自旋阀巨磁电阻灵敏度高，能减少由于化合物半导体材料磁传感器成品率低的问题，还能削减附加电路中的构成零件，因此能进一步改善验钞机磁头的性能，提高生产效率，降低生产成本。

摘要： 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。

摘要： 本发明公开一种自旋阀巨磁电阻，包括钉扎层、被钉扎层、非磁间隔层和自由层，所述的自由层含有镍铁钼锰合金(NiFeMoMn)材料。本发明还提出了一种验钞机磁头传感器，它包括电极和磁传感器，所述的磁传感器为自旋阀巨磁电阻。由于我们选用NiFeMoMn材料代替自由层中的NiFe，得到低矫顽力的自旋阀巨磁电阻材料，即满足了磁场传感器的特殊需要。这种材料可以用来制作验钞机磁头传感器及其他磁场传感器。自旋阀巨磁电阻灵敏度高，能减少由于化合物半导体材料磁传感器成品率低的问题，还能削减附加电路中的构成零件，因此能进一步改善验钞机磁头的性能，提高生产效率，降低生产成本。

摘要： 本发明公开了一种高灵敏度巨磁电阻和隧穿磁电阻生物传感器，包括：GMR传感器或TMR传感器和保护层，保护层覆盖在所述GMR或TMR传感器上；其中，所述保护层由塑性材料制成，其厚度小于100nm。本发明采用聚二甲基硅氧烷等塑性材料作为保护层和生物适应层，可以将检测信号提高27倍以上，检测灵敏度最大可达10

摘要： 本发明公开了一种基于巨磁电阻的磁场测量装置和方法，包括巨磁电阻、初级放大模块和次级放大模块，巨磁电阻依次连接到多组交错布置的初级放大模块和次级放大模块。本发明通过基于巨磁电阻的直接耦合多级放大电路的方式，实现了对微弱信号的放大，从而间接反映环境中磁场大小，设计简单且兼备灵敏度高、准确度高，易于制作，且可通过控制放大级数来实现精度控制，从而达到节约成本的目的，以弥补以往测量方法复杂的问题。

摘要： 一种巨磁电阻线性传感器实现方法，属于电子材料与元器件技术领域。首先，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极；然后，在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层；最后，在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。本发明巨磁电阻线性传感器实现方法，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。

摘要： 本发明公开了一种基于巨磁电阻效应的电流测量装置，该装置包括高频磁芯，主电流第一线圈、第一巨磁电阻、第二巨磁电阻、第三巨磁电阻、第四巨磁电阻、差压测量放大电路、电流驱动和电压测量电路，检流电阻、主电流第二线圈、测量电流励磁线圈。该装置采用隔离闭环方式测量电流，高频磁芯中的磁场强度约为0，工作在线性区，避免了因为磁饱和、磁滞等非线性因素带来的误差。另外，采用带温补的参考电压产生电路产生电桥所需的参考电压，进一步提高了测量精度。该装置采用隔离方式测量电流，安全性高且对原电路影响小。该装置中巨磁电阻配置成电桥形式，并采用深埋于磁芯中和从磁场不敏感方向引线的工艺，最大限度避免了杂散磁场的干扰。

摘要： 本发明公开了一种具有类巨磁电阻效应的多层膜材料及其制备方法，该多层膜材料包括衬底，所述衬底上设有第一铁磁层，所述第一铁磁层上设有非磁隔离层，所述非磁隔离层上设有第二铁磁层，所述第二铁磁层上设有反铁磁层，所述反铁磁层上设有保护层。该多层膜材料及其制备方法可用于自旋相关输运研究和设计出新型自旋电子学器件，可基于绝缘体亚铁磁性多层膜实现自旋流的输运，在绝缘体亚铁磁性自旋阀异质结构多层膜中产生类巨磁电阻效应，其类GMR在外磁场接近于0时具有明显的响应，不限制系统中第二铁磁层的矫顽力，扩大了可进行实际应用的材料范围，制备工艺简单，样品可重复测试，适用温区广，5年保质。

摘要： 本发明公开了一种基于巨磁电阻芯片的角度传感器，其结构包括转轴、同步轮、操作箱，转轴上设有同步轮，同步轮与转轴相连接，操作箱上设有转轴，转轴与操作箱间隙配合，操作箱设有箱体、回旋轴、后盖、芯片、磁铁、稳定器，箱体内部设有回旋轴，回旋轴与箱体嵌合，回旋轴上安装有磁铁，磁铁与回旋轴相连接，稳定器安装在箱体上，本发明的稳定器抵扣支撑在回旋轴上，增加了回旋轴的支撑面积，而调节器的夹合块可通过调节组装结构抵扣在回旋轴的底部，进一步增加了回旋轴的支撑点，且回旋轴被稳定器所包裹，稳定器将回旋轴局限在包裹空间内，缩小了回旋轴的可晃动空间，回旋轴便不会受径向力和轴向力的影响而轻易晃动。

摘要： 本实用新型属于电机控制装置技术领域，尤其为基于巨磁电阻传感器的车用永磁同步电机控制设施，包括安装底座，安装底座上设置有滑槽，滑槽上设置有滑板，滑板内部设置有活动腔，活动腔内部设置有复位弹簧，复位弹簧顶部固定安装有活动杆，活动杆上固定安装有压板，压板底部固定安装有橡胶块，安装底座顶部固定安装有阻尼缓冲柱，阻尼缓冲柱内部设置有缓冲弹簧，阻尼缓冲柱顶部固定安装有承载板，承载板顶部设置有设备主体。本实用新型通过设置有滑槽、滑板、复位弹簧、活动杆、压板和橡胶块进行配合使用，便于对设备主体进行快速安装和拆卸，方便对其进行检修和维护，操作使用较方便，便于提高工作人员的工作效率。