延迟线

摘要： 太赫兹时域光谱系统作为有效的相干探测技术,提高太赫兹的探测速度是其研究重点。通过说明延迟线的基本原理并进行数学分析,设计了具有4个子叶片的快速旋转延迟线,总延迟距离为127.339 mm,延迟时间为424.464 ps。利用LIGHTOOLS进行理论光线模拟,对轴振动和安装产生的误差进行模拟,并对轴体旋转的模态进行分析。设计和仿真结果表明:此光学延迟线装置能在空间上有效地分开光束平行出入射,且低于一阶模态频率,可稳定旋转,加工可行性较高,能实现较大的延迟时间且重复性较好,有利于快速探测到太赫兹信号,提高太赫兹时域光谱系统扫描速度。

摘要： 声表面波(SAW)延迟线作为传感器可对传感器进行编码,从而实现多点分布式测量,因而受到广泛研究。该文采用128°Y-X切向LiNbO_(3)作为压电基底,制备了不同对数的叉指换能器(IDT)的SAW延迟线,并研究了其应变特性。研究结果表明,IDT对数为10对、20对、30对时,SAW延迟线应变灵敏度分别为1.7275 ps/με、2.0467 ps/με、3.2566 ps/με。SAW延迟线的应变特性和应变方向与声波传播方向间的夹角有关,夹角为0°时,延迟时间随应变的增大而增大;夹角为90°时,延迟时间随应变的增大而减小。利用夹角分别为0°和90°的SAW延迟线构成了差分结构的应变传感器。测试结果表明,该差分结构可抵消温度的影响,即温度变化时也可获得准确的应变。该文研究的差分结构延迟线有望在温度波动环境中测试应变时得到应用。

摘要： 传统串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)传输带宽较低,对此可以通过增大传输线位宽和双沿采样的方法提高SPI接口带宽。自动de-skew算法能够有效消除后端布局布线与印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)走线引入数据间的skew和数据与时钟间的skew,降低后端设计和PCB设计的难度。由于传统SPI通信中从机不能主动暂停通信,因此提出基于先进先出存储器(First Input First Output,FIFO)空、满状态的流量控制方式,通信的任意一方可以暂停通信,直到传输条件满足后继续传输。

摘要： "引信过门限""延迟起爆""点火"信号是某型导弹引信性能测试的三个重要参数,本文针对三型设备引信参数测试结果不一致的情况,对引信灵敏度、作用距离、延迟线长度、引信测试方法进行了深入分析与论述,对各型设备技术状态进行了检测,找出测试结果不一致的原因并提出改进方案.

摘要： 通过优化K波段声体波换能器设计,突破200 nm极薄压电薄膜制备和微带线匹配等技术,研制了K波段体声波延迟线样品。研究结果表明,样品的中心频率大于23 GHz,带宽大于1000 MHz,延迟时间295 ns,外形尺寸约25 mm×16 mm×14 mm,是目前国内外已报道的工作频率最高的声体波延迟线。

摘要： 该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。

摘要： 对涂硼多丝正比室的中子探测效率进行了优化,并搭建出一套基于数字化仪及延迟线读出的电子学系统:延迟线读出法利用延迟块实现了时间和位置的转换;数字化仪将多路通道脉冲信号同时采集,结合WaveCatcher软件可对脉冲波形的输出振幅和时间信息实时测量和保存.采用α源对读出系统进行了多丝正比室的位置分辨测试,系统位置分辨率可达0.45 mm,并进行了入射粒子的二维成像显示,测试结果验证了读出系统的可行性.

摘要： 本文针对宽带相控阵系统中高性能延迟组件的功能需求,设计了一款运用在宽带相控阵雷达系统中的延迟线,简单介绍了共面波导基本概念。借助EDA电磁仿真软件对延迟线的长度、间距、线宽及弯角进行布局,采用曲折传输线布线方式,设计了4个具有高精度、宽频带、小型化共面波导延迟线,分别具有1λ、2λ、4λ、8λ的延迟量,工作频率为12-16 GHz,带内相位线性度优于2°,输入输出驻波比小于1.2,插入损耗小于4dB。

摘要： 声表面波(SAW)谐振器已广泛应用于各种无线传感器中,为了实现高更新率、高精度的SAW测量,该文提出了一种基于低成本六端口的谐振式SAW查询系统。通过低成本六端口干涉仪,精确快速地测定无源SAW谐振器的频率。利用延迟线,将频率测量值简化为可通过六端口网络进行即时评估的相位测量值,即将引入的相移与非延迟信号进行比较获得频率估计。研究结果表明,与传统设计相比,所提设计不需进行复杂的信号处理,可提供高更新率,且系统成本较低。2.4 GHz频带的实验证明了所提设计的可行性和优越性,实现的精度较高,且测量时间仅需约3μs。

摘要： 本文介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的多层延迟线,工作频率在34.2GHz,相位延迟为16λg和32入g的带状线延迟线.由于LTCC技术的工艺特点,能够实现结构的小型化同时能够得到较小的插入损耗和驻波系数.文中的16λg和32λg的尺寸分别为8.6×8.1×2.538mm3和8.5×14.3×2.538mm3.最终仿真结果:16入g带内插损优于2.89dB,驻波小于1.236;32λg带内插损优于2.86dB,驻波小于1.353.

摘要： 文章介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的三维多层带状线型的延迟线组件.组件分为六个延迟单元,分别产生1λ、2λ、4λ、8λ、l6λ、32λ延迟,六个单元级联后可以产生最小1λ、最大63λ、步进为1λ的延迟.通过HFSS仿真可以发现,与其他技术相比,使用了LTCC工艺的延迟线不仅能够得到较小的插入损耗与驻波系数,而且可以显著缩小延迟线的尺寸.仿真结果显示,当最大延迟63λ时,带内(8.5-10.5GHz)插损小于24.5dB,输入输出驻波比小于1.8.整个延迟线组件的尺寸为12.7×34.6×2.6mm.

摘要： Love波传感器的波导层和吸附层通常是不同材料的,一般先在整个器件表面覆盖一层声波导层材料,然后在感应区域对应的波导层上涂镀吸附层,但是这样会增大延迟线的插入损耗。文中设计了一种不连续波导层的Love波延迟线,即在感应区域,吸附层直接镀在压电基片上,同时兼作声波导层；在其他区域覆盖声波导层材料。实验器件制作在ST-90°X石英晶体上,中间感应区域用Au作波导层和吸附层,其他区域采用SU-8光刻胶作声波导层,结果表明,采用这种结构的延迟线可以降低损耗2dB以上。

摘要： 本文介绍了我们设计的100ns高温超导延迟线。采用的基片为直径为Φ2英寸的铝酸镧,双面溅射高温超导YBCO薄膜,制备了实际的电路,通过级联的方式,获得了长延时的结果。实测结果显示：在65K下,此高温超导延迟线在1.5至6.5GHz的频率范围内,延时100ns以上,插入损耗小于6.3dB,驻波比优于1.6。良好的驻波性能(反射波损耗)使得这种延迟线能够与其它组件级联起来不会使系统的性能降低。

摘要： 通过优化换能器拓扑结构和匹配网络设计，研制出f0-10.75GHz，△f-3dB≥500MHz，△t-10.5μs的X波段声体微波延迟线。该产品的插入损耗=-52dB、直通抑制=55dB，三次渡越抑制=27dB。

摘要： 氚(3H)衰变发射的β射线最大能量为18.6keV,最可几能量3.8keV,在空气中射程极短,因而可以从其与探测器工作气体作用产生的初始电离空间分布获得氚污染分布的信息.本文设计了一种基于延迟线的位置灵敏无窗流气式正比计数器,灵敏面积85mm×65mm,位置分辨能力(FWHM)约为2.5mm.位置灵敏多丝使阳极丝平面由30根(Φ)25μm镀金钨丝组成,丝间距2mm.X方向阴极平面由30根间距2.5mm,直径(Φ)60μm镀金钨丝组成,X方向与阳极丝平行.Y方向阴极平面由PCB板蚀刻而成,包括40根镀金导电条,导电条宽1.8mm,中心间距2mm,阴极平面与阳极平面间距离2mm.延迟线为DDD公司1520型无源延迟线模块,特性阻抗200Ω,相邻抽头间的延迟时间5ns.基线下方为探测器阴极感生信号经延迟线和电流型前置放大器后波形,基线上方为阳极丝感生信号经电荷灵敏前放后波形.

摘要： 本文研制了一种基于位移叠加效应的新型驻波模式声表面波(SAW)陀螺仪。该陀螺仪由两路振荡器构成，其中一路振荡器的反馈元为一个两端对谐振器，谐振器内形成稳定驻波而构成参考振动源，驻波反节点位置分布有金属点阵，由于旋转引起的哥氏(Coriolis)力作用于金属点阵，而激发垂直于驻波传播方向的二次SAW;另外一路振荡器则由一个延迟线构成反馈元，该延迟线传播声波与哥氏力引起的二次声波发生位移叠加，从而使得延迟线内声波速度发生变化而导致振荡器频率的相应改变，最后以两路振荡器进行差频输出来表征输入角速率和补偿环境温度影响。利用精确旋转台对所研制的80MHz新型SAW陀螺仪进行性能评价，该陀螺仪表现出高灵敏度以及良好的线性度性能。

摘要： 数字脉宽调制（DPWM）是数字开关电源控制的关键。为了满足输出电压精度，避免极限环现象，必须在合理的时钟频率下实现高分辨率DPWM。本文分别采用延迟线法、Delta-Sigma法及混合法，在32MHz硬件时钟频率情况下，基于FPGA实现了11位的高分辨率DPWM。文中论述了三种方法的基本原理，并分析了各自的优缺点，最后给出了实验结果，比较了三种方法对输出电压的稳态性能、动态性能的影响。

摘要： 调频非线性问题是制约很多VCO 应用设备性能的主要瓶颈,针对现有非线性度校正方法中存在的延迟线的非线性影响、严重热噪声等问题,提出了一种通用校正模型、分析了校正过程的主要误差来源,并结合延迟-混频方法和锁相环方法的优点,提出了一种高性能、低成本的分频-变延迟方法.其特有的降频相关性可避免延迟时间与采样频率之间的矛盾,且具有降噪效果.仿真实验表明了该方法及其降频相关性的有效性.

摘要： 传感器技术在信息时代的今天扮演着越来越重要的角色,传感器在人类的日常生活生产中已逐渐变得不可或缺.声表面波传感器凭借着灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低等特点,引起了科学界的广泛兴趣.近年来,随着声表面波技术的广泛研究,声电效应作用在声表面波器件中的研究也越来越多.本文基于声电效应,给出了声表面波器件在声电相互作用影响下的理论仿真计算以及测试结果.结果表明,理论计算和测试结果吻合度很高.

摘要： 本文描述了用于延迟控制的系统和方法。在一个实施例中，延迟电路包括第一延迟路径和第二延迟路径。该延迟电路还包括多个开关，其中每个开关耦合在该第一和第二延迟路径上的不同点之间，并且每个开关配置成响应于多个选择信号中的对应一者而导通或关断。该延迟电路进一步包括复用器，该复用器具有耦合到该第一延迟路径的输出的第一输入、耦合到该第二延迟路径的输出的第二输入、以及耦合到该延迟电路的输出的输出，其中该复用器配置成响应于第二选择信号而选择性地将该第一和第二延迟路径的输出中的一者耦合到该延迟电路的输出。

摘要： 本文描述了用于延迟控制的系统和方法。在一个实施例中，延迟电路包括第一延迟路径和第二延迟路径。该延迟电路还包括多个开关，其中每个开关耦合在该第一和第二延迟路径上的不同点之间，并且每个开关配置成响应于多个选择信号中的对应一者而导通或关断。该延迟电路进一步包括复用器，该复用器具有耦合到该第一延迟路径的输出的第一输入、耦合到该第二延迟路径的输出的第二输入、以及耦合到该延迟电路的输出的输出，其中该复用器配置成响应于第二选择信号而选择性地将该第一和第二延迟路径的输出中的一者耦合到该延迟电路的输出。

摘要： 本发明公开了一种用于光纤延迟线的切割装置及利用该切割装置切割光纤延迟线的方法；包括底板，在底板上从左至右依次固定设置有光纤剥除清洁台、用于切割光纤延迟线的光纤切割器和用于加载固定光纤延迟线并带动光纤延迟线沿所述底板横向移动的光纤移动台；光纤剥除清洁台台面上从左至右依次设有用于剥除光纤延迟线表面涂覆层的光纤剥除器和对涂覆层剥除后的光纤本体表面进行清洁的光纤清洁器；光纤剥除器、光纤清洁器和光纤夹具呈同轴设置。本发明实现了光纤剥除、清洁以及切割的一体化操作，对比现有技术，该装置结构简单，使用方便，工作效率高。

摘要： 本发明提供了一种延迟线电路，包括多个延迟单元，多个延迟单元配置为接收输入信号并改变输入信号以产生第一输出信号。延迟线电路也包括可变延迟线单元，可变延迟线单元包括：输入端，配置为接收第一输出信号；输出端，配置为输出第二输出信号；第一线，位于输入端和输出端之间，第一线包括串联的第一反相器、第二反相器、第一速度控制单元和第三反相器；第二线，位于输入端和输出端之间，第二线包括串联的第四反相器、第二速度控制单元、第五反相器和第六反相器。延迟线电路也配置为通过第一线或第二线选择性地传输接收的第一输出信号。本发明提供了具有可变延迟线单元的延迟线电路。

摘要： 本发明公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线，换能器制备时，先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；再在两端底电极上沉积压电层薄膜；最后在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。本发明无需光刻氮化铝压电薄膜，简化了制备工艺，避免了底电极薄膜图形在刻蚀氮化铝时遭破坏，避免了氮化铝腐蚀表面残留物对后续工艺质量的影响。本发明可以优化高频体声波延迟线制备工艺，简化高频体声波延迟线换能器制备工艺，并提高器件工艺制备成品率和产品可靠性。

摘要： 一种延迟线，包含：至少一延迟单元，其中延迟线使用延迟单元中，至少其一延迟输入信号延迟以形成输出信号，且延迟单元是以伪N型金属氧化物半导体(Pseudo NMOS)实施。

摘要： 本发明公开了一种用于光纤延迟线的切割装置及利用该切割装置切割光纤延迟线的方法；包括底板，在底板上从左至右依次固定设置有光纤剥除清洁台、用于切割光纤延迟线的光纤切割器和用于加载固定光纤延迟线并带动光纤延迟线沿所述底板横向移动的光纤移动台；光纤剥除清洁台台面上从左至右依次设有用于剥除光纤延迟线表面涂覆层的光纤剥除器和对涂覆层剥除后的光纤本体表面进行清洁的光纤清洁器；光纤剥除器、光纤清洁器和光纤夹具呈同轴设置。本发明实现了光纤剥除、清洁以及切割的一体化操作，对比现有技术，该装置结构简单，使用方便，工作效率高。

摘要： 本发明提供了一种延迟线电路，包括多个延迟单元，多个延迟单元配置为接收输入信号并改变输入信号以产生第一输出信号。延迟线电路也包括可变延迟线单元，可变延迟线单元包括：输入端，配置为接收第一输出信号；输出端，配置为输出第二输出信号；第一线，位于输入端和输出端之间，第一线包括串联的第一反相器、第二反相器、第一速度控制单元和第三反相器；第二线，位于输入端和输出端之间，第二线包括串联的第四反相器、第二速度控制单元、第五反相器和第六反相器。延迟线电路也配置为通过第一线或第二线选择性地传输接收的第一输出信号。本发明提供了具有可变延迟线单元的延迟线电路。

摘要： 本发明公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线，换能器制备时，先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；再在两端底电极上沉积压电层薄膜；最后在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。本发明无需光刻氮化铝压电薄膜，简化了制备工艺，避免了底电极薄膜图形在刻蚀氮化铝时遭破坏，避免了氮化铝腐蚀表面残留物对后续工艺质量的影响。本发明可以优化高频体声波延迟线制备工艺，简化高频体声波延迟线换能器制备工艺，并提高器件工艺制备成品率和产品可靠性。

摘要： 一种延迟线，包含：至少一延迟单元，其中延迟线使用延迟单元中，至少其一延迟输入信号延迟以形成输出信号，且延迟单元是以拟似N型金属氧化物半导体(Pseudo NMOS)实施。本发明还公开了使用此延迟线的存储器控制电路。